[1] |
杨晨飞,韦文生,汪子盛,丁靖扬. 嵌入分段半超结的p-栅增强型垂直GaN基HFET*[J]. 电子与封装, 2024, 24(8): 80402-. |
[2] |
胡涛,孟柘,李锋,蒋衍,胡志宏,刘汝卿,袁野,朱精果. 基于GaN FET的窄脉冲激光驱动设计及集成[J]. 电子与封装, 2024, 24(5): 50402-. |
[3] |
王洪刚,丛龙兴. 4通道X波段50 W功放模块设计[J]. 电子与封装, 2024, 24(12): 120301-. |
[4] |
陈兴, 党睿, 李永军, 陈大正. GaN HEMT器件表面钝化研究进展*[J]. 电子与封装, 2024, 24(12): 120401-. |
[5] |
刘智珂,曹炳阳. GaN HEMT热特性的反射热成像研究*[J]. 电子与封装, 2024, 24(11): 110102-. |
[6] |
朱霞, 王霄, 王文倩, 李杨, 李秋璇, 闫大为, 刘璋成, 陈治伟, 敖金平. GaN P沟道功率器件及集成电路研究进展*[J]. 电子与封装, 2024, 24(11): 110401-. |
[7] |
韩烨;王党会;许天旱. GaN薄膜的太赫兹光谱响应研究[J]. 电子与封装, 2024, 24(1): 10403-. |
[8] |
朱峻岩;张优;王鹏;黄伟;张卫;邱一武;周昕杰. GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究*[J]. 电子与封装, 2024, 24(1): 10404-. |
[9] |
刘健,张长城,崔朝探,李天赐,杜鹏搏,曲韩宾. 2~6 GHz小型化、高效率GaN功率放大器[J]. 电子与封装, 2023, 23(9): 90402-. |
[10] |
石浩,王雯洁,付登源,梁宗文,王溯源,张良,章军云. 一种用于生产的GaN HEMT器件空气桥的设计[J]. 电子与封装, 2023, 23(9): 90403-. |
[11] |
张黎莉;邱一武;殷亚楠;王韬;周昕杰. 一种高温度稳定性的GaN基准电压源设计*[J]. 电子与封装, 2023, 23(5): 50304-. |
[12] |
郑俊娜;王党会;许天旱. 生长在图形化蓝宝石衬底上的GaN薄膜光学性质研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(4): 40403-. |
[13] |
邱金朋, 沈竞宇. GaN HEMT热阻测试技术研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(11): 110104-. |
[14] |
张彤;刘树强;何亮;成绍恒;李柳暗;敖金平. GaN基互补型逻辑电路的研究进展及挑战*[J]. 电子与封装, 2023, 23(1): 10101-. |
[15] |
秦尧;明鑫;叶自凯;庄春旺;张波. GaN HEMT及GaN栅驱动电路在DToF激光雷达中的应用*[J]. 电子与封装, 2023, 23(1): 10103-. |