摘要: 研制了一种采用储能焊实现TO型封装半导体器件的真空密封装置.该装置由叠形波纹管、密封圈及气室外壳的配合形成上、下气室,利用磁铁同性相斥原理将待密封的管帽与管座分离及定位,达到抽真空时充分排气的目的.实验探索了TO器件的真空封装工艺,一次压力为0.4 MPa、二次压力为0.6 MPa、充电电压为350 V时封口质量最好.对密封后的器件进行了焊接强度及气密性测试,封口强度高,无漏气现象.
中图分类号:
黎小刚,许健. TO型封装的真空储能焊密封工艺研究[J]. 电子与封装, 2016, 16(6):
10 -13.
LI Xiaogang,XU Jian. Semiconductor Devices TO Vacuum Packaging Based on Discharge Welding[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(6):
10 -13.