C波段GaN高功率放大器设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0009

电子与封装 ›› 2018, Vol. 18 ›› Issue (1): 34 -38. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0009

C波段GaN高功率放大器设计

夏永平，李贺，魏斌

中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214035

收稿日期:2017-07-05 出版日期:2018-01-20 发布日期:2018-01-20
作者简介:夏永平（1973—），男，重庆铜梁人，本科，高级工程师，现工作于中国电科第五十八研究所模块事业部，主要研究方向为射频微波模块、组件设计。

Design of C-Band GaN High Power Amplifier

XIA Yongping,LI He,WEI Bin

China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China

Received:2017-07-05 Online:2018-01-20 Published:2018-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用内匹配和功率合成技术，设计了C波段GaN HEMT高功率放大器。电路采用6胞芯片进行功率合成，在陶瓷（Al2O3）基片上设计制作功分器，使其输入输出阻抗均为50 Ω。实际脉冲测试该功放饱和输出功率达到220 W以上，增益大于11 dB，功率附加效率大于48%，功率合成效率比达到90%。

关键词: GaN HEMT, 内匹配, 功率放大器, 功率合成

Abstract: The paper shows a design of C-band GaN HEMT High Power Amplifier(PA)used Inter-Match and Power Combination technology.The PA uses 6 cell chips for power combination,and design a power divider on the Al2O3 Substrate to make its input and output impedance 50 Ω.The Pulse Measurement shows that the saturation output power of the PA is greater than 220 W,the gain is greater than 11 dB,the power added efficiency isgreater than 48%,and the power combination efficiency ratio isgreater than 90%.

Key words: GaN HEMT, inter-match, power amplifier(PA), power combination

中图分类号:

TM931

夏永平，李贺，魏斌. C波段GaN高功率放大器设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(1): 34 -38.

XIA Yongping,LI He,WEI Bin. Design of C-Band GaN High Power Amplifier[J]. Electronics & Packaging, 2018, 18(1): 34 -38.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

C波段GaN高功率放大器设计

Design of C-Band GaN High Power Amplifier

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