高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0609

电子与封装 ›› 2020, Vol. 20 ›› Issue (6): 060403 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0609

高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究

马阔,乔明,周锌,王卓

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054

接受日期:2020-03-05 出版日期:2020-06-17 发布日期:2020-03-23
作者简介:马　阔（1993—），男，河北石家庄人，电子科技大学电子科学与工程学院硕士在读，主要从事高低压功率器件设计及其抗辐射能力等方面的研究。

Study on Total Dose Effect of Ionizing Radiation of High-voltage SOI pLDMOS Devices

MA Kuo, QIAO Ming, ZHOU Xin, WANG Zhuo

State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Device, UESTC,Chengdu 610054, China

Accepted:2020-03-05 Online:2020-06-17 Published:2020-03-23

摘要/Abstract

摘要： 研究了总剂量辐射致使高压SOI pLDMOS器件电学性能的退化，报道了在300 krad(Si)辐射下，高压SOI pLDMOS器件耐压的退化以及阈值电压的负向漂移。通过仿真软件对器件的基础电学特性进行了仿真优化，并且对器件电学性能的退化进行了仿真探究，分析器件性能退化的原因。

关键词: 总剂量辐射, SOI LDMOS, 击穿电压, 阈值电压

Abstract: This paper researches the degradation of the electrical performance of high-voltage SOI pLDMOS device caused by total dose radiation, furthermore, this paper reports the decrease of breakdown voltage and the negative drift of the threshold voltage of the high-voltage SOI pLDMOS device under 300 krad (Si)) total dose radiation. By using simulation software to simulate and optimize the basic electrical characteristics of the device, moreover, the degradation of the electrical performance of the device was simulated and the reasons for the degradation of the device were investigated.

Key words: TID, SOI LDMOS, breakdown voltage, threshold voltage

中图分类号:

TN303

马阔,乔明,周锌,王卓. 高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(6): 060403 .

MA Kuo, QIAO Ming, ZHOU Xin, WANG Zhuo. Study on Total Dose Effect of Ionizing Radiation of High-voltage SOI pLDMOS Devices[J]. Electronics & Packaging, 2020, 20(6): 060403 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究

Study on Total Dose Effect of Ionizing Radiation of High-voltage SOI pLDMOS Devices

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