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孟帅1,刘厚麟1,黄斐斐2,黄明亮1
MENG Shuai1, LIU Houlin1, HUANG Feifei2, HUANG Mingliang1
1. Electronic Packaging Materials Laboratory, School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China; 2. School of Chemical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, China
摘要: 通过实时监测SAC305球栅阵列(BGA)焊点电迁移(EM)过程中的电阻变化,并关联焊点的微观组织演变,揭示SAC305 BGA焊点阴极凸点下金属化层(UBM)溶解和阴极界面产生空洞、裂纹等缺陷导致电阻升高的EM失效模式。对于θ角(β-Sn晶粒的c轴与电子流动方向之间的夹角)较大为67°的No.1焊点,EM过程中Sn原子的自扩散导致焊点阴极界面产生空洞,逐渐萌生裂纹并扩展,焊点的电阻持续缓慢增长,通电1 500 h后电阻变化率仅为8.72%;对于θ角较小为23°的No.2焊点,EM过程中Cu原子的定向迁移导致焊点阴极Cu UBM发生大量溶解,焊点电阻变化率相对较高,EM初期电阻增加相对缓慢并在达到约15%范围后急剧升高至100%而快速失效。