本期封面报道单位 哈尔滨工业大学深圳集成电路学院
中文引用格式：王秀琦,李一凡,罗子康,陆大世,计红军. 功率器件封装用纳米铜焊膏及其烧结技术研究进展[J]. 电子与封装, 2025, 25(3): 030101 .
第三代半导体材料及其封装技术正在加速发展，在新一代光伏储能、高压输配电、新能源汽车、航空航天、5G/6G等领域展示出广阔的、不可替代的应用前景，并逐渐成为人工智能发展的核心元器件的材料技术基础。
第三代半导体功率器件的失效往往由芯片贴装界面的损伤所导致，而传统贴装用锡基钎料存在重熔温度低、导热系数不足以及高温可靠性差等问题，难以适应高温高频率的工作环境而出现界面的过早损伤。纳米铜焊膏材料具有低成本、抗电迁移、优异的导电导热性能和“低温烧结、高温服役”特性，有助于摆脱第三代半导体封装市场对高熔点钎料合金的依赖，打开更广阔的发展空间。
目前，易氧化特性和真空烧结条件成为制约纳米铜焊膏工业化应用的最大阻力。哈尔滨工业大学(深圳)计红军教授团队撰写的《功率器件封装用纳米铜焊膏及其烧结技术的研究进展》从纳米铜焊膏的易氧化和低烧结致密度的挑战分析入手，介绍了纳米铜焊膏材料改性、复合焊膏设计方法和辅助烧结互连技术，分析了目前业内推出的一些纳米铜焊膏低温烧结方法的主要机制、优缺点以及未来的发展方向，希望能帮助读者对纳米铜焊膏烧结技术进行系统性了解，为第三代半导体功率芯片贴装接头的可靠应用提供新的思路。
