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铜片夹扣键合QFN功率器件封装技术
霍 炎，吴建忠
铜片夹扣键合工艺是一种替代传统引线键合中多引线或者粗引线键合的新工艺，其工艺产品本身具有一定性能优势，并且随着其技术应用的拓展，铜片夹扣键合产品结构变得多样化。针对铜片夹扣键合封装产品的结构设计以及工艺设计发展方向进行了研究，分析了铜片夹扣键合产品的性能优势，同时分析了铜片夹扣键合不同阶段产品的结构特性与发展趋势，并依据封装产品发展需求，总结出铜片夹扣键合产品结构未来的发展方向以及发展中面临的瓶颈问题，通过对其封装工艺、结构与材料分析给出对应的解决策略。
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霍 炎，吴建忠. 铜片夹扣键合QFN功率器件封装技术[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 1-6.
HUO Yan, WU Jianzhong. Assembly Technology of Copper Clip Bond QFN Power Device[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(7): 1-6.
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深入理解光学检漏:漏率计算及其他
葛秋玲，肖汉武
光学检漏OLT借助先进的数字电子全息照相干涉测量技术，可实现同步完成传统气密封装的细检漏、粗检漏过程的一项新型检漏技术。重点介绍了光学检漏漏率计算公式的推导过程，并对光学检漏测量数据的准确性、光学检漏方法的优缺点等进行了比较和讨论。
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葛秋玲，肖汉武. 深入理解光学检漏:漏率计算及其他[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 7-11.
GE Qiuling, XIAO Hanwu. Deep Understanding of Optical Leak Testing Technology：Leak Rate Calculation and the Others[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(7): 7-11.
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基于ATE的FPGA测试技术研究和应用
王 华
随着集成电路技术的高速发展，基于可编程互连资源的现场可编程门阵列（FPGA）器件的应用越来越广泛，FPGA区别于ASIC器件的重要特征是可以实现在制造后重新编程为所需的应用或功能要求。随着FPGA的规模不断扩大，对其故障检测、可靠性验证的要求也越来越高。介绍了FPGA在自动测试设备（ATE）上的测试流程，详细介绍了如何通过硬件设计和软件方法在Advantest公司V93000自动测试设备上实现最大矢量深度扩展，最后通过Virtex-4FPGA实际实施案例验证了该方案。
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王 华. 基于ATE的FPGA测试技术研究和应用[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 12-15.
WANG Hua. Research and Application of FPGA Testing Technology Based on ATE[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(7): 12-15.
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一种12位84 dB无杂散动态范围的高精度低功耗SAR ADC
谭 萍，高 博，龚 敏，赵 新，钱 正，王堋钰
由于穿戴设备的能量限制对ADC的功耗提出了更高的要求,所以在本设计的12位高精度低功耗SAR ADC中DAC部分采用VCM-Based电容开关时序来降低功耗;比较器部分通过在低精度模式和高精度模式间切换的方法来减少功耗,同时合理设计脉宽,降低工作时间,进一步降低功耗;SAR逻辑部分的时钟信号由比较器输出控制,减少不必要的功耗浪费,同时实现较高的无杂散动态范围。设计基于CSMC 0.18μm CMOS工艺,在1.8 V电源电压和10 k Sps的采样频率下,得到ADC的性能参数为:无杂散动态范围(SFDR)83.97 d B,信噪失真比(SNDR)71.92 d B,有效位数(ENOB)11.65 bit,总功耗868 n W,品质因数(FOM)28.6 f J/Conv,芯片面积472μm×199μm。
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谭 萍，高 博，龚 敏，赵 新，钱 正，王堋钰. 一种12位84 dB无杂散动态范围的高精度低功耗SAR ADC[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 16-21.
TAN Ping, GAO Bo, GONG Min, ZHAO Xin, QIAN Zheng, WANG Pengyu. A 12-bit 84 dB SFDR High-Precision Low-Power SAR ADC[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(7): 16-21.
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基于双斜坡采样的像素级时间幅度变换器
郑炯卫，唐 鹤，刘增鑫，陈科全，杨 磊，甄少伟，张 波
针对三维成像激光焦平面读出电路中传统像素级时间幅度变换器(Time-to-Amplitude Converter,TAC)在精度与动态范围之间的矛盾,提出了基于双斜坡采样的像素级TAC,在采样时间间隔内同时采样低斜率阶梯波和高斜率三角波电压值,并以阶梯波采样的电压值进行时间间隔粗量化,再以三角波采样的电压值实现时间间隔细量化。由于两个不同斜率斜坡信号分别进行了粗量化和细量化,从而在保证量化精度的同时,有效提升了动态范围。其中阶梯波采用温度计编码方式的电流舵DAC实现,保证了逻辑电路时序的单一性和阶梯波的精度。提出的TAC基于0.18μm CMOS工艺进行设计,模拟结果表明,在量化电压为11.7 m V时,量化精度达14位,最小时间分辨精度达到了500 ps,动态范围可达8μs,非常适用于以车用激光雷达为代表的高速三维成像应用。
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郑炯卫，唐 鹤，刘增鑫，陈科全，杨 磊，甄少伟，张 波. 基于双斜坡采样的像素级时间幅度变换器[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 22-27.
ZHENG Jiongwei, TANG He, LIU Zengxin, CHEN Kequan, YANG Lei, ZHEN Shaowei, ZHANG Bo. Dual Slope Sampling in-Pixel Time Amplitude Converter[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(7): 22-27.
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基于AFDX的MIB管理数据库的研究和实现
刘 宇，金 鑫，周治国
随着AFDX在航空电子的通信网络设备中被越来越多地使用,为保证AFDX网络中交换机和端系统的安全可靠,提出了基于AFDX的MIB管理数据库。结合AFDX网络的主要特点,分析了适合AFDX网络的MIB管理数据库的组织架构,定义了应用于AFDX交换机的MIB帧结构。通过对MIB管理数据库的深入分析,给出了适用于AFDX交换机的MIB设计方法,并在基于自主研发的AFDX的真实网络环境下,实现了AFDX网络的数据管理。
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刘 宇，金 鑫，周治国. 基于AFDX的MIB管理数据库的研究和实现[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 28-31.
LIU Yu, JIN Xin, ZHOU Zhiguo. The Analysis and Implementation of MIB Based on AFDX[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(7): 28-31.
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一种SOILDMOS器件辐射效应仿真研究
余 洋，乔 明
通过Sentaurus TCAD对一种SOI LDMOS进行辐射损伤模拟仿真。使用了Sentaurus TCAD仿真辐射效应适用的模型,分析了SOI LDMOS的总剂量辐射、中子辐射和瞬时剂量率辐射特性,为抗辐射的SOI LDMOS器件提供设计指导。
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余 洋，乔 明. 一种SOILDMOS器件辐射效应仿真研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 32-34.
YU Yang, QIAO Ming. Simulation of Radiation Effects for a SOI LDMOS Device[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(7): 32-34.
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一种基于光敏BCB技术的兰格耦合器制备工艺研究
梁广华，贾世旺，赵 飞，韩 威，徐亚新，庄治学，陈 雨，刘晓兰，何 超
根据介质隔离兰格耦合器的结构特点,设计了基于BCB介质桥的兰格耦合器的加工工艺流程。通过对工艺流程中的关键技术和重要影响因素进行分析,得到了加工过程中的工艺参数。按此工艺参数进行加工,得到兰格耦合器样件,与空气桥兰格耦合器相比,在保证电性能的基础上提高了组装的可靠性。
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梁广华，贾世旺，赵 飞，韩 威，徐亚新，庄治学，陈 雨，刘晓兰，何 超. 一种基于光敏BCB技术的兰格耦合器制备工艺研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 35-38.
LIANG Guanghua, JIA Shiwang, ZHAO Fei, HAN Wei, XU Yaxin, ZHUANG Zhixue, CHEN Yu, LIU Xiaolan, HE Chao. Research on Fabricated Process of Langer Coupler Based on Photosensitive BCB[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(7): 35-38.
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LTCC智能生产线关键技术研究
杜 彬，李姗泽
随着制造业的不断发展,现有的生产力越来越无法满足人类的发展需求,人们因此提出了工业4.0的概念。基于LTCC智能生产线的建立,指出了生产线工艺与设备的关键技术,并在工艺的研究与设备的调试过程中提出了适应生产线的工艺与技术。目前该LTCC智能生产线已能够稳定运行,实现了减少人工成本、降低人工操作造成的材料损失等目标。
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杜 彬，李姗泽. LTCC智能生产线关键技术研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 39-41.
DU Bin, LI Shanze. The Research of the Key Technology on Intelligent Manufacturing of LTCC[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(7): 39-41.
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S波段宽带大功率内匹配器件设计
徐永刚，李 飞，钟世昌
针对S波段宽带大功率内匹配功率放大器,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作。管芯的输入输出阻抗通过负载牵引及模型技术提取,宽带功率分配器及合成器电路采用二项式多节阻抗匹配变换器实现。内匹配器件测试结果表明,在输入连续波信号和28 V漏极工作电压条件下,器件在2.0~4.0 GHz带内实现大于100 W的输出功率和大于45%的漏极效率,其中最高输出功率和最大漏极效率分别达到150W和65%,带内功率增益大于9d B,功率起伏小于1.8d B。
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徐永刚，李 飞，钟世昌. S波段宽带大功率内匹配器件设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 42-44.
XU Yonggang, LI Fei, ZHONG Shichang. Design of S-band Broadband High Power Internally Matched Device[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(7): 42-44.
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MOS栅控晶闸管在超高di/dt应用中的失效分析
刘亚伟，陈万军
MOS栅控晶闸管(MCT)以其极低的导通压降、简单的栅极驱动电路被广泛应用于脉冲领域。但在超高di/dt条件下进行脉冲放电时,MCT极易因栅氧化层损坏而发生失效。针对MCT在超高di/dt脉冲放电过程中存在的栅极失效问题进行研究,通过仿真和实验分析了di/dt较大的条件下,阴极电感对栅极和阴极之间电势差的影响。研究表明,MCT阴极电感不仅会影响脉冲放电回路的电流峰值及di/dt,还会造成器件阴极电势震荡,使栅极与阴极之间产生极高的电势差,进而造成栅氧化层因过压而损坏。通过分析器件失效机理,建立了脉冲放电过程中栅极与阴极电势差的数学模型。基于该模型,通过减小阴极电感及适当增大栅极串联电阻的方式提高了MCT在脉冲放电过程中的可靠性。
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刘亚伟，陈万军. MOS栅控晶闸管在超高di/dt应用中的失效分析[J]. 电子与封装, 2018, 18(7): 45-48.
LIU Yawei, CHEN Wanjun. Failure Analysis of MOS-Controlled Thyristor in Ultra-high Di/Dt Application[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(7): 45-48.
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