电子与封装

2019年第19卷第7期 pp.01 -3

王祥邦，刘敬勇，李勇. 基于晶圆级封装技术的声表面波滤波器[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 1-3.

WANG Xiangbang，LIU Jingyong，LI Yong. Surface Acoustic Wave Filters Based on Wafer Level Chip Scale Package[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(7): 1-3.

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高机械冲击应力下集成电路金属封装一种失效模式分析

张君利，苏杨，李波，刘海亮

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0702

摘要 ( 160 )

HTML ( 7 )

PDF(1592KB) ( 220 )

对某集成电路在高机械冲击过载（冲击加速度为8000g～10000g、冲击脉冲宽度为2.5 ms）时出现的金属封装引脚失效进行了分析。采用Proe软件建模和ANSYS结构力学软件对失效机理进行了仿真验证。根据失效机理，优化了环氧灌封工艺方法，使集成电路与其安装PCB及结构框架达到良好的一体化结构，解决了失效问题。

参考文献 |

2019年第19卷第7期 pp.04 -6

张君利，苏杨，李波，刘海亮. 高机械冲击应力下集成电路金属封装一种失效模式分析[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 4-6.

ZHANGJunli,SU Yang,LIBo,LIU Hailiang. An Failure Mode Analysis of IC Metal Package Under High Mechanical Shock Stress[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(7): 4-6.

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微波产品焊点典型失效模式可靠性研究

李泊

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0703

摘要 ( 150 )

HTML ( 10 )

PDF(2115KB) ( 298 )

微波元器件引线和基板的互连方式较多，为了保证产品性能，最理想的方式是将其引线直接与基板搭焊，但这种方式仅靠焊料和引线的形变来释放应力，有一定的局限性，因此常常出现焊点开裂失效的问题。为了评估微波产品焊点释放应力的能力，介绍了在微波产品中典型的三种高热应力焊点失效模式，分析了焊点开裂的机理。使用ANSYS软件对其应力进行了仿真，结合焊点位移量及其所带来的焊点剪切应变来评估焊点热疲劳寿命，并验证了这些方法的可行性和实用性，最后提出了高应力焊点相应的工艺设计优化措施，对提高焊点可靠性具有重要的指导作用。

参考文献 |

2019年第19卷第7期 pp.07 -12

李泊. 微波产品焊点典型失效模式可靠性研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 7-12.

LI Bo. Reliability Study on Typical Failure Modes of Solder Joints about Microwave Products[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(7): 7-12.

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基于自动测试仪的阻抗测试方法

杨婷，崔海龙

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0704

摘要 ( 142 )

HTML ( 7 )

PDF(764KB) ( 105 )

在高速集成电路测试中，阻抗不连续会影响集成电路信号传输的特性。介绍了一种利用自动测试仪实现阻抗测试的方法，首先介绍传输线理论并说明阻抗产生的原理，结合电路仿真确定阻抗测试方案，利用自动测试仪产生阶跃信号，并检测反射信号的波形得到传输线的阻抗特性，从而为集成电路测试提供有效的分析依据。

参考文献 |

2019年第19卷第7期 pp.013 -15

杨婷，崔海龙. 基于自动测试仪的阻抗测试方法[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 13-15.

YANG Ting,CUI Hailong. Test Method of Impedance Based on Automatic Tester[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(7): 13-15.

电路设计

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一款10位逐次逼近型模数转换器设计

车来晟，唐鹤，高昂，牛胜普

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0705

摘要 ( 279 )

HTML ( 4 )

PDF(1812KB) ( 153 )

基于0.18μm CMOS工艺设计一款10位逐次逼近型模数转换器（SARADC），采用了阻容混合型的数模转换器（DAC）以实现面积与性能上的折衷，高位采用温度码设计以提高DAC的线性度。采用了失调电压较小的静态比较器结构，通过在DAC和比较器之间加入了高增益的前置放大器来消除比较器失调电压对ADC性能所带来的影响。仿真结果表明：在电源电压为2.8 V、采样速率为116 kS/s、输入信号频率约为57 kHz、满摆幅为0.8 V的情况下，ADC有效位数（ENOB）达9.99位，信噪失真比（SNDR）为61.9dB，无杂散动态范围（SFDR）为75.57dB，总功耗约为1mW，面积为0.069 mm²。

参考文献 |

2019年第19卷第7期 pp.016 -19

车来晟，唐鹤，高昂，牛胜普. 一款10位逐次逼近型模数转换器设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 16-19.

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一种带自校准的12-bit SAR-ADC设计

许卫明，张金萍，刘俐，庄志伟

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0706

摘要 ( 163 )

HTML ( 6 )

PDF(920KB) ( 169 )

参考文献 |

2019年第19卷第7期 pp.020 -23

许卫明，张金萍，刘俐，庄志伟. 一种带自校准的12-bit SAR-ADC设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 20-23.

XU Weiming，ZHANG Jinping，LIU Li，ZHUANG Zhiwei. A Design of Self-Calibration 12-bit SAR-ADC[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(7): 20-23.

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一种空间固态配电保护电路的厚膜化设计与实现

倪春晓，苏筱，赵国清

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0707

摘要 ( 108 )

HTML ( 4 )

PDF(1530KB) ( 76 )

参考文献 |

2019年第19卷第7期 pp.024 -28

倪春晓，苏筱，赵国清. 一种空间固态配电保护电路的厚膜化设计与实现[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 24-28.

NIChunxiao，SU Xiao，ZHAOGuoqing. Thick Film Design and Implementation of a Space Solid State Power Distribution Protection Circuit[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(7): 24-28.

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基于转速估计的永磁同步电机MTPA控制

支强，尧骏，张晓飞

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0708

摘要 ( 172 )

HTML ( 4 )

PDF(888KB) ( 100 )

参考文献 |

2019年第19卷第7期 pp.029 -32

支强，尧骏，张晓飞. 基于转速估计的永磁同步电机MTPA控制[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 29-32.

ZHI Qiang,YAO Jun,ZHANG Xiaofei. MTPA Control for Permanent Magnet Synchronous Motor Based on Rotation Speed Estimation[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(7): 29-32.

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基于环形振荡器的物理不可克隆函数的设计与验证

胡鹏，魏江杰，周昱，张荣，魏敬和

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0709

摘要 ( 161 )

HTML ( 9 )

PDF(1081KB) ( 176 )

为了验证物理不可克隆函数（Physical Unclonable Function,PUF）的有效性，试验必须针对大量芯片的微延迟特性进行建模。尽管仿真的方式能够提供近似的结果，但通过片上试验能获得更加精确的结果。借助FPGA工具制造硬宏，在多块同型号FPGA上分析了基于环形振荡器（Ring Oscillator,RO）的物理不可克隆函数。其核心步骤是通过对相邻RO的振荡频率计数后相互比较，得到1024比特长度的响应输出。在多次试验测试后，得到了片内和片间汉明距，并作为PUF性能的指标参数——唯一性、可靠性。结果表明，常温下的平均唯一性为48.01%，平均可靠性为1.75%。

参考文献 |

2019年第19卷第7期 pp.033 -36

胡鹏，魏江杰，周昱，张荣，魏敬和. 基于环形振荡器的物理不可克隆函数的设计与验证[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 33-36.

HU Peng,WEI Jiangjie,ZHOU Yu,ZHANG Rong,WEI Jinghe. Design and Verification of RO-based PUF on FPGA[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(7): 33-36.

微电子制造与可靠性

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GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究

高渊

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0710

摘要 ( 142 )

HTML ( 6 )

PDF(2402KB) ( 187 )

通孔刻蚀是GaAs制造工艺的重要环节，通过通孔刻蚀工艺实现GaAs背面和正面金属导通互连。在通孔刻蚀工艺中，微掩模的形成对器件性能及可靠性产生不利影响。微掩模将阻碍GaAs刻蚀，形成柱状堵孔以及侧壁聚合物等，造成后续背面金属接触不良、粘附不牢，进而影响通孔接触电阻、电感等关键参数，最终影响器件性能及可靠性。分析了GaAs微掩模形成的主要原因和形成机理，通过工艺优化解决了通孔刻蚀堵孔及侧壁聚合物等问题，从而提高了器件性能及可靠性。

参考文献 |

2019年第19卷第7期 pp.037 -39

高渊. GaAs通孔刻蚀微掩模形成机理研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 37-39.

GAOYuan. The Research of Micro Mask Formation Mechanism in GaAs Via Etching Process[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(7): 37-39.

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高频双极晶体管工艺特性研究

赵圣哲，张立荣，宋磊

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0711

摘要 ( 146 )

HTML ( 10 )

PDF(2543KB) ( 128 )

高频双极晶体管由于具有高频、电流放大等特性，已广泛应用到放大器电路、电动机、高频雷达、航空航天工程等领域。对目前典型的高频双极晶体管制作工艺进行了分析与探讨，重点研究了制作工艺中的难点，包括集电极深N阱工艺、多晶硅刻蚀工艺、多晶硅发射极工艺。设计并试制了工程样品，对于关键工艺对器件结构及参数的影响进行了详细的研究，可为实际的生产制造提供理论指导。

参考文献 |

2019年第19卷第7期 pp.040 -44

赵圣哲，张立荣，宋磊. 高频双极晶体管工艺特性研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(7): 40-44.

ZHAO Shengzhe,ZHANG Lirong,SONG Lei. Process Characteristics Research of High Frequency Bipolar Transistors[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(7): 40-44.

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基于GaN HEMT的S波段大功率内匹配功放管设计

陈晓青，戈硕，时晓航

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0712

摘要 ( 203 )

HTML ( 7 )

PDF(1947KB) ( 128 )

采用GaN HEMT功率芯片研制了一款应用在S波段的宽频段、大功率、高效率的功率放大器。通过load-pull技术牵引得出GaN管芯在此频段的输入阻抗和输出阻抗。在设计过程中，采用多节阻抗匹配变换器实现了宽带的功率分配和合成。此款内匹配功率管最终实现了如下性能指标：工作脉宽100μs，在400 MHz的工作带宽下脉冲输出功率大于800 W，漏极效率大于60%。

参考文献 |