基于锗硅 BiCMOS 工艺的射频带隙基准电流源设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0070

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (6): 23 -26. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0070

基于锗硅 BiCMOS 工艺的射频带隙基准电流源设计

孙楷添¹，丁星火²，张甘英¹

1.中国电子科技集团公司第 58 研究所，江苏无锡 214072；2.西安电子科技大学微电子学院，西安 710071

收稿日期:2017-01-11 出版日期:2017-06-20 发布日期:2017-06-20
作者简介:孙楷添（1990—），男，辽宁阜新人，助理工程师，供职于中国电子科技集团公司第 58研究所，主要从事模拟 IC 设计、ESD 防护设计与研究。

A Design of SiGeBiCMOS Bandgap Current Reference for Radio-Frequency Circuit

SUN Kaitian¹,DING Xinghuo²,ZHANG Ganying¹

1.China Electronics Technology Group Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China；2.School of Microelectronic,Xidian University,Xi’an 710071,China

Received:2017-01-11 Online:2017-06-20 Published:2017-06-20

摘要/Abstract

摘要： 射频电路偏置电流源对噪声的要求越来越高，引进的噪声不容忽视，带隙基准源在保证温漂系数的同时要求有较低的噪声。设计了一款不采用运放结构简单的射频带隙基准源电路，电源电压3.3 V，基准电压 VREF为 3.14 V，采用 PNP 双极管和电阻，利用缓冲器负载实现输出 DC 点和输出摆幅不变，改善了温度系数并且降低了噪声。基于 0.18 μm SiGeBiCMOS 工艺的仿真结果表明，在-55～125 ℃温度范围内，温漂系数为 9.613×10-6/℃；7.5 GHz 频率下，100 kHz 处噪声为 6.164 nV/sqrt(Hz)，总输出噪声低至 2.08×10-6V。

关键词: 锗硅工艺, 射频, 带隙基准, 温漂系数, 噪声

Abstract: Radio-frequency integrated circuits need low noise.The noise incurred is drawing more and more attention.The bandgap reference requires low temperature coefficientwith low noise.Base on the PNP bipolar transistor and resistance,the paperdesigns a new bandgap reference for radio-frequency circuitwithout OPA. Powervoltage is 3.3 V,and the reference voltage is 3.14 V.The DC operating points and outputswing remain unchanged using the buffer.The structure improves the temperature coefficient and reduces the noise.After simulation in 0.18 μm SiGeBiCMOS process,ithas a temperature coefficientin the range of-55～125 ℃ with 9.613×10

Key words: SiGe process, radio-frequency circuit, bandgap reference, temperature coefficient, noise

中图分类号:

TN402

孙楷添，丁星火，张甘英. 基于锗硅 BiCMOS 工艺的射频带隙基准电流源设计[J]. 电子与封装, 2017, 17(6): 23 -26.

SUN Kaitian,DING Xinghuo,ZHANG Ganying. A Design of SiGeBiCMOS Bandgap Current Reference for Radio-Frequency Circuit[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(6): 23 -26.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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A Design of SiGeBiCMOS Bandgap Current Reference for Radio-Frequency Circuit

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