摘要： 评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割，用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明，使用深反应离子刻蚀工艺，晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除，从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污，芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。
中图分类号:
刘学勤，董安平. 硅的深度反应离子刻蚀切割可行性研究[J]. 电子与封装, 2016, 16(9):
44 -47.
LIU Xueqin，DONG Anping. Feasibility Study on Wafer Dicing by Silicon Deep Reactive Ion Etching[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(9):
44 -47.
