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粘片过程中引线粘污及其处理工艺技术
李丙旺，李苏苏，李 彪
在粘片工艺过程中通过分析加工的条件和材料，找出内引线粘污是什么原因造成的，通过理论和实验研究，找出粘片过程中引线粘污最小的工艺条件，其中排风因素会对粘片烘干工艺产生较大影响。分析光清洗与等离子清洗在引线粘污处理工艺中的不同特性，研究清洗工艺技术对引线键合工艺的影响，并通过具体的粘片与键合工艺试验，针对现有粘片胶的特性，得到了清洗引线粘污的最佳工艺条件，验证了有、无清洗和不同清洗工艺对后续键合工艺的影响。
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李丙旺，李苏苏，李 彪. 粘片过程中引线粘污及其处理工艺技术[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 1-4.
LI Bingwang, LI Susu, LI Biao. The Contamination and Cleaning Technology in Die Bonding Process[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 1-4.
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激光植球工艺参数对焊球剪切强度的影响
张 浩，杨 晶，李 耀
激光植球工艺在实际应用中存在焊球剪切强度低于标准的问题。使用Ф500 μm的焊球（Sn63Pb37）进行不同激光参数下的焊接试验，通过测量焊球剪切强度，找到激光高度、激光功率、激光作用时间的优化方向。
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张 浩，杨 晶，李 耀. 激光植球工艺参数对焊球剪切强度的影响[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 5-7.
ZHANG Hao, YANG Jing, LI Yao. Effects of Laser Ball Planting Parameters on Shear Force of Welded Ball[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 5-7.
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基于轨道交通车辆中SiC混合模块的散热优化设计
张运杰, 许 媛, 鲍 婕, 徐文艺, 戴 薇
大功率SiC混合模块向着小型化，轻量化，大功率等要求发展时，随着功率等级不断提高，模块散热功耗增加，其最高温度也随之增加。过高的温度会对模块性能造成严重的影响，降低其可靠性和使用寿命，因此SiC混合模块的散热问题具有重要的研究意义。介绍了SiC混合模块的封装结构，通过两方面改善其散热性能：调整纳米银层的参数进行优化；将高导热石墨烯应用于SiC混合模块中，并通过模拟仿真对比石墨烯应用于芯片不同位置的温度分布情况，从而得出SiC混合模块散热结构的优化设计。
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张运杰, 许 媛, 鲍 婕, 徐文艺, 戴 薇. 基于轨道交通车辆中SiC混合模块的散热优化设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 8-12.
ZHANG Yunjie, XU Yuan, BAO Jie, XU Wenyi, DAI Wei. Optimization Design of Heat Dissipation Based on SiC Hybrid Module in Rail Transit Vehicles[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 8-12.
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一种电解电容等效串联电阻的测量方法
王金刚
电解电容是电子产品中不可或缺的储能与电能变换元器件。在高温、高纹波电流的功率变换应用场合中，相对于其他电子元器件，电解电容的寿命是最短的，而影响其寿命的关键参数为等效串联电阻(ESR)。分析了传统ESR测试方法的优缺点，提出了一种工作在脉冲电流下电解电容ESR的测量方法，并通过实验分析证明了其可行性。
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王金刚. 一种电解电容等效串联电阻的测量方法[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 13-15.
WANG Jingang. A Method for Measuring the Equivalent Series Resistance of Electrolytic Capacitor[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 13-15.
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一种基于伪随机噪声注入的流水线ADC数字校准算法
包晴晴，彭析竹，符土建，刘小乔，唐 鹤
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包晴晴，彭析竹，符土建，刘小乔，唐 鹤. 一种基于伪随机噪声注入的流水线ADC数字校准算法[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 16-20.
BAO Qingqing, PENG Xizhu, FU Tujian, LIU Xiaoqiao, TANG He. A Digital Calibration Algorithm for Pipeline ADC Based on Pseudo Random Noise Injection[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 16-20.
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用于高速电荷域ADC的电荷比较器设计
李蕾蕾1，钱宏文1，魏敬和1, 薛 颜1, 陈珍海12
设计了一种用于电荷域流水线ADC的高速电荷比较器电路，该比较器包括电荷采样电路、共模不敏感开关电容网络和锁存放大器。仿真结果表明，在0.18 μm CMOS工艺条件下，该比较器在250 MHz时钟下性能良好，采用该比较器的12位250 MS/s 电荷域ADC内的2.5位子级电路功能正确。
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李蕾蕾1，钱宏文1，魏敬和1, 薛 颜1, 陈珍海12. 用于高速电荷域ADC的电荷比较器设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 21-23.
LI Leilei1，QIAN Hongwen1，WEI Jinghe1, XUE Yan1, CHEN Zhenhai12. Design of the Charge Comparator for High Speed Charge Domain ADC[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 21-23.
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基于抗辐照技术的DDS电路设计与实现
杨 阳, 陶建中, 万书芹, 邱 丹
直接数字频率合成器（DDS）作为关键器件被广泛应用在航空航天领域中。芯片在广阔的宇宙空间中易受到高能辐射粒子的影响，其中单粒子翻转（SEU）效应是一种十分常见的辐射效应，将导致电路功能异常甚至是失效，这就要求DDS芯片能有非常强的抗辐照性能。提出一种基于三模冗余结构并具有自纠错功能的寄存器，将其应用在DDS的电路设计中，并将芯片的数字电路部分插入三模冗余结构，利用冗余结构去除掉故障电路对整个DDS芯片功能的影响，使得DDS芯片的抗辐照能力得到有效提升。
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杨 阳, 陶建中, 万书芹, 邱 丹. 基于抗辐照技术的DDS电路设计与实现[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 24-28.
YANG Yang, TAO Jianzhong, WAN Shuqin, QIU Dan. Design and Implementation of DDS Circuit Based on Anti-Irradiation Technology[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 24-28.
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一种S波段薄片型TR组件的设计
雒寒冰，张红英，杨晶晶，麻仕豪，莫志明
介绍了一种S波段薄片型TR组件的设计方案，包括TR组件的功能组成、过渡设计、结构设计。并给出了该组件的关键指标测试值，对设计结果进行了验证，实现了TR组件的小型化设计。
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雒寒冰，张红英，杨晶晶，麻仕豪，莫志明. 一种S波段薄片型TR组件的设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 29-30.
LUO Hanbin, ZHANG Hongying, YANG Jingjing, MA Shihao, MO Zhiming. The Design of S Band Ultra-thin TR Module[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 29-30.
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铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进
武艳青，赵 润，赵永林，宋红伟，于峰涛
对P型InGaAs半导体金属接触形貌进行了分析。采用磁控溅射法在P型InGaAs表面制作了不同厚度的金属膜，并在不同温度下进行合金，研究了合金温度和膜层厚度对接触形貌、比接触电阻率的影响。使用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对界面形貌进行了表征，结果表明金属-半导体界面空洞与合金温度有直接关系，在合金温度小于350 ℃时，界面处不会出现空洞，若合金温度超过此值，空洞逐渐出现，并且空洞数量会随着合金温度的升高而增加。金属膜层间相互扩散和器件的比接触电阻率与Ti层和Pt层的厚度有关。通过优化合金工艺和金属膜层厚度改进了半导体与金属接触形貌，金属间界面清晰无相互扩散，降低了器件比接触电阻率和常态温度下失效率（FIT）。
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武艳青，赵 润，赵永林，宋红伟，于峰涛. 铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 31-35.
WU Yanqing, ZHAO Run, ZHAO Yonglin, SONG Hongwei, YU Fengtao. Analysis and Improvement of the InGaAs-Metal Film Interface Abnormal Morphology[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 31-35.
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0.13 μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究
花正勇，马艺珂，殷亚楠，周昕杰，陈 瑶，姚 进，周晓彬
文章利用计算机辅助设计Silvaco TCAD仿真工具，研究了0.13 μm全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)晶体管单粒子瞬态效应，分析了不同线性能量转移 (LET)、单粒子入射位置和工作偏置状态对单粒子瞬态的影响。结果表明，LET值的增加会影响沟道电流宽度，加大单粒子瞬态峰值及脉冲宽度。受入射位置的影响，由于栅极中央收集的电荷最多，FD-SOI器件的栅极中央附近区域单粒子瞬态效应最敏感。单粒子瞬态与器件工作偏置状态有很强的相关性，器件处于不同工作偏置状态下，关态偏置受单粒子效应影响最大，开态偏置具有最小的瞬态电流峰值和脉宽。
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花正勇，马艺珂，殷亚楠，周昕杰，陈 瑶，姚 进，周晓彬. 0.13 μm全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子效应仿真研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 36-38.
HUA Zhengyong，MA Yike ，YIN Yanan，ZHOU Xinjie，CHEN Yao，YAO Jin，ZHOU Xiaobin. Simulation Study on SEE of 0.13 μm FD-SOI Transistors[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 36-38.
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基于248nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器
报道了一种0.15 μm GaAs 单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺，器件关键层制备使用248 nm 扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示，在7~13 GHz频段内，电路增益大于19.5 dB，在7.7 GHz处增益达22.3 dB；噪声系数小于1.98 dB，在7.2 GHz处，最小噪声1.28 dB；直流功耗为190 mW，展示了良好的器件和电路性能。
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. 基于248nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 39-43.
WANG Suyuan*, ZHANG Junyun, PENG Longxin, HUANG Nianning. 0.15 μm GaAs Limiter-LNA MMIC Based on 248 nm Scanner Process[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 39-43.
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Nikon Laser Step Alignment对准系统研究
罗 涛
介绍了Nikon光刻机最常用的对准方式，即激光步进对准(LSA)。从基本的光学系统出发，介绍了LSA在Nikon光刻机中的作用，搜索和增强型全局对准(EGA)，详细阐述了LSA的工作原理和其对工艺的影响，最后介绍了LSA对准系统的技术指标和作用。
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罗 涛. Nikon Laser Step Alignment对准系统研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 44-47.
LUO Tao. Research on Laser Step Alignment System of Nikon Stepper[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(8): 44-47.
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