5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1014

电子与封装 ›› 2020, Vol. 20 ›› Issue (10): 100404 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1014

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5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计

陈正才;黄龙;彭时秋

?无锡中微晶园电子有限公司，江苏无锡　214035

收稿日期:2020-05-25 发布日期:2020-07-29
作者简介:陈正才（1981—），男，江苏盐城人，硕士，高级工程师，现从事分立器件研究及应用。

Symmetrical Breakdown Voltage Analysis andOptimization of 5 V TVS Device

CHEN Zhengcai, HUANG Long, PENG Shiqiu

Wuxi Zhongwei Microchips Co., Ltd., Wuxi 214035, China

Received:2020-05-25 Published:2020-07-29

摘要/Abstract

摘要： 通过设计5 V双向TVS产品，分析了N⁺注入及退火工艺对器件正、反向击穿电压的影响。通过优化材料电阻率，正、反向击穿电压的差值从1.3 V优化至0.1 V，各项动态参数均满足产品要求。完成了5 V双向TVS器件击穿电压对称性的优化，各项参数均满足产品要求。

关键词: 击穿电压, 离子注入, 退火

Abstract: The 5 V bidirectional TVS device was designed, and the effect of N⁺ implantation and annealing process on forward and reverse voltages was analyzed. By optimizing the resistivity, the bias of forward and reverse breakdown voltages was decreased from 1.3 V to 0.1 V, and all dynamic parameters meet product requirements. As a result, the symmetry of breakdown voltage of 5 V bidirectional TVS device was optimized.

Key words: breakdown voltage, ion implantation, anneal

中图分类号:

TN305

陈正才;黄龙;彭时秋. 5 V双向TVS器件击穿电压对称性分析与优化设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(10): 100404 .

CHEN Zhengcai, HUANG Long, PENG Shiqiu. Symmetrical Breakdown Voltage Analysis andOptimization of 5 V TVS Device[J]. Electronics & Packaging, 2020, 20(10): 100404 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Symmetrical Breakdown Voltage Analysis andOptimization of 5 V TVS Device

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