掩模干法蚀刻参数的优化研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1013

电子与封装 ›› 2020, Vol. 20 ›› Issue (10): 100403 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2020.1013

掩模干法蚀刻参数的优化研究

华卫群;刘维维

无锡中微掩模电子有限公司，江苏无锡　214035

收稿日期:2020-06-09 发布日期:2020-07-20
作者简介:华卫群（1970—），男，江苏无锡人，本科，高级工程师，现从事微电子掩模工艺技术研究。

Optimization of Mask Dry Etching Parameters

HUA Weiqun, LIU Weiwei

Wuxi ZhongWei Mask Electronic Co. Ltd., Wuxi214035, China

Received:2020-06-09 Published:2020-07-20

摘要/Abstract

摘要： 文中主要介绍了等离子干法蚀刻工艺的原理和主要的蚀刻参数。采用正交实验的方式，对影响蚀刻速率、蚀刻均匀性以及选择比的蚀刻参数进行分析和优化，最终确定最佳工艺参数，使掩模条宽均匀性提高近3 nm。

关键词: 干法蚀刻, 掩模, 蚀刻参数, 优化

Abstract: In this paper, the principle and main etching parameters of plasma dry etching process are? introduced. The etching parameters affecting including etching rate, uniformity and selectivity are analysed and optimized by orthogonal experiments. And the CD uniformity (CDU) was improved by nearly 3 nm by using better process parameter.

Key words: dry etching, mask, etching parameter;optimize

中图分类号:

TN305.7

华卫群;刘维维. 掩模干法蚀刻参数的优化研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(10): 100403 .

HUA Weiqun, LIU Weiwei. Optimization of Mask Dry Etching Parameters[J]. Electronics & Packaging, 2020, 20(10): 100403 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Optimization of Mask Dry Etching Parameters

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