一种SOILDMOS器件辐射效应仿真研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0077

电子与封装 ›› 2018, Vol. 18 ›› Issue (7): 32 -34. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0077

一种SOILDMOS器件辐射效应仿真研究

余洋，乔明

电子科技大学, 成都 610054

出版日期:2018-07-20 发布日期:2020-02-21
作者简介:余　洋（1992—），男，重庆江津人，就读于电子科技大学微固学院功率集成实验室，硕士研究生，主要从事高压功率器件等方面的研究。
基金资助:
国家自然科学基金项目(61674027)；四川省应用基础研究项目(18YYJC0482)；广东省自然科学基金项目(2016A030311022)；中央高校基本科研业务费项目(ZYGX2016J210)

Simulation of Radiation Effects for a SOI LDMOS Device

YU Yang, QIAO Ming

University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China

Online:2018-07-20 Published:2020-02-21

摘要/Abstract

摘要： 通过Sentaurus TCAD对一种SOI LDMOS进行辐射损伤模拟仿真。使用了Sentaurus TCAD仿真辐射效应适用的模型,分析了SOI LDMOS的总剂量辐射、中子辐射和瞬时剂量率辐射特性,为抗辐射的SOI LDMOS器件提供设计指导。

关键词: Sentaurus, 仿真模型, 总剂量辐射, 剂量率辐射, 中子辐射

Abstract: In this paper, the radiation damage of SOI LDMOS is simulated by Sentaurus TCAD, using the applicable models of Sentaurus TCAD for radiation effect. The total dose radiation, neutron radiation and doserate radiation of SOI LDMOS are analyzed, which guide for radiation hardened SOI LDMOS design.

Key words: Sentaurus, Simulation model, Total dose radiation, Doserate radiation, Neutron radiation

中图分类号:

TN386

余洋，乔明. 一种SOILDMOS器件辐射效应仿真研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 32 -34.

YU Yang, QIAO Ming. Simulation of Radiation Effects for a SOI LDMOS Device[J]. Electronics & Packaging, 2018, 18(7): 32 -34.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

一种SOILDMOS器件辐射效应仿真研究

Simulation of Radiation Effects for a SOI LDMOS Device

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