本期封面报道单位 哈尔滨工业大学材料结构精密焊接与连接全国重点实验室
封面文章 面向高密度互连的混合键合技术研究进展
中文引用格式：白玉斐,戚晓芸,牛帆帆,康秋实,杨佳,王晨曦. 面向高密度互连的混合键合技术研究进展[J]. 电子与封装, 2025, 25(5): 050102 .
数字经济时代，随着人工智能、高性能计算、自动驾驶等新兴产业的迅猛发展对算力的需求呈现指数级增长，传统芯片制造技术面临双重挑战：先进制程逼近物理极限导致摩尔定律失效，以及引线键合等传统封装技术难以支撑高带宽、低功耗的互连需求。在此背景下，三维集成技术作为一种革命性的解决方案应运而生，三维集成技术通过将半导体单元在垂直方向上进行堆叠，极大地缩短了互连长度，减小了噪声并有效提高了芯片功能密度。
混合键合作为三维集成技术的关键方向，适用于镶嵌图形的金属/介电材料晶圆，可在同一界面上同时实现电学互连的金属键合和提高机械强度的介电材料（聚合物、氧化物）键合，进而实现无凸点高密度互连。与传统键合技术相比，混合键合不仅能够实现亚微米甚至纳米级的互连间距，还显著降低了信号延迟与功耗，提升了芯片的带宽与容量，为高性能芯片的实现提供了关键支持，成为后摩尔时代突破算力瓶颈的关键技术路径。
哈尔滨工业大学王晨曦教授团队撰写的《面向高密度互连的混合键合技术研究进展》系统介绍了面向高密度互连的混合键合技术，重点总结了其所采用的新型金属钝化层等关键材料以及核心工艺，深入论述了混合键合技术在高带宽内存等领域的应用现状及发展趋势，希望能帮助读者更好地理解混合键合技术，为先进封装技术的持续创新与发展提供参考与思路。
