抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0010

电子与封装 ›› 2019, Vol. 19 ›› Issue (1): 041 -43. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0010

抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究

徐海铭，洪根深，吴建伟，徐政，刘国柱

中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214072

收稿日期:2018-11-23 出版日期:2019-01-21 发布日期:2019-01-21
作者简介:徐海铭（1983—），男，山东青岛人，高级工程师，毕业于江南大学微电子与固体电子学专业，现就职于中国电子科技集团公司第五十八研究所，主要从事抗辐射高压SOI工艺和MTM反熔丝工艺开发等工作。

Investigation of the Total Ionizing Dose Effects in SOI High Voltage Devices

XU Haiming,HONG Genshen,WU Jianwei,XU Zheng,LIU Guozhu

China Electronic Technology Group Corporation No.58 Institute,Wuxi 214072,China

Received:2018-11-23 Online:2019-01-21 Published:2019-01-21

摘要/Abstract

摘要： 研究了抗辐射高压SOI埋氧总剂量加固技术，发现在总剂量辐射条件下不同埋氧加固工艺背栅阈值变化的情况。通过增加埋氧加固技术可以有效地抑制总剂量辐射环境下对高压器件的调制效应。

关键词: 埋氧, 总剂量, 加固

Abstract: The paper studiesthe buriedoxide radiationeffect in SOI high voltage devices and the corresponding radiation hardened process methods.The irradiation test data show the relationship between the back gate threshold voltage shift and the different buried oxide radiation hardened process.The robustness of the high voltage component of SOI technique will be enhanced with the addition of buried oxide radiation hardened process.

Key words: buried oxide, total ion dose, radiation hardened

中图分类号:

TN306

徐海铭，洪根深，吴建伟，徐政，刘国柱. 抗辐射高压SOI埋氧总剂量效应研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(1): 041 -43.

XU Haiming,HONG Genshen,WU Jianwei,XU Zheng,LIU Guozhu. Investigation of the Total Ionizing Dose Effects in SOI High Voltage Devices[J]. Electronics & Packaging, 2019, 19(1): 041 -43.

[1]	廖远宝,谢雅晴. 一种抗辐射Trench型N 30 V MOSFET器件设计[J]. 电子与封装, 2024, 24(5): 50401-.
[2]	朱峻岩;张优;王鹏;黄伟;张卫;邱一武;周昕杰. GaN器件辐照效应与LDO电路的单粒子敏感点协同设计研究^*[J]. 电子与封装, 2024, 24(1): 10404-.
[3]	蒋红利, 江月艳, 孙志欣, 邵卓, 钟涛, 高欣宇. 一种高压驱动器的抗辐射加固设计[J]. 电子与封装, 2023, 23(8): 80303-.
[4]	徐政;郑若成;吴素贞;徐海铭;廖远宝;唐新宇. 基于衬底材料优化的抗辐射功率器件SEB加固技术[J]. 电子与封装, 2023, 23(4): 40402-.
[5]	张国光;田文超;刘美君;从昀昊;陈思;王永坤. 铜带缠绕型CCGA的加固工艺参数优化^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(2): 20203-.
[6]	徐海铭, 汪敏. 30 V SGT N-Channel MOSFET总剂量效应研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(11): 110402-.
[7]	陶伟;刘国柱;宋思德;魏轶聃;赵伟. 辐照源对LVMOS器件总剂量辐射电离特性的影响^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(7): 70405-.
[8]	邹文英;高丽;谢雨蒙;周昕杰;郭刚. 一款深亚微米抗辐照芯片的设计与实现[J]. 电子与封装, 2022, 22(7): 70304-.
[9]	赵晓松;顾祥;张庆东;吴建伟;洪根深. 全耗尽绝缘层上硅技术及生态环境简介[J]. 电子与封装, 2022, 22(6): 60501-.
[10]	马艺珂;汪逸垚;姚进;花正勇;殷亚楠;周昕杰;颜元凯. 一种抗辐射LVDS驱动电路IP设计^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(2): 20306-.
[11]	姚进, 周晓彬, 左玲玲, 周昕杰. 基于0.18 μm CMOS加固工艺的抗辐射设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(1): 10401-0.
[12]	马红跃，方健，雷一博，黎明，卜宁，张波. 一种总剂量辐照加固的双栅LDMOS器件[J]. 电子与封装, 2021, 21(8): 80401-.
[13]	唐常钦, 王多为, 龚敏, 马瑶, 杨治美. SiC MOSFET伽马辐照效应及静态温度特性研究[J]. 电子与封装, 2021, 21(8): 80402-.
[14]	孙洁朋, 陈波寅, 晏慧强, 丛红艳, 何小飞. 基于FPGA定时刷新控制单元的应用技术研究[J]. 电子与封装, 2021, 21(1): 10301-.
[15]	马阔,乔明,周锌,王卓. 高压SOI pLDMOS器件电离辐射总剂量效应研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(6): 60403-.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Investigation of the Total Ionizing Dose Effects in SOI High Voltage Devices

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