摘要： 低电容瞬态电压抑制器（TVS）由高阻外延的雪崩二极管与低阻衬底的导引二极管组合而成。区别于常规的单片减压外延工艺，在常压外延条件、多片生长模式下，通过衬底背面的自吸硅以及低温长缓冲层工艺，有效抑制了外延过程中的自掺杂，在P型重掺衬底上生长出薄层高阻的N型外延层，降低了低电容TVS雪崩二极管的反向击穿电压，提高了浪涌抑制能力。
中图分类号:
仲张峰, 尤晓杰, 王银海, 邓雪华, 魏建宇, 杨 帆. 低电容TVS用常压外延工艺研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(9):
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