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聚四氟乙烯覆铜板发展概况
李 苗，邹嘉佳，刘建军，程明生
聚四氟乙烯(PTFE)覆铜板以其优异的介电性能和化学稳定性而被广泛应用于高频微波电路，成为通信领域不可缺少的材料之一。根据国内外市场上的PTFE覆铜板产品，将PTFE覆铜板归纳为玻纤增强型和陶瓷粉填充型两大类，介绍了国外典型产品，并简述了国内PTFE覆铜板的研发情况。近年来国内逐步重视PTFE覆铜板的研发，但其研发产品在种类和可靠性等方面与国外还存在很大的差距，要突破国外垄断，仍面临着巨大的挑战。最后，根据通信市场的需求，总结了PTFE覆铜板的发展趋势，主要有多层化、高可靠性、多功能、低成本等。
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李 苗，邹嘉佳，刘建军，程明生. 聚四氟乙烯覆铜板发展概况[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 1-4.
LI Miao, ZOU Jiajia, LIU Jianjun, CHENG Mingsheng. Overview of the Development of PTFE Copper Clad Laminate[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 1-4.
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LTCC带通滤波器中心频率偏移的优化
王 亮，陈晓勇，钱 超，贾少雄，李 俊
针对某型号LTCC带通滤波器产品中心频率往低频方向偏移了约50 MHz的问题展开研究。根据中心频率公式推测出可能导致中心频率偏移的工艺指标为电感线宽精度、介质层厚度、层间对位精度。对滤波器样品进行剖切、测试，提取这些工艺参数，然后在HFSS仿真软件中进一步分析这些参数对该滤波器模型中心频率的影响，最终确认导致滤波器中心频率偏移的关键因素为电感线宽偏差。对电感线宽进行纠偏，使产品中心频率等工艺指标与设计值相统一，最终使产品中心频率的偏移由50 MHz优化到5 MHz。
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王 亮，陈晓勇，钱 超，贾少雄，李 俊. LTCC带通滤波器中心频率偏移的优化[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 5-7.
WANG Liang, CHEN Xiaoyong, QIAN Chao, JIA Shaoxiong, LI Jun. Optimization for the Center Frequency Deviation of LTCC Band-pass Filter[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 5-7.
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安捷伦高频阻抗测试仪表E4982A测控技术应用
邓长开，唐明津，胡义平
当前半导体车间高频阻抗测试平台大多是多年前由国外设计开发，平台系统老旧落后，测试仪表已停产多年，亟需升级换代。简单介绍了安捷伦最新型的阻抗仪表E4982A与吉时利2410数字电源表以及高频阻抗原理。在Windows 7系统下通过VB编程成功搭建了新的国产化高频阻抗测试平台，并分享了系统关键技术与核心指令代码。经过大量的测试，新的高频阻抗测试平台不仅覆盖原有的功能，同时掌握了相关核心技术，更加适应未来的升级需求与生产信息化。
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邓长开，唐明津，胡义平. 安捷伦高频阻抗测试仪表E4982A测控技术应用[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 8-11.
DENG Changkai，TANG Mingching，HU Yiping. Measure and Control Application on Agilent E4982A RSRF Meter[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 8-11.
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基于ATE的ADSP测试
武乾文，奚留华，张凯虹
随着集成电路技术的飞速发展，ADSP的应用越来越广泛，其测试技术得到广泛的重视及研究。简要介绍了ADSP的重要组成部分，提出一种ATE对ADSP测试的方法。ADSP的测试包括功能测试、直流参数测试及交流参数测试，其中功能测试对ADSP是至关重要的。以ADSP-TS201S为例，其功能测试是通过Ultra Edit软件编辑生成测试码，导入测试仪器，对被测器件进行地址叠加操作，以检查其功能。主要讲述ADSP功能及交流参数测试的关键技术及其注意事项。
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武乾文，奚留华，张凯虹. 基于ATE的ADSP测试[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 12-16.
WU Qianwen, XI Liuhua, ZHANG Kaihong. ADSP Testing Based on ATE[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 12-16.
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一款12 Bit 1 GS/s射频采样的流水线模数转换器设计
史帅帅，唐 鹤，武 锦，王 卓，张 波
文章基于40 nm CMOS 工艺设计一款12 Bit 1 GS/s射频采样的无采样保持放大电路的流水线ADC。首级采用了开关电容比较器结构提高了无采样保持放大电路带来的输入到sub-ADC和MDAC采样通路的匹配度。后级sub-ADC中采用对参考电压的预采样技术，缓解了后级比较器的压力。另外，首级处理3.5位量化精度，且理想级间增益为4，进一步缓解了首级MDAC对运放线性度、增益误差、输出信号电压摆幅的要求。采用高带宽高线性度的运放结构简化了模拟设计以及数字校准的复杂度。采样频率1 GHz，输入信号频率455 MHz，差分满摆幅1.2 V的情况下，经校准后ADC有效位数达到11.2位，信噪比70 dB，无杂散动态范围82 dB，总功耗约220 mW。
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史帅帅，唐 鹤，武 锦，王 卓，张 波. 一款12 Bit 1 GS/s射频采样的流水线模数转换器设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 17-21.
SHI Shuaishuai, TANG He, WU Jin, WANG Zhuo, ZHANG Bo. A 12 Bit 1 GS/s RF Sampling Pipelined ADC[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 17-21.
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0.25 μm CMOS新型过温保护电路的设计
葛兴杰, 陆 锋
采用CSMC 0.25μm工艺,设计了一种新型结构的过温保护电路,该电路利用正温系数电流电路和共源共栅电流镜产生一个高灵敏度的电压信号,通过CMOS施密特触发器产生控制信号控制芯片的通断,起到保护电路的作用。通过Spectre软件仿真验证,结果显示,在各个工艺角及电源电压波动的情况下,电路均能在芯片温度上升到165℃时关断,在芯片温度降到144℃时开启,迟滞值为21℃。
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葛兴杰, 陆 锋. 0.25 μm CMOS新型过温保护电路的设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 22-25.
GE Xingjie, LU Feng. A Novel Thermal Protection Circuit Based on 0.25 μm CMOS Process[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 22-25.
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基于国产化器件的DRFM设计
王明君
在雷达电子对抗领域，基于数字射频存储器（DRFM）的雷达干扰系统方案因为具有可靠性高、假目标样式灵活且逼真度高等特点而被广泛采用。设计了一种宽带DRFM设备，性能指标达到预期，可满足大部分应用场合。
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王明君. 基于国产化器件的DRFM设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 26-28.
WANG Mingjun. Design of DRFM Based on Localized Devices[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 26-28.
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技术成熟度评估在进口替代电子材料开发中的应用
赵 丹，邹嘉佳，管美章，范晓春
根据电子材料的技术特点对在国外进口替代电子材料开发过程的技术成熟度等级进行了重定义。分析了电子材料技术成熟度与电子装备成熟度之间的关系，并使用基于CTE权重的技术成熟度评价方法，以微波复合介质板的进口替代研发为例进行了技术成熟度评价。
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赵 丹，邹嘉佳，管美章，范晓春. 技术成熟度评估在进口替代电子材料开发中的应用[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 29-32.
ZHAO Dan, ZOU Jiajia, GUAN Meizhang, FAN Xiaochun. Technology Readiness Assessment Used in Development of Electronic Materials for Import Substitution[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 29-32.
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二极管光生电流影响因素的仿真研究
刘承芳, 孙 鹏, 高吴昊, 夏 云, 左慧玲, 陈万军
通过TCAD二维仿真工具模拟光辐照环境，对二极管的光辐照响应进行了仿真研究。首先完成了相关仿真电路的搭建并列出了电路元件及二极管的结构参数，然后对光吸收的概念进行了解释并详细说明了如何在仿真软件中表示光照参数，在不超过硅材料本征吸收限的光照波长领域中，对二极管光生电流的影响因素进行了仿真研究，并给出了相关结论。扩大了光照波长的研究范围，为以后进一步研究硅器件的光辐照响应奠定了良好的基础。
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刘承芳, 孙 鹏, 高吴昊, 夏 云, 左慧玲, 陈万军. 二极管光生电流影响因素的仿真研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 33-37.
LIU Chengfang, SUN Peng, GAO Wuhao, XIA Yun, ZUO Huiling, CHEN Wanjun. Simulation Study on the Influence Factors of Diode Photocurrent[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 33-37.
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短沟MOS器件GIDL漏电的改善
顾 祥, 陈 天, 洪根深, 赵文彬
随着MOSFET栅氧厚度的逐渐减薄,栅致漏极泄漏(GIDL)电流呈指数级增加,当工艺进入超深亚微米节点,器件的栅氧厚度不足2 nm,短沟器件的GIDL效应非常强烈。研究了相关工艺对器件GIDL效应的影响,发现了GIDL的主要泄漏机制。通过模拟仿真和工艺试验,证明了Halo注入工艺相对于其他工艺对GIDL效应的影响更大,降低Halo注入剂量是相对最优的工艺改善方案。
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顾 祥, 陈 天, 洪根深, 赵文彬. 短沟MOS器件GIDL漏电的改善[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 38-41.
GU Xiang, CHENG Tian, HONG Genshen, ZHAO Wenbin. The Improvement of Gate-Induced-Drain-leakage(GIDL) Current in Short-channel MOSFET[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 38-41.
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C波段400W GaN内匹配功率管研制
徐永刚，顾黎明，汤茗凯，唐世军，陈晓青，刘 柱，陈 韬
基于AlGaN/GaNHEMT工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗。设计中首先通过L-C网络提升了管芯的输入阻抗、输出阻抗,并通过微带多节阻抗变换器实现了宽带功率分配器及合成器电路的制作,同时还加入了稳定网络,最终实现了50Ω输入输出阻抗匹配。该大功率GaNHEMT内匹配器件采用四胞管芯功率合成技术,总栅宽为4×16mm。在50V漏电压、1ms周期、10%占空比的测试条件下及5.3~5.9GHz频率范围内,输出功率均高于56dBm,最高达到56.5dBm,功率增益均大于12dB,带内功率附加效率超过48.2%。
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徐永刚，顾黎明，汤茗凯，唐世军，陈晓青，刘 柱，陈 韬. C波段400W GaN内匹配功率管研制[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 42-44.
XU Yonggang, GU Liming, TANG Mingkai, TANG Shijun, CHEN Xiaoqing, LIU Zhu, CHEN Tao. C-band 400 W GaN Internally Matched Power Transistor[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 42-44.
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军工电子实施MES的制约要素与解决策略
于永洲, 孙光峤, 黄念宁, 林 罡, 祁玉发, 虞光华
针对国内军工电子行业的生产和信息化管理现状,分析了当前国内军工电子行业的生产管理特点并提炼了军工电子生产执行系统(Manufacturing Execution System,MES)实施的制约要素。结合南京电子器件研究所MES项目的实施经验,提出了解决策略,并展示了MES项目在南京电子器件研究所的实施效果,生产过程记录工作量减少51%,数据录入时间缩短59.8%,记录损失减少76.0%,前置等待时间缩短10.3%,生产周期缩短30.3%;关联数据查询时间缩短95%,相关性分析效率提升大于80.9%;报表管理效率提高300%以上。
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于永洲, 孙光峤, 黄念宁, 林 罡, 祁玉发, 虞光华. 军工电子实施MES的制约要素与解决策略[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 45-48.
YU Yongzhou, SUN Guangqiao, HUANG Nianning, LIN Gang, QI Yufa, YU Guanghua. Constraints and Resolution Strategy of Implementation of MES in Military Electronic Industry[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(6): 45-48.
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