0.25 μm CMOS新型过温保护电路的设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0064

电子与封装 ›› 2018, Vol. 18 ›› Issue (6): 22 -25. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0064

0.25 μm CMOS新型过温保护电路的设计

葛兴杰¹，陆　锋^{1, 2}

1. 江南大学物联网工程学院，江苏无锡 214000；2. 中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214072

出版日期:2018-06-20 发布日期:2020-02-19
作者简介:葛兴杰（1989—），男，江苏泰州人，硕士研究生在读，主要研究方向为集成电路设计。

A Novel Thermal Protection Circuit Based on 0.25 μm CMOS Process

GE Xingjie¹, LU Feng^{1, 2}

1.College of Internet of Things, Jiangnan University, Wuxi 214000, China； 2. China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute, Wuxi 214072, China

Online:2018-06-20 Published:2020-02-19

摘要/Abstract

摘要： 采用CSMC 0.25μm工艺,设计了一种新型结构的过温保护电路,该电路利用正温系数电流电路和共源共栅电流镜产生一个高灵敏度的电压信号,通过CMOS施密特触发器产生控制信号控制芯片的通断,起到保护电路的作用。通过Spectre软件仿真验证,结果显示,在各个工艺角及电源电压波动的情况下,电路均能在芯片温度上升到165℃时关断,在芯片温度降到144℃时开启,迟滞值为21℃。

关键词: 过温保护, 新型结构, 热关断

Abstract: A new type of over-temperature protection(OTP) circuit was proposed based on 0.25 μm CMOS process. The circuit uses a positive temperature coefficient current circuit and a cascade current mirror to produce a high sensitivity voltage signal, through the Schmidt trigger control signal generated by the control chip on and off, play the role of protection circuit. The results show that, at different process corners and various supply voltages, the circuit can shut down when the temperature of the chip rise to 165℃ and re-open when the temperature drops to 144℃, the hysteresis is 21℃.

Key words: over temperature protection, new type, thermal shutdown

中图分类号:

TN402

葛兴杰, 陆　锋. 0.25 μm CMOS新型过温保护电路的设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 22 -25.

GE Xingjie, LU Feng. A Novel Thermal Protection Circuit Based on 0.25 μm CMOS Process[J]. Electronics & Packaging, 2018, 18(6): 22 -25.

[1]	史兴强,刘梦影,王芬芬,陆皆晟,陈红. 一种基于汉明码纠错的高可靠存储系统设计[J]. 电子与封装, 2024, 24(7): 70301-.
[2]	陈泓全,齐钊,王卓,赵菲,乔明. 内嵌NPN结构的高维持电压可控硅器件^*[J]. 电子与封装, 2024, 24(7): 70401-.
[3]	谌民迪,万江华. 基于泰勒级数近似的浮点开方运算器的设计[J]. 电子与封装, 2024, 24(5): 50301-.
[4]	林健,姜黎. 基于时钟的低功耗动态管理方法研究[J]. 电子与封装, 2024, 24(5): 50303-.
[5]	李卿,段辉鹏,惠锋. 国产FPGA高速串行接口误码率测试软件设计[J]. 电子与封装, 2024, 24(5): 50304-.
[6]	华佳强,李野. 一种应用于DDR的低抖动锁相环设计[J]. 电子与封装, 2024, 24(5): 50305-.
[7]	叶胜衣,宋刚杰,张诚. 基于FPGA与AD/DA的JESD204B协议通信与控制模块设计[J]. 电子与封装, 2024, 24(4): 40301-.
[8]	冯海英,王芬芬,刘梦影,屈佳龙,兰亚峰. 一种抗干扰的电容式触摸传感控制器设计[J]. 电子与封装, 2024, 24(3): 30501-.
[9]	邹文英;李晓蓉;杨沛;周昕杰;高国平. 端口双向耐高压电路的ESD防护设计技术[J]. 电子与封装, 2024, 24(1): 10301-.
[10]	李应利;王淑芬. 基于Innovus的局部高密度布局规避方法[J]. 电子与封装, 2024, 24(1): 10302-.
[11]	雷星辰,季伟伟,陈龙,韩森. Flash型FPGA内嵌BRAM测试技术研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(12): 120103-.
[12]	李政,周文质,包磊,陈旺云. 一种基于双极工艺的大电流高输出电阻恒流源[J]. 电子与封装, 2023, 23(12): 120301-.
[13]	倪城,王毅炜,杨定坤. 一种应用于Sub-6G的宽带低功耗低噪声放大器^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(12): 120302-.
[14]	张风体. 一种双向的微电流检测电路[J]. 电子与封装, 2023, 23(12): 120303-.
[15]	沈庆,杨楚玮,侯庆庆. 支持高速DMA传输技术的SSD控制器设计与实现[J]. 电子与封装, 2023, 23(12): 120304-.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

0.25 μm CMOS新型过温保护电路的设计

A Novel Thermal Protection Circuit Based on 0.25 μm CMOS Process

RichHTML

PDF

可视化

摘要/Abstract

引用本文

使用本文

参考文献

相关文章 15

编辑推荐

Metrics

本文评价