摘要: 半导体芯片贴装(DB)工艺中,部分产品使用紫外光(UV)照射解胶时,因紫外光照射时间过长导致的UV膜层分解脱落表现为肉眼可见的胶膜残留物,导致芯片表面沾污严重,造成以及后续引线键合(WB)作业困难和产品良率降低。通过系统性分析,过长的UV照射时间是导致UV膜过度交联降解、内聚强度丧失的主要原因。通过实验设计(DOE)方法,优化了紫外光的照射能量和时间窗口,并同步调整了贴片机顶针的高度,确保了UV膜在承受最小机械应力的情况下被均匀、高效地剥离。实验结果表明,优化后的工艺方案成功消除了UV膜脱落沾污现象,芯片贴片后的表面洁净度,显著提升90%,同时保证芯片的捡拾效率和贴片良率,为高可靠性封装生产提供了有效的工艺解决方案。