[1] HARMAN G.Wire bonding in microelectronics[M]. New York: The McGraw-Hill Companies, 2010: 27-28. [2] STRANDBERG J, THIEDE H, KARLSSON A, et al. Versatile multilayer MCM-D structure for high reliability applications[J]. IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology: Part B, 1997, 20(3): 327-333. [3] MILAD G. Behind black pad[J]. Printed Circuit Design and Manufacture, 2008, 25(9):21. [4] FAUTY J, YODER J. Room temperature ultrasonic wirebonding with large diameter copper wire[J]. International Journal of Microcircuits and Electronic Packaging, 1999, 22(3): 221-232. [5] 施保球, 黄乙为. 电子封装用银合金线性能的研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(4): 040201. [6] 杨雯. 高温干燥环境中烧结纳米银的电化学迁移可靠性研究[D]. 天津: 天津大学, 2014. [7] 别业楠, 裴轶, 赵树峰. 氮化镓器件芯片表面银迁移抑制方法研究[J]. 中国集成电路, 2022, 31(10): 55-60. [8] 邱志述, 谭志伟, 陈鹏. 一种防止银迁移的平面二极管芯片: CN202111007165.8[P]. 2021-11-26. [9] 姜楠, 张亮, 熊明月, 等. 电子封装无铅互连焊点的电迁移研究进展[J]. 电子元件与材料, 2019, 38(8): 1-8. [10] 房加强, 于治水, 苌文龙, 等. 微电子封装中焊点的电迁移现象分析与研究[J]. 上海工程技术大学学报, 2013, 27(1): 76-81. [11] 胡敏, 彭俊睿. 肖特基二极管高温反向偏置失效分析与改善[J]. 电子与封装, 2022, 22(3): 030401. 胡敏(1968—),男,四川乐山人,硕士,高级工程师,从事半导体封装测试相关技术研究。
|