摘要: 设计了一种工作在亚阈值区无运放结构的CMOS带隙基准电压电路。通过使用线性区工作的MOS管取代传统电阻,使电路工作在亚阈值区,结合无运放设计,极大地降低了功耗。采用0.35μm CMOS工艺,在室温27℃、工作电压3 V的条件下进行仿真,输出基准电压1.2086 V,偏差在4 mV内,工作电流仅为1.595 μA,功耗仅为4.785 μW。在-50℃到120℃的温度范围内温度系数为17.3× 10-6/℃。该带隙基准电压电路具有低功耗、宽温度范围、面积小等特点。
中图分类号:
胡成煜,顾益俊,李富华. 一种低功耗带隙基准电压源的设计[J]. 电子与封装, 2017, 17(2):
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