AuSn20焊料在集成电路密封中形成空洞的研究*

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0513

电子与封装 ›› 2021, Vol. 21 ›› Issue (5): 050206 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0513

AuSn20焊料在集成电路密封中形成空洞的研究^*

马艳艳¹;赵鹤然¹;田爱民¹;康敏¹;李莉莹²;曹丽华³

1. 中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳　110032；2. 沈阳农业大学信息与电气工程学院，沈阳　110866；3.中国科学院金属研究所，沈阳　110016

收稿日期:2020-10-17 出版日期:2021-05-18 发布日期:2020-12-28
作者简介:马艳艳(1988—)，女，内蒙古人，硕士研究生，工程师，主要研究方向为微系统技术与可靠性；

Voids inAuSn20 Solder During the Integrated Circuit Sealing Process

MA Yanyan¹, ZHAO Heran¹, TIAN Aimin¹, KANG Min¹, LI Liying², CAO Lihua³

1. The 47th Institute of China Electronics Technology Group Corporation, Shenyang 110032, China;

Received:2020-10-17 Online:2021-05-18 Published:2020-12-28

摘要/Abstract

摘要： 高可靠集成电路多采用AuSn20焊料完成密封，在熔焊过程中焊缝区域往往产生密封空洞，这对电路的气密性和盖板焊接强度产生影响，从而造成可靠性隐患。介绍了AuSn20密封陶瓷外壳的过程，阐述了两种从不同方向制样和观察密封空洞的方法，列举了环状空洞、扇形空洞、气泡状空洞等几种典型空洞，并阐述了这几种空洞的微观形貌、形成机理及抑制措施。

关键词: 密封, 空洞, 金锡合金, 焊料

Abstract: For highly reliable integrated circuits, AuSn20 solder is often used to complete the sealing. Sealing voids are often generated in the weld area during the fusion welding process, which affects the air tightness of the circuit and the welding strength of the cover plate, thereby causing reliability risks. AuSn20 sealing is introduced. The process of the ceramic shell expounds two methods of sample preparation and observation of sealing voids from different directions. Several typical voids such as ring voids, fan-shaped voids and bubble-like voids are listed, and the microscopic appearance formation mechanism and suppression measures of these voids are explained.

Key words: sealing, void, gold-tinalloy, solder

中图分类号:

TN305.94

马艳艳;赵鹤然;田爱民;康敏;李莉莹;曹丽华. AuSn20焊料在集成电路密封中形成空洞的研究^*[J]. 电子与封装, 2021, 21(5): 050206 .

MA Yanyan, ZHAO Heran, TIAN Aimin, KANG Min, LI Liying, CAO Lihua. Voids inAuSn20 Solder During the Integrated Circuit Sealing Process[J]. Electronics & Packaging, 2021, 21(5): 050206 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

AuSn20焊料在集成电路密封中形成空洞的研究^*

Voids inAuSn20 Solder During the Integrated Circuit Sealing Process

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