40 nm工艺SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0148

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (12): 42 -44. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0148

40 nm工艺SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究

徐玉婷¹，孙静¹，郭俊杰²，闫华¹

1.无锡中微亿芯有限公司，江苏无锡 214072；2.中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214072

收稿日期:2017-09-13 出版日期:2017-12-20 发布日期:2017-12-20
作者简介:徐玉婷（1983—），女，江西南昌人，硕士，工程师，研究方向为千万门级FPGA设计。

Total Ionizing Dose Radiation Effects Test and Research of SRAM Type FPGA Based on 40 nm Process

XU Yuting¹,SUN Jing¹,GUO Junjie²,YAN Hua¹

1.East Technologies,inc.Wuxi 214072,China；2.China Electronic Technology Group No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China

Received:2017-09-13 Online:2017-12-20 Published:2017-12-20

摘要/Abstract

摘要： 对自主研发的40 nm工艺SRAM型FPGA电路的抗总剂量辐射能力进行摸底试验和分析。试验表明，采用普通商用40 nm工艺未做加固的FPGA电路抗总剂量辐射能力可达100 krad(Si)，说明普通商用40 nm工艺本身具有一定的抗总剂量性能。同时验证了总剂量辐射引起的器件参数退化随栅氧化层厚度的减薄而下降。

关键词: 40 nmcFPGA, 总剂量辐射, 试验

Abstract: The paper presents a research and test of total ionizing dose radiation effects of FPGA circuit based on 40 nm process.In our experiment,as the radiation total does rises to 100 krad(Si),the parameter and the function of unhardened device are normal after radiation.Experiment results prove that 40 nm CMOS transistors take ability to withstand TID by itself.It also verifies that device parameter degradation descends as the decrease ofthe oxide gate.

Key words: 40nm, FPGA, TID, test

中图分类号:

TN406

徐玉婷¹，孙静¹，郭俊杰²，闫华¹. 40 nm工艺SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究[J]. 电子与封装, 2017, 17(12): 42 -44.

XU Yuting¹,SUN Jing¹,GUO Junjie²,YAN Hua¹. Total Ionizing Dose Radiation Effects Test and Research of SRAM Type FPGA Based on 40 nm Process[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(12): 42 -44.

[1]	马明阳,曹森,杨振涛,张世平,欧彪. 金属盖板镀层形貌对平行缝焊器件抗盐雾性能的影响[J]. 电子与封装, 2024, 24(4): 40206-.
[2]	张永华,曲芳,何浒澄. 国产电容器的质量评价方法[J]. 电子与封装, 2024, 24(3): 30202-.
[3]	张俊,程佳,林子群,徐延伸. 光伏二极管应用可靠性建模与评价研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(9): 90405-.
[4]	王小钰;张茹;李海新. DBC铜线键合工艺参数研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(6): 60205-.
[5]	王磊;金祖伟;吴士娟;聂要要;钱晶晶;曹纯红. SiP封装的焊点形态对残余应力与翘曲的影响[J]. 电子与封装, 2023, 23(4): 40203-.
[6]	陶伟;刘国柱;宋思德;魏轶聃;赵伟. 辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(7): 70405-.
[7]	晏慧强;黄晓彬;谢文虎. FPGA刷新控制电路测试方法的研究[J]. 电子与封装, 2022, 22(11): 110203-.
[8]	曹玉翠, 李泽田, 胡林江, 张峰. 基于加速寿命试验的磁耦隔离器耐压寿命评价方法[J]. 电子与封装, 2022, 22(10): 100403-.
[9]	李庆. 微波组件裸芯片开裂的机理分析[J]. 电子与封装, 2022, 22(1): 10207-.
[10]	宋培帅;何昱蓉;魏江涛;杨亮亮;韩国威;王晓东;杨富华. 三维封装TSV结构热失效性分析[J]. 电子与封装, 2021, 21(9): 90201-.
[11]	张玉佩;张茹;戎光荣. 功率器件引线键合参数研究[J]. 电子与封装, 2021, 21(7): 70202-.
[12]	马阔,乔明,周锌,王卓. 高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(6): 60403-.
[13]	罗宁，陈精一，许庭生. 具有周边硅通孔的晶圆级芯片封装有限元分析[J]. 电子与封装, 2020, 20(4): 40202-.
[14]	丁荣峥,蒋玉齐,吕栋,仝良玉. 陶瓷封装恒定加速度试验的分析与改进[J]. 电子与封装, 2020, 20(3): 30201-.
[15]	吴素贞;徐政;徐海铭;宋思德;谢儒彬;洪根深;吴建伟;贺琪. MIS型GaN HEMT器件的X-ray辐射总剂量效应研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(12): 120403-.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

40 nm工艺SRAM型FPGA总剂量辐射效应研究

Total Ionizing Dose Radiation Effects Test and Research of SRAM Type FPGA Based on 40 nm Process

RichHTML

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 15

编辑推荐

Metrics

本文评价