电子与封装 ›› 2020, Vol. 20 ›› Issue (2): 020303 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.0209
孟辰星,黄光明,郭迪
MENG Chenxing, HUANG Guangming, GUO Di
摘要: 介绍了一种基于GSMC 130 nm CMOS工艺的高速率低功耗10:1并串转换芯片。在核心并串转换部分,该芯片使用了多相结构和树型结构相结合的方式,在输入半速率时钟的条件下,实现了10路500 Mbit/s并行数据到1路5 Gbit/s串行数据的转换。全芯片完整后仿真结果显示,在工作电压(1.2±10%) V、温度-55~100 ℃、全工艺角条件下,该芯片均可正确完成10:1并串转换逻辑功能,并输出清晰干净的5 Gbit/s眼图。在典型条件下,芯片整体功耗为25.2 mW,输出电压摆幅可达到260 mV。
中图分类号: