中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (7): 40 -42. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0090

• 微电子制造与可靠性 • 上一篇    下一篇

提高基板键合可靠性的等离子清洗工艺研究

曾玉梅1,2,王康2,李宏艳2,3   

  1. 1. 河北诺亚人力资源开发有限公司,石家庄 050035; 2. 中国电子科技集团公司第54研究所,石家庄 050081; 3. 中华通讯系统有限责任有限公司河北分公司,石家庄 050081
  • 出版日期:2017-07-20 发布日期:2017-07-20
  • 作者简介:曾玉梅(1984—),女,广西桂林人,毕业于桂林电子科技大学,现就职于中国电子科技集团公司第54研究所,主要从事微封装工艺研究工作。
  • 基金资助:
    国家自然科学基金项目(61404119)

Research of Substrate Cleaning Process for Better Wire Bonding Reliability

ZENG Yumei1,2, WANG Kang2, LI Hongyan2, 3   

  1. 1. Hebei Far-East Communication System Engineering Co. Ltd, Shijiazhuang 050035, China; 2. China Electronics Technology Group Corporation No.54 Research Institute, Shijiazhuang 050081, China; 3. China Communication System Co., Ltd. Heber Branch, Shijiazhuang 050081, China
  • Online:2017-07-20 Published:2017-07-20

摘要: 通过等离子轰击可以有效提高金丝键合的可靠性。氩气等离子清洗后,基板容易金丝键合,破坏性拉力测试后键合点留压点,键合力有明显提高。5880基板最优的清洗参数是功率200 W,清洗时间600 s,气体流量150 ml/min,并且等离子处理之后2 h内完成键合,效果最佳。

Abstract: Wiring bonding reliability can be effectively improved by plasma cleaning. In the paper, the surface of substrate presents better wire bonding performance after cleaned by Ar plasma and the bonder remains after pulling test. The best parameters for 5880 substrate include 200 W ultrasonic power, 600 s cleaning time and 150 ml/min gas flow. Wire binding within 2 hours after cleaning achieves the best performance.

Key words: plasma, wire bonding, cleaning parameters

中图分类号: