用248 nm光刻机制作150 nm GaAs PHEMT器件性能及可靠性评估

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0098

电子与封装 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (8): 44 -48. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0098

• 微电子制造与可靠性 • 上一篇

用248 nm光刻机制作150 nm GaAs PHEMT器件性能及可靠性评估

郭　啸，章军云，林　罡

南京电子器件研究所，南京 210016

收稿日期:2016-04-28 出版日期:2016-08-20 发布日期:2016-08-20
作者简介:郭　啸（1990—），男，安徽滁州人，2013年毕业于东南大学电子科学与技术专业，获学士学位，南京电子器件研究所在读研究生，研究方向为微波毫米波功率器件。

The Performance Test and Reliability Evaluation of 150 nm GaAs PHEMT Based on the 248 nm Stepper

GUO Xiao，ZHANG Junyun，LIN Gang

Nanjing Electronic Devices Institute，Nanjing 210016，China

Received:2016-04-28 Online:2016-08-20 Published:2016-08-20

摘要/Abstract

摘要： 介绍了基于光刻机的150 nm T型栅GaAs PHEMT工艺，其中重点介绍了使用的shrink关键工艺步骤。利用新工艺在某100 mm GaAs工艺线上进行流片，并通过直流测试、loadpull测试、微波小信号测试以及环境试验、极限电压测试、高温步进试验，获得新工艺下制作的GaAs PHEMT的各项性能指标及可靠性。最后制作得到的器件在性能和通过直接光刻得到的PHEMT在性能和可靠性上基本在一个水平上，但是想要通过shrink工艺得到线宽更细的栅长需要进一步努力。

关键词: 砷化镓, 赝配高电子迁移率晶体管, 可靠性, T型栅

Abstract: The paper introduces the process of 150 nm T-shaped gate GaAs PHEMT and highlights key steps including shrink technology.The GaAs PHEMT is taped out in 100 mm GaAs process.The GaAs PHEMT goes through the DC measurement，loadpull measurement，microwave small signal measurement and environmental test，limit voltage measurement and high temperature step test and obtain the performance parameters and reliability.The performance and reliability of the device obtained by the developed process are similar with the ones obtained by direct lithography.The fabrication of thinner gate length through the shrink process is still a long way to go.

Key words: GaAs, PHEMT, reliability, T-shaped Gate

中图分类号:

TN386
TN43

郭　啸，章军云，林　罡. 用248 nm光刻机制作150 nm GaAs PHEMT器件性能及可靠性评估[J]. 电子与封装, 2016, 16(8): 44 -48.

GUO Xiao，ZHANG Junyun，LIN Gang. The Performance Test and Reliability Evaluation of 150 nm GaAs PHEMT Based on the 248 nm Stepper[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(8): 44 -48.

[1]	王亚男;张洪伟;王文炎;常明超. 一种蝶形封装多路光收发模块可靠性评价与应用研究[J]. 电子与封装, 2024, 24(8): 80204-.
[2]	史兴强,刘梦影,王芬芬,陆皆晟,陈红. 一种基于汉明码纠错的高可靠存储系统设计[J]. 电子与封装, 2024, 24(7): 70301-.
[3]	吴鲁超,陆宇青,王珺. 硅通孔3D互连热-力可靠性的研究与展望^*[J]. 电子与封装, 2024, 24(6): 60103-.
[4]	武荣荣,梅亮,任翔,曹阳,庞明奇,刘净月. 首次选用的典型裸芯片应用可靠性评价方法[J]. 电子与封装, 2024, 24(5): 50204-.
[5]	徐达,戎子龙,杨彦锋,魏少伟,马紫成. 基于ENEPIG镀层的无压纳米银膏烧结失效分析[J]. 电子与封装, 2024, 24(4): 40204-.
[6]	曹玉翠,刘钊,汪小勇,李泽宇. 车规电子零缺陷质量管理在航天领域的启发与推广[J]. 电子与封装, 2024, 24(4): 40502-.
[7]	张永华,曲芳,何浒澄. 国产电容器的质量评价方法[J]. 电子与封装, 2024, 24(3): 30202-.
[8]	梁梦楠,陈志强,张国杰,姚昕,李轶楠,张爱兵. 有机封装基板界面处理工艺对结合强度与可靠性的影响[J]. 电子与封装, 2024, 24(2): 20105-.
[9]	田文超;谢昊伦;陈源明;赵静榕;张国光. 人工智能芯片先进封装技术[J]. 电子与封装, 2024, 24(1): 10204-.
[10]	张俊,程佳,林子群,徐延伸. 光伏二极管应用可靠性建模与评价研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(9): 90405-.
[11]	王刘珏, 顾林, 郑利华, 李居强. 纳米银焊膏贴装片式电阻的可靠性研究^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(8): 80204-.
[12]	陈婷, 周伟洁, 王涛. 微波等离子处理对导电胶可靠性的影响[J]. 电子与封装, 2023, 23(8): 80206-.
[13]	沈丹丹. 先进封装中凸点技术的研究进展[J]. 电子与封装, 2023, 23(6): 60208-.
[14]	李嘉威;吴楚彬;王超;孙杰杰;杨霄垒;赵桂林. 应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计[J]. 电子与封装, 2023, 23(4): 40306-.
[15]	申九林, 马书英, 郑凤霞, 王姣, 魏浩. 基于硅基扇出（eSiFO^®）技术的先进指纹传感器晶圆级封装工艺开发[J]. 电子与封装, 2023, 23(3): 30111-.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

用248 nm光刻机制作150 nm GaAs PHEMT器件性能及可靠性评估

The Performance Test and Reliability Evaluation of 150 nm GaAs PHEMT Based on the 248 nm Stepper

RichHTML

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 15

编辑推荐

Metrics

本文评价