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功率器件银电化学迁移分析与改善
邱志述，胡敏
银作为可焊接金属，与铅、锡等形成低温合金可显著提升工艺适应性，广泛应用于半导体功率器件领域。芯片金属与封装互连中银电化学迁移常导致器件短路，以致失效。为了减少这类失效，对银电化学迁移机理进行研究，并从芯片、封装方面给出改善措施。增加芯片保护层、减少封装环氧树脂和芯片的分层可以减少潮气对芯片表面的侵蚀，是改善银电化学迁移的关键。
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邱志述，胡敏. 功率器件银电化学迁移分析与改善[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40201-.
QIU Zhishu，HU Min. Analysis and Alleviation of Silver Electrochemical Migration in Power Devices[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40201-.
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基于AFM-IR的电子铜箔表面痕量有机物的原位检测与去除*
李林玲，王勇，印大维，章晨，滕超，陈葳，江伟，李大双，郑小伟，周东山，薛奇
高性能电子铜箔是新一代通信技术所用高频高速PCB板的核心原材料之一，铜电沉积后表面吸附有机添加剂的控制对电子铜箔的性能有重要影响。基于原子力显微-红外光谱（AFM-IR）技术极高的检测灵敏度和空间分辨率，原位检测到国产铜箔表面残留的痕量有机杂质为整平剂明胶，并通过铜箔表面化学成像分析，发现这些残留的整平剂以零星状吸附于铜瘤顶部和侧面的钝化层之上。在AFM-IR方法的监测下，对二氯甲烷溶剂洗涤去除铜箔表面残留痕量有机杂质的效率进行了定量分析。相关工作将会有助于铜箔表面处理工艺的优化，以实现国产电子铜箔的高性能化。
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李林玲，王勇，印大维，章晨，滕超，陈葳，江伟，李大双，郑小伟，周东山，薛奇. 基于AFM-IR的电子铜箔表面痕量有机物的原位检测与去除*[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40202-.
LI Linling, WANG Yong, YIN Dawei, ZHANG Chen, TENG Chao, CHEN Wei, JIANG Wei, LI Dashuang, ZHENG Xiaowei, ZHOU Dongshan, XUE Gi[s2] . In-Suit Detection and Removal of Trace Organics on the Surface of Electronic Copper Foils by AFM-IR[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40202-.
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基于Arrhenius模型的混合集成DC/DC高压电源储存寿命评估*
黄吉，魏久富，程铭
储存寿命研究是评估电子设备可靠性及其使用寿命的重要方法之一。以某混合集成DC/DC高压电源为研究对象，在不同温度下进行高温加速储存寿命试验，记录包括输出电压、电压调整度和输入电流等在内的有关参数随储存时间的变化情况，引入评价参量，分析得到敏感参数；针对高温加速试验特点，选用Arrhenius模型对该电源开展常温下储存寿命评估。给出了该电源的加速寿命试验及储存寿命评估，为同类产品的储存寿命评估提供了相关参考，具有较强的理论及工程运用价值。
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黄吉，魏久富，程铭. 基于Arrhenius模型的混合集成DC/DC高压电源储存寿命评估*[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40203-.
HUANG JI, WEI Jiufu, CHENG Ming. Storage Life Evaluation of Hybrid Integrated DC/DC High-Voltage Power Supply Based on Arrhenius Model[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40203-.
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SO-8塑封器件湿热耦合可靠性研究
李登科
随着塑封器件大规模应用于各类电子产品，对其可靠性的研究逐渐成为人们关注的热点。塑封材料的吸湿特性导致塑封器件对水汽十分敏感，因此研究塑封器件的湿热特性极具应用价值。基于ANSYS Workbench有限元软件对SO-8塑封器件进行了高压蒸煮试验仿真，分析了器件在湿热耦合试验条件下各个结构的应力、应变分布。仿真结果表明，SO-8塑封器件内部各个结构互相接触的位置存在较大的应力和应变，其中引脚框架和塑封料的界面存在的应力和应变相对较大，这些部位是塑封器件易发生分层现象的位置。结合SO-8塑封器件在高压蒸煮试验后的超声扫描图像可以发现，湿热耦合试验条件下SO-8塑封元器件的分层主要发生在引脚框架上，这一现象与有限元仿真结果一致，为SO-8塑封器件的设计与封装提供了重要参考。
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李登科. SO-8塑封器件湿热耦合可靠性研究[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40204-.
LI Dengke. Research on the Reliability of Hygrothermal Coupling of SO-8 Plastic-Encapsulated Devices[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40204-.
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基于DBNet+SVTR的微电子组装电路字符识别系统
李颖，万永，罗驰，袁家军，简燕
微电子组装技术的发展推动组装电路的类型和产量不断增长，因此作业智能化水平亟需提升，且需对每只电路的生产状态进行实时追踪记录。基于DBNet和SVTR网络模型的电路管壳批号识别系统采用端到端的光学字符识别(OCR)识别模型，结合分布式技术进行相关硬件部署，可实现作业任务单智能生成、作业自动记录、作业过程智能化闭环管理等功能，提升了微电子电路生产过程的智能化水平。
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李颖，万永，罗驰，袁家军，简燕. 基于DBNet+SVTR的微电子组装电路字符识别系统[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40205-.
LI Ying, WAN Yong, LUO Chi, YUAN Jiajun, JAN Yan. Character Recognition System of Microelectronic Assembly Circuit Based on DBNet+SVTR[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40205-.
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军用DC/DC电源模块失效分析研究
李鹏，张竹风，王自成，刘红，赵国发
针对某武器系统研制过程中出现的2只DC/DC电源模块输出异常问题，通过制定失效分析方案探究其失效机理。对失效模块进行外观检查，各管脚均存在不同程度的绝缘子破裂现象；进行电性能和I-V特性曲线测试，并与合格样品进行对比，发现2只失效模块的Pin3与Pin5之间分别存在二极管特性异常和连接性异常现象，初步确定失效部位；通过X射线检测设备对模块内部基板和引线架进行检查，发现1#模块的2处VDMOS管键合丝断裂，断面呈熔球状；进一步将模块物理开封进行内部检查，观察到1#模块的VDMOS管芯片中间部位存在高温引起的变色现象，2#模块的管脚焊接点存在明显裂缝。对失效原因进行排查和分析，结果表明，电源端过电应力导致1#模块的VDMOS烧毁，焊接不良造成2#模块的输出异常。
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李鹏，张竹风，王自成，刘红，赵国发. 军用DC/DC电源模块失效分析研究[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40206-.
LI Peng, ZHANG Zhufeng, WANG Zicheng, LIU Hong, ZHAO Guofa. Failure Analysis Study of Military DC/DC Power Module[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40206-.
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模拟开关通用测试系统研究
钟昂，戴畅
传统模拟开关测试系统存在开发周期长、部分参数测试精度不够的通用问题，逐渐无法满足当前高性能器件大批量生产测试的要求。利用共用母板的兼容性和大型测试机台的精准性、稳定性，设计了一套基于V93000自动测试设备的模拟开关通用测试系统，该系统可调性强、兼容性广、精度高，且易于操作，新产品测试开发时只需经过简单的硬件设计，并通过简单的可视化窗口软件调试即可，大大缩短了模拟开关类器件测试系统的开发周期，提高了效率，降低了测试成本，并保证了测试参数的准确性和稳定性。
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钟昂，戴畅. 模拟开关通用测试系统研究[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40207-.
ZHONG Ang, DAI Chang. Research of the Generalized Test System for Analog Switch[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40207-.
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基于SiP应用的多层有机复合基板的三维堆叠
姚剑平，李庆东，管慧娟，杨先国，苟明艺
为使射频微波产品进一步实现小型化、通用化和系列化的设计、生产和应用，提出了一种基于多层有机复合基板的三维堆叠集成封装设计方法和工艺实现方法，并将其应用到了一款变频系统级封装（SiP）组件中。相较于二维高密度集成，基于多层有机复合基板的三维堆叠集成封装加强了垂直方向的空间利用率，能够进一步实现射频产品的小型化。多层有机复合基板三维堆叠模型的仿真和实测结果表明，此结构模型可以满足宽频带射频信号传输要求。采用多层有机复合基板三维堆叠方式设计的变频SiP组件的性能满足指标要求，设计方法和工艺实现方法具有可实现性。
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姚剑平，李庆东，管慧娟，杨先国，苟明艺. 基于SiP应用的多层有机复合基板的三维堆叠[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40208-.
YAO Jianping, LI Qingdong, GUAN Huijuan,YANG Xianguo,GOU Mingyi. Three-Dimensional Stacking of Multilayer Organic Composite Substrates Based on SiP Applications[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40208-.
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一种基于电流偏置的新型上电复位电路设计
许家欣，钱逸
随着数字电路模块的复杂程度越来越高，上电复位（POR）电路对于在启动时初始化数字逻辑到已知的状态至关重要。基于0.18 μm工艺设计了一种新型POR电路，该POR电路基于带启动电路的电流偏置结构，电源上电更稳定，而且增加了使能端，使电路可用于低功耗场景，此外，电流镜技术和分压电阻的运用，不仅使电源阈值调节简单，还增加了迟滞，降低了输出回路的电源噪声。
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许家欣，钱逸. 一种基于电流偏置的新型上电复位电路设计[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40301-.
XU Jiaxin, QIAN Yi. Design of a Novel Power-on Reset Circuit Based on Current Biasing[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40301-.
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4通道S波段硅基SiP模块的设计与实现
傅祥雨
为满足下一代卫星通信机载有源相控阵天线系统小型化要求，采用三维堆叠系统级封装(SiP)中的硅通孔（TSV）技术，设计并实现一种高集成度的4通道S波段射频SiP模块。该SiP模块采用0.2 mm厚度的声表滤波器芯片，尺寸仅为15.8 mm×16.8 mm×1.95 mm，相较于传统高温共烧陶瓷封装模块，体积缩小85%以上。使用辅助设计软件对SiP模块进行设计与仿真，实测结果显示，该SiP模块在1 980～2 300 MHz频率范围内，增益为1～5 dB，幅度一致性优于±1 dB，相位一致性优于±5°，带外抑制优于30 dB（1 980～2 010 MHz频段优于50 dB）。
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傅祥雨. 4通道S波段硅基SiP模块的设计与实现[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40302-.
FU Xiangyu. Design and Implementation of 4-Channel S-Band Si-Based SiP Module[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40302-.
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一种应用于电流舵DAC的熔丝校准方法
何光旭，袁何龙，王佳琪
为解决电流舵DAC中的电流源失配问题，提出了一种熔丝校准方法，通过静态校准技术来修正工艺偏差带来的电流源失配，其核心是熔丝预编程架构，允许对多个独立的熔丝校正单元执行多次预写迭代烧录，从而微调电流输出，直至通过实际测试验证满足既定性能标准，最终执行永久烧录。设计的电路基于0.18 μm CMOS工艺流片，测试结果表明，电路的DNL从校准前的-0.1~0.299 LSB降到校准后的-0.05~0.197 LSB。
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何光旭，袁何龙，王佳琪. 一种应用于电流舵DAC的熔丝校准方法[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40303-.
HE Guangxu, YUAN Helong, WANG Jiaqi. Fuse Calibration Scheme Applied in Current-Steering DAC[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40303-.
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一种高速半带插值滤波器的设计方法*
季心洁，王志亮
为了满足高速通信系统和数字信号处理中对数据插值的需求，提出了一种基于半带滤波器的高速插值滤波器的设计方法。该方法利用半带滤波器的系数稀疏性与对称性，采用多路并行结构显著减少了乘法运算的数量和计算复杂度。详细介绍了半带滤波器的频域特性及其在插值中的应用，探讨了滤波器的设计步骤、硬件实现以及资源优化方法。仿真结果表明，该滤波器设计方法能够在保证滤波性能的前提下，大幅提升插值速度，适合高速和实时信号处理的应用场景。
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季心洁，王志亮. 一种高速半带插值滤波器的设计方法*[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40304-.
JI Xinjie, WANG Zhiliang. Design Method for a High-Speed Half-Band Interpolation Filter[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40304-.
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一种基于SW831的高速存储数据管理方法
黄辉，吴晓庆
随着信息技术的发展，数据存储对带宽和容量的要求越来越高。针对此需求，设计了一种基于SW831处理器+FPGA+非易失性存储器快速通道（NVME）的存储系统。系统前端使用FPGA采集数据，为了保证数据不丢失，FPGA先将数据缓存到内存，由于缓存空间有限，需要及时地将缓存数据写入到存储盘中。基于此目的，提出了一种基于SW831处理器的数据管理方法，通过无容错的条带化磁盘阵列（RAID0）方式管理NVME存储阵列，应用链表直接管理NVME盘的存储块，通过SW831的控制，将FPGA缓存的数据直接搬移到NVME存储盘中，有效提高了数据存储效率，经实际测试，在系统总容量为12 TB的情况下，平均存储速率可达6.4 GB/s。另外，通过管理软件的配合，用户可以以文件的方式管理、访问数据，使用较为方便。
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黄辉，吴晓庆. 一种基于SW831的高速存储数据管理方法[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40501-.
HUANG Hui, WU Xiaoqing. Data Management Method of High Speed Storage Based on SW831[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40501-.
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一款汽车电子用MCU失效分析与对策
王彬，赵志林，郭晶
某车载电动尾门系统运行过程中，控制器直流电机运动时线缆产生的电磁辐射干扰到MCU芯片时钟路径，进一步引发内核Hardfault总线错误，导致运行故障，尾门无法到达指定位置。以MCU内核Hardfault异常为顶层事件建立故障树进行失效分析，成功定位了干扰源为直流电机线缆，干扰传播路径为空间辐射，干扰对象为MCU时钟路径，并通过故障场景复现验证了分析结果的正确性。最后从软、硬件角度提出了整改方法，对于电机运动控制系统的MCU失效分析与预防具有一定的参考借鉴价值。
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王彬，赵志林，郭晶. 一款汽车电子用MCU失效分析与对策[J]. 电子与封装, 2025, 25(4): 40502-.
WANG Bin, ZHAO Zhilin, GUO Jing. Failure Analysis and Countermeasures of an MCU for Automotive Electronics[J]. Electronics & Packaging, 2025, 25(4): 40502-.
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