氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0310

电子与封装 ›› 2020, Vol. 20 ›› Issue (3): 030401 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0310

氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响

郑若成,王印权,刘佰清,郑良晨

中科芯集成电路有限公司，江苏无锡　214072

发布日期:2020-03-26
作者简介:郑若成（1971—），男，湖北监利人，硕士，高级工程师，1997年毕业于武汉大学物理系半导体专业，现从事抗辐射工艺技术研究。

Influence of Fluorine Doping on the Characteristic of Amorphous Silicon Thin Films

ZHENG Ruocheng, WANG Yinquan, LIU Baiqing, ZHENG Liangchen

China Key System &Integrated Circuit Co.,Ltd., Wuxi 214072,China

Published:2020-03-26

摘要/Abstract

摘要： 采用电容结构研究了氟（F，Flourine）掺杂非晶薄膜漏电、击穿以及温度特性。结果表明，氟掺杂钝化了非晶膜中的缺陷和悬挂键，使非晶薄膜漏电降低两个数量级，同时使击穿电压升高。掺杂非晶薄膜的漏电与温度呈指数增长，增长系数为0.0375 K^-1，击穿电压随温度线性减小，系数为0.012 V·K^-1。

关键词: 非晶硅, 薄膜, 氟掺杂, 介电常数

Abstract: We present the result of fluorine(F) doping effect on the characteristic of amorphous thin films, including leakage current, breakdown voltage and temperature characteristic. It is observed that F doping can effectively decrease thin films leakage current and increase breakdown voltage because of passivation of dangling bond and defect by fluorine. F doping thin films leakage exponential growth with temperature, the coefficient is 0.0375 K^-1, breakdown voltage linear decrease with temperature, the coefficient is 0.012 V·K^-1.

Key words: amorphous silicon, thin film, fluorine doping, dielectric constant

中图分类号:

TN34

郑若成,王印权,刘佰清,郑良晨. 氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响[J]. 电子与封装, 2020, 20(3): 030401 .

ZHENG Ruocheng, WANG Yinquan, LIU Baiqing, ZHENG Liangchen. Influence of Fluorine Doping on the Characteristic of Amorphous Silicon Thin Films[J]. Electronics & Packaging, 2020, 20(3): 030401 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

氟掺杂对非晶硅薄膜特性的影响

Influence of Fluorine Doping on the Characteristic of Amorphous Silicon Thin Films

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