摘要： 在SiC功率模块的封装中，银烧结技术被认为是连接芯片到基板最为合适的技术。裸铜表面无压银烧结技术无需在芯片表面施加压力，降低芯片损伤风险；基板铜层无需贵金属镀层，提高了烧结层的可靠性，降低了材料成本。对裸铜表面无压银烧结技术展开研究，对于6.3 mm×6.3 mm及以下面积的芯片得到了空洞情况良好的烧结层。对影响烧结层空洞率的因素进行了研究，分析了芯片面积、烧结温度曲线、抽真空步骤和贴片质量对烧结层空洞率的影响。
中图分类号:
李聪成1,2，滕鹤松1,2，王玉林1,2，徐文辉1,2，牛立刚1,2，彭 浩1,2. 无压惰性气氛银烧结层空洞率影响因素研究*[J]. 电子与封装, 2017, 17(11):
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