SiP封装传感器中金丝可靠性设计与分析

电子与封装 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (6): 14 -16.

SiP封装传感器中金丝可靠性设计与分析

刘建军,郭育华

中国电子科技集团公司第38研究所,合肥230088

收稿日期:2016-03-28 出版日期:2016-06-20 发布日期:2016-06-20
作者简介:刘建军(1985-),男,博士,湖北天门人,毕业于中国科学技术大学,现为中国电科第38研究所工程师,研究方向为电子装联.

Reliability Design and Analysis of Gold Wire in SiP Sensor Module

LIU Jianjun,GUO Yuhua

China Electronics Technology Group Corporation No.38 Research Institute,Hefei 230088,China

Received:2016-03-28 Online:2016-06-20 Published:2016-06-20

摘要/Abstract

摘要： SiP封装的传感器中,连接MEMS传感器芯片和ASIC芯片的金丝被包裹在软硅胶和硬塑封料中,由于硅胶和塑封料热膨胀系数差异很大,后期的温度循环等环境实验中容易出现金丝断路的风险.针对这一风险进行可靠性设计,并用实验进行验证.结果表明,采用矩形线弧方式并控制硅胶包裹工艺,保证金丝折弯部分处于硅胶包裹内,可以有效缓解热循环产生的应力对键合金丝第二焊点的损伤,使传感器产品可靠性通过欧洲汽车电子标准AEC-Q100中的温度循环测试.

关键词: SiP封装;金丝;线弧;可靠性设计

Abstract: In the SiP sensor module,gold wires connecting the MEMS IC and the ASIC IC are wrapped in silicone gel and molding compound.The sharp CTE differencebetween the two materials may incur disconnection during temperature cycle.To avoid the problem,a reliability design is carried out and proved by experiments.Experiments shows thatrectangular wire loopand properly wrapped gold wires make a difference and release the thermal stress remarkably.

Key words: SiP package, gold wire, wire loop, reliability design

中图分类号:

TN305.94

刘建军,郭育华. SiP封装传感器中金丝可靠性设计与分析[J]. 电子与封装, 2016, 16(6): 14 -16.

LIU Jianjun,GUO Yuhua. Reliability Design and Analysis of Gold Wire in SiP Sensor Module[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(6): 14 -16.

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