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长方形封口器件储能焊的PIND控制*
赵鹤然，田爱民，苏 琳，马艳艳，刘洪涛，刘庆川
器件密封腔内可动多余物对其使用可靠性有很大影响，储能焊作为常用密封方式之一，在归纳总结圆型封口储能焊的多余物来源以及提高PIND合格率措施基础上，分析长方形封口器件使用电容型储能焊时的多余物形成的差异，认为电流“集肤效应”造成局部过熔是其易产生金属颗粒物导致PIND合格率低的机理，提出储能焊封口设计应尽量避免采用长方形封口和储能焊封口工艺。
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赵鹤然，田爱民，苏 琳，马艳艳，刘洪涛，刘庆川. 长方形封口器件储能焊的PIND控制*[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 1-4.
ZHAO Heran, TIAN Aimin, SU Lin，MA Yanyan，LIU Hongtao，LIU Qingchuan. Research on PIND Control Technology of Rectangular Casing Energy Storage Welding[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(9): 1-4.
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热学环境下2.5D封装器件60Pb40Sn互连焊点可靠性研究
文惠东，张代刚，刘建松，徐士猛
2.5D封装具有信号传输快、封装密度高等特点，广泛应用于高性能集成电路封装工艺中。目前2.5D器件在互连焊点方面通常采用无铅焊料，不满足宇航用器件含铅量不低于3%的要求。本文采用60Pb40Sn焊料作为2.5D封装器件中硅转接基板与上层芯片之间互连焊点，评估了60Pb40Sn焊点的互连可靠性，结果显示器件在1000次-65℃～150℃温度循环、1000 h 150℃稳定性烘焙、500次-65℃～150℃热冲击后互连合格，初步证实了60Pb40Sn焊料在2.5D封装器件应用的可行性。
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文惠东，张代刚，刘建松，徐士猛. 热学环境下2.5D封装器件60Pb40Sn互连焊点可靠性研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 5-9.
WEN Huidong, ZHANG Daigang, LIU Jiansong, XU Shimeng. Study on 60Pb40Sn Solder Joints Reliability of 2.5D Package Device in Thermal Environment[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(9): 5-9.
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塑封微电路分层评价的研究与探讨
王伯淳, 杨 城
随着电子产品向小型化、轻量化、多功能方向的发展，越来越多的塑封微电路（PEM）被应用于高可靠领域。由于封装材料的本质特性，PEM与气密封装微电路相比存在固有弱点。因此，在质量、价格、进度和性能等多种因素的综合影响下，可能需要选用存在分层缺陷的PEM，此类PEM在有高可靠性要求的领域使用存在一定的风险。为降低风险，提高使用者对此类PEM的信心，根据PEM的特点和环境剖面，提出有针对性的PEM分层评价思路。
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王伯淳, 杨 城. 塑封微电路分层评价的研究与探讨[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 10-14.
WANG Bochun, YANG Cheng. Research on the Evaluation Method for Delaminated Plastic Encapsulated Microcircuit[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(9): 10-14.
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基于COB封装技术的手机摄像模组DA胶画胶设计
王明珠，姚立锋，赵波杰，李凤云，蒋恒
在手机摄像模组生产过程中，芯片粘接质量的好坏直接关系到产品的良率。COB封装技术因其优良特性而被广泛应用在手机摄像模组生产过程中。文章针对手机摄像模组采用COB封装工艺时，芯片与电路板之间采用胶水贴装，分析了胶水的画胶方案对芯片与电路板粘接面积的影响。首先利用流固耦合的仿真分析对6种常见的DA胶画胶方案进行初步筛选。再通过实验进一步从生产效率、SAT扫描、胶面积大小以及场曲等几个方面结合实际制程对画胶方案进行对比，选取最合适的画胶方案。
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王明珠，姚立锋，赵波杰，李凤云，蒋恒. 基于COB封装技术的手机摄像模组DA胶画胶设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 15-18.
WANG Mingzhu, YAO Lifeng, ZHAO Bojie, LI Fengyun, JIANG Heng. Mobile Phone Camera Module DA Glue Painting Design based on COB Packaging Technology[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(9): 15-18.
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常用树脂对IC封装用环氧塑封料性能影响
郭利静，张力红，武红娟，代瑞慧
以市场上常见不同种类树脂制备了多种环氧塑封料，并比较了其凝胶化时间、螺旋流动长度、粘度、固化反应速率、弯曲性能、玻璃化温度及粘结强度等性能指标的差异，为IC封装不同程度要求的基材选择提供一些数据参考。YX-4000H型环氧和MEH-7800酚醛树脂组合粘结强度为3.451 MPa、螺旋流动长度为148 cm、粘度为64 Pa?s，表现出较优的封装工艺性。
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郭利静，张力红，武红娟，代瑞慧. 常用树脂对IC封装用环氧塑封料性能影响[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 19-23.
GUO Lijing , ZHANG Lihong, WU Hongjuan , DAI Ruihui. Study on the Effect of Resin Selection on Epoxy Moulding Compound in IC Packaging Industry[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(9): 19-23.
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基于新步长调整函数的正交小波变换自适应滤波方法
金晶晶
研究一种基于新的步长调整函数的正交小波变换最小均方自适应滤波算法，阐述了基于正交小波变换的自适应滤波原理，解释了正交小波变换能够提高算法收敛速度的原因，将一种新的步长调整函数应用于正交小波变换最小均方自适应滤波系统，通过模型识别检验了算法的收敛速度和稳态误差。使用该方法进行体震信号的自适应滤波，获得了更快的收敛速度和更好的滤波效果。
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金晶晶. 基于新步长调整函数的正交小波变换自适应滤波方法[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 24-27.
JIN Jingjing. Orthogonal Wavelet Transform Adaptive De-Noising Method Based on New Step Adjustment Function[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(9): 24-27.
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100 nm GaN基6~18 GHz低噪声放大器的研制
李建平，吴少兵
基于南京电子器件研究所的100 nm GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)工艺，研制了6~18 GHz宽带低噪声放大器。低噪声单片电路采用了三级结构，偏置电压为12 V，电流约为70 mA时，在6~18 GHz频带内噪声系数小于1.7 dB，增益大于25 dB，驻波比小于2，1 dB增益压缩点输出功率带内最小值约为10 dBm。前两级采用电流复用结构，降低了功耗；后级采用并联反馈结构，改善带内增益平坦度。芯片尺寸为2.0 mm × 1.35 mm。
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李建平，吴少兵. 100 nm GaN基6~18 GHz低噪声放大器的研制[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 28-31.
Li Jianping，Wu Shaobing. Research and Development of a 6-18 GHz Low Noise Amplifier Based on 100 nm GaN[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(9): 28-31.
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PTFE基微波覆铜板中FEP含量对孔隙率的影响
陈强，张勇，张军然，徐永兵
高频通信采用的微波高频覆铜板在制作材料的选用时，需要小的介电常数和介电损耗，一般采用PTFE（聚四氟乙烯）作材料，PTFE不沾任何材料且具有较大的热膨胀系数，混入FEP（聚四氟乙丙烯）到PTFE乳液中可以改善不沾任何材料的性质，玻璃纤维布可以改善热膨胀系数大的问题，但是会造成乳液和玻璃纤维之间有空隙。本试验研究发现，当FEP含量占乳液30%时，pp（半固化片）片中乳液和玻璃纤维之间的孔隙率达到较小的水平。本实验采用介电损耗（DF）和介电常数（DK）的比值代表孔隙率的水平，数值越小，表示孔隙率越小。
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陈强，张勇，张军然，徐永兵. PTFE基微波覆铜板中FEP含量对孔隙率的影响[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 32-33.
CHEN Qiang, ZHANG Yong, ZHANG Junran, XU Yongbing. Effect of FEP Content on Porosity in PTFE-based Microwave Copper Clad Laminate[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(9): 32-33.
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电动汽车用IGBT模块铜底板设计
刘艳宏，邢 毅，董 妮，荆海燕
对电动汽车用绝缘栅双极性晶体管（IGBT）模块铜底板进行预弯设计，使其具有一定的弧度，以抵消铜底板在焊接时的变形，保证铜底板与散热器之间的接触面平面度，进而保证散热量。通过加工9组不同预弯高度H值的铜底板进行焊接实验和安装扭矩模拟试验，并分别对铜底板预弯高度H值为550 μm、600 μm的IGBT模块进行3D轮廓测量和超声波扫描，最终设定预弯高度H值为550～600 μm。
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刘艳宏，邢 毅，董 妮，荆海燕. 电动汽车用IGBT模块铜底板设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 34-36.
LIU Yanhong, XING Yi, DONG Ni, JING Haiyan. Copper Baseplate Design of IGBT Module for Electric Vehicles[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(9): 34-36.
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航天型号元器件选用策略
沈士英，贾儒悦
元器件是航天型号的基础单元，只有奠定了牢固的基础，才能保证航天型号更好、更快地发展。航天型号工程具有前期验证严格、后期服役周期长的特点，因此，元器件的合理选用至关重要。结合航天型号的特殊要求，通过对元器件的降额设计要求、质量等级要求、空间适用性要求等给出元器件选用过程的控制办法；同时从元器件的应用可靠性角度出发分别介绍了集成电路、二极管、电阻器、光电子器件、继电器、电容器、电连接器及定制元器件选用控制要求，通过元器件的选用保证其应用可靠性，促进航天产品的综合质量与可靠性提升。
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沈士英，贾儒悦. 航天型号元器件选用策略[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 37-42.
SHEN Shiying, JIA Ruyue. Selection Strategy of Electronic Components of Astronautic Products[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(9): 37-42.
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浅沟槽隔离对MOSFET电学特性的影响
张海峰, 刘 芳, 陈燕宁, 原义栋, 付 振,
随着工艺制程的不断进展，浅沟槽隔离技术（STI）成为深亚微米后的主流隔离技术。文章通过测试分析不同栅到有源区距离（SA）晶体管（MOSFET）器件的栅和衬底电流，分析了180 nm N沟道晶体管中STI对于栅和衬底电流的影响。结果表明栅电流随着SA的缩小呈现先缩小后增大的趋势，衬底电流在常温以及高温下都随着SA的减小而减小。文章用应力机制导致的迁移率以及载流子浓度的变化对栅和衬底电流的变化趋势进行了分析，通过改进伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM）模拟了STI对衬底电流的影响，为设计人员进行低功耗设计提供了衬底电流模型。
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张海峰, 刘 芳, 陈燕宁, 原义栋, 付 振, . 浅沟槽隔离对MOSFET电学特性的影响[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 43-47.
ZHANG Haifeng, LIU Fang, , CHEN Yanning, , YUAN Yidong, , FU Zhen, . Influence of Shallow Trench Isolation on Electrics Characteristic in MOSFET[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(9): 43-47.
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