P型外延电阻率表面态的研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0311

电子与封装 ›› 2020, Vol. 20 ›› Issue (3): 030402 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0311

P型外延电阻率表面态的研究

仲张峰,韩旭,潘文宾,葛华,尤晓杰,王银海,杨帆

南京国盛电子有限公司，南京　211111

发布日期:2020-03-26
作者简介:仲张峰（1987—），男，江苏海安人，南京大学物理学院硕士研究生，中国电子科技集团公司第五十五研究所工程师，主要研究方向为硅外延工艺。

Study on the Surface State of P-type Epitaxial Resistivity

ZHONG Zhangfeng, HAN Xu, PAN Wenbin, GE Hua, YOU Xiaojie, WANG Yinhai, YANG Fan

Nanjing Guosheng Electronic Co., Ltd, Nanjing 211111, China

Published:2020-03-26

摘要/Abstract

摘要： P型硅外延材料是制备微波功率器件的关键基础材料，其电阻率的一致性直接影响器件的性能和可靠性。研究通过对Si、N、B 3种元素进行电负性对比，结合P型外延片电容-电压法（CV法）测试波动和纵向载流子分布（SRP）比较分析，确定了造成P型外延电阻率波动的主要原因，并通过对表面态的控制找到解决方案。

关键词: P型, 表面态, 纵向载流子分布（SRP）, 电负性

Abstract: P-type silicon epitaxial material is the key material for microwave power devices. The consistency of its resistivity directly affects the performance and reliability of the devices. In this study, the main cause of the resistivity fluctuation of P-type epitaxy is determined by comparing the electronegativity of Si, N and B, and by the analysis of CV(Capacitance-Voltage method) test fluctuation and the spreading resistivity profile (SRP). And the solution to the fluctuation is found by controlling the surface state.

Key words: P-type, surface state, spreading resistivity profile(SRP), electronegativity

中图分类号:

TN305.3

仲张峰,韩旭,潘文宾,葛华,尤晓杰,王银海,杨帆. P型外延电阻率表面态的研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(3): 030402 .

ZHONG Zhangfeng, HAN Xu, PAN Wenbin, GE Hua, YOU Xiaojie, WANG Yinhai, YANG Fan. Study on the Surface State of P-type Epitaxial Resistivity[J]. Electronics & Packaging, 2020, 20(3): 030402 .

[1]	朱峻岩;张优;王鹏;黄伟;张卫;邱一武;周昕杰. GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究^*[J]. 电子与封装, 2024, 24(1): 10404-.
[2]	贾玉伟,唐中强,蔡道民,薛梅,李展. 基于基板塑封工艺的小型化宽带电调衰减器[J]. 电子与封装, 2023, 23(10): 100401-.
[3]	武艳青，赵润，赵永林，宋红伟，于峰涛. 铟镓砷与金属接触形貌异常分析和改进[J]. 电子与封装, 2019, 19(8): 31-35.
[4]	仲张峰, 尤晓杰, 王银海, 邓雪华, 魏建宇, 杨　帆. 低电容TVS用常压外延工艺研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(9): 33-35.
[5]	李燕妃，吴建伟，顾　祥，洪根深. 30 V NLDMOS结构优化及SEB能力提高[J]. 电子与封装, 2018, 18(10): 36-39.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

P型外延电阻率表面态的研究

Study on the Surface State of P-type Epitaxial Resistivity

RichHTML

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 5

编辑推荐

Metrics

本文评价