|
|
在光电池封装中填充光学胶对输出电压的影响
李建华;闫军政;洪浩;郭建章
半导体器件向着集成化、小型化、国产化的方向发展，设计难度越来越高。固体继电器中的隔离电路常需要使用光隔离电路，其中主要使用了既能起到隔离作用又能为输出的开关器件提供驱动电压的光电池器件。固体继电器要求光电池的输入电流尽可能小，传统光电池在较小输入电流下输出电压能力不足，输出电压一般不大于5V，造成其他开关器件不能正常工作。为了改善光电池器件输出电压的能力，重新优化结构设计，在光电池器件内部填充了光学胶，并经过反复设计使得光电池的输出电压超过了6 V，满足开关器件的使用要求。
X
李建华;闫军政;洪浩;郭建章. 在光电池封装中填充光学胶对输出电压的影响[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70201-.
LI Jianhua, YAN Junzheng, HONG Hao, GUO Jianzhang. Influence of Optical Adhesive on Output Voltage in Photocell Packaging[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70201-.
|
|
|
纳秒紫外激光修复高密度铜印制线路板研究*
曾宇杰;徐广东;吴松;杨冠南;崔成强
采用液相还原法制取纳米铜颗粒，与乙二醇溶剂混合配成膏体，利用紫外激光修复铜印制线路板上线路的缺失部分。探究了不同激光功率、速度和频率等参数对修复后的线路形貌以及各项性能的影响，得出最佳工艺参数。修复后线路的电阻值与激光功率的关系并未发现明显规律。在激光功率为0.4 W、速度为100 mm/s、频率为150 kHz时，激光修复后的线路表面平整且无裂痕，其电阻只有0.2 Ω（电阻率为4×10-6 Ω·m）。经过弯曲测试，弯折处的铜线路受应力影响发生部分分离，线路的电阻值随弯曲次数的增多呈增长趋势，4次弯曲后的电阻值是未弯折时电阻值的9倍。
X
曾宇杰;徐广东;吴松;杨冠南;崔成强. 纳秒紫外激光修复高密度铜印制线路板研究*[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70202-.
ZENG Yujie, XU Guangdong, WU Song, YANG Guannan, CUI Chengqiang. Repairing Precision Copper Printed Circuit Boards by Nanosecond Ultraviolet Laser[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70202-.
|
|
|
柔性有机发光二极管的薄膜封装研究进展*
周钰卜;高桦宇;郑华;邹建华;林生晃;李显博;刘佰全
柔性有机发光二极管（OLED）因使用柔性衬底而对环境中的水氧更加敏感，这对封装技术提出了更高的要求。目前，柔性OLED封装技术中最具希望的发展方向是可柔性化、水氧隔离能力优异的薄膜封装（TFE）技术。TFE是在OLED表面制备一层或者多层超薄的薄膜材料，以阻隔水氧侵蚀的封装技术，其关键在于制备水氧隔离能力优异的薄膜并避免对OLED器件性能产生影响。介绍了柔性OLED的衬底选择和传统的刚性封装技术，阐明了TFE的优势，并通过无机/有机薄膜的制备及TFE采用的在线封装和离线封装2种方法，对柔性TFE的发展现状进行了总结，并对柔性TFE的发展做出了展望。
X
周钰卜;高桦宇;郑华;邹建华;林生晃;李显博;刘佰全. 柔性有机发光二极管的薄膜封装研究进展*[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70203-.
ZHOU Yubu, GAO Huayu, ZHENG Hua, ZOU Jianhua, LINShenghuang, LI Xianbo, LIU Baiquan. Research on Thin Film Encapsulation of Flexible Organic Light-Emitting Diodes[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70203-.
|
|
|
基于电源分配网络仿真确定封装电容的方法
徐小明;纪萍;朱国灵;季振凯
在FPGA、CPU、GPU、DSP等产品的封装设计中，不仅需要考虑信号的完整性，还需要考虑电源分配网络。集成电路封装会增加芯片电源网络的电感，导致芯片性能下降，影响器件的质量。由于封装空间的限制与基板阻抗的要求，在封装基板上贴装符合设计的去耦电容以降低阻抗，对满足芯片性能要求至关重要。采用SIwave与ADS等软件工具对配电网络进行仿真，通过时域和频域两种分析方法可快速确定整个供电网络是否满足芯片的供电需求。
X
徐小明;纪萍;朱国灵;季振凯. 基于电源分配网络仿真确定封装电容的方法[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70204-.
XU Xiaoming, JI Ping, ZHU Guoling, JI Zhenkai. Determination of Packaging Capacitance Based on Power Distribution Network Simulation[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70204-.
|
|
|
垂直互联结构的封装天线技术研究
陈晨;尹春燕;夏晨辉;尹宇航;周超杰;王刚;明雪飞
封装天线（AiP）是一种能够实现低成本制备、高性能以及小体积天线的技术，在移动通信等领域有着广泛的应用。在扇出型晶圆级封装（FOWLP）中，采用通孔工艺能够实现电信号的垂直互连结构，助力AiP技术的发展。重点阐述了FOWLP工艺中硅通孔（TSV）、玻璃通孔（TGV）和塑封通孔（TMV）的制备方法，以及通过3种通孔技术实现的垂直互连结构在封装天线领域的应用。采用这3种垂直互连结构制备的封装天线能够实现三维集成，从而更进一步地缩小天线的整体封装体积。介绍了3种通孔的制备工艺，以及采用通孔技术的FOWLP工艺在封装天线领域的应用。明确了每一种垂直互连结构应用于AiP的优缺点，为FOWLP工艺在AiP领域中的技术开发和探索提供参考。
X
陈晨;尹春燕;夏晨辉;尹宇航;周超杰;王刚;明雪飞. 垂直互联结构的封装天线技术研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70205-.
CHEN Chen, YIN Chunyan, XIA Chenhui, YIN Yuhang, ZHOU Chaojie, WANG Gang, MINGXuefei. Research on Technology of Antenna in Package of Vertical[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70205-.
|
|
|
集成电路学科建设背景下电子封装技术专业人才培养探索与实践*
王尚;冯佳运;张贺;刘威;田艳红
电子封装是为电子电路建立互连和合适工作环境的科学和技术，是构成芯片－器件－组件－产品的桥梁。正如有人所说“一代芯片需要一代封装”，随着集成电路特征尺寸的缩小和运行速度的提高，行业对集成电路封装技术也提出了新的、更高的要求。由于电子封装的多学科交叉、尖端技术的性质，在集成电路一级学科发展的背景下，依靠综合各领域人才分别解决封装问题的模式已经不能适应技术发展的需求。综述了国内外集成电路人才的培养模式，分析了当前电子封装技术专业人才培养体系的建设与发展现状。以哈尔滨工业大学在集成电路人才培养模式上的探索实践为例，提出相关人才培养应更加注重实践环节，并与研究生课程衔接，通过产学研三位一体培养具备综合能力的高端复合型人才。
X
王尚;冯佳运;张贺;刘威;田艳红. 集成电路学科建设背景下电子封装技术专业人才培养探索与实践*[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70206-.
Circuit Discipline Construction. Exploration and Practice of Training Talents of Electronic Packaging Technology Under the Background of Integrated[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70206-.
|
|
|
封装用环氧银胶的配制工艺及性能研究
鄂依阳;田兆波;迟克禹;江仁要;孙琪;吕尤;祝渊
随着电子设备向小型化和轻量化发展，电子封装也趋于小尺寸、精密化和结构复杂化。传统钎焊互连越来越难以解决精密的封装结构产生的散热问题。银胶作为一种高性能、低污染和易操作的新型互连材料，逐渐替代钎焊并在高端芯片互连等领域发挥着越来越重要的作用。针对市场银胶热导率和电阻率难以满足需求的难题，采用环氧树脂、片状银粉、改性脂环胺固化剂、偶联剂、稀释剂和催化剂改善了环氧树脂基银胶，系统研究了银粉形貌、比例和制备工艺等对银胶热导率和电阻率等的影响，并获得了高热导率[7.21 W·(m·K)-1]、低体积电阻率 (4.46×10-5Ω·cm)的环氧银胶。通过在不同基板间进行粘接热阻测试，验证了所获得的环氧银胶在基板间具有较低的热阻，其有望应用于高端芯片封装的互连。
X
鄂依阳;田兆波;迟克禹;江仁要;孙琪;吕尤;祝渊. 封装用环氧银胶的配制工艺及性能研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70207-.
E Yiyang, TIAN Zhaobo, CHI Keyu, JIANG Renyao, SUN Qi, LYU You, ZHU Yuan. Study on Preparation Technology and Properties of Epoxy Silver Adhesive Used for Encapsulation[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70207-.
|
|
|
一个帧可控通用LCD驱动电路的设计
朱培敏;兰亚峰
设计了一款高度灵活、帧速率可控的液晶显示器（LCD）驱动电路，该驱动电路由外部电源供电，可工作在高性能或低功耗模式。在通用LCD驱动电路的基础上增加了前置频率发生器，实现了帧频速率在30~100Hz之间高度灵活可编。死区持续时间的插入使对比度在电压调控基础上更加细化，同时也降低了电路的功耗。该驱动电路提供了多种可选的驱动方案，最多可驱动216（8×27）个LCD像素。
X
朱培敏;兰亚峰. 一个帧可控通用LCD驱动电路的设计[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70301-.
ZHU Peimin, LAN Yafeng. Design of a Frame Controllable Universal LCD Driver Circuit[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70301-.
|
|
|
一种高增益、高带宽全差分运算放大器的设计
彭春雨;张伟强;蔺智挺;吴秀龙
采用增益提升（Gain-boosting）技术，使用2个三输入管的折叠式共源共栅运算放大器（运放）作为辅助运放，设计了一种宽输入共模范围的高增益、高带宽的全差分运算放大器。主运放输入部分由一对NMOS管和一对PMOS管共同构成，其输入跨导提高至由单MOS管构成的运放输入跨导的2倍。主运放输入跨导的提高间接提升了主运放的增益和带宽。而辅助运放在不改变主运放带宽的同时，通过降低主运放的主极点增大输出阻抗，再次提升主运放的增益，达到了高增益、高带宽的目的。该运算放大器采用商用55 nm CMOS工艺设计，经仿真可得，当负载电容为5 pF时，运放低频增益为115 dB，增益带宽积为209 MHz，总功耗为2.8 mW。
X
彭春雨;张伟强;蔺智挺;吴秀龙. 一种高增益、高带宽全差分运算放大器的设计[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70302-.
PENG Chunyu,ZHANG Weiqiang,LIN Zhiting,WU Xiulong. Design of a High Gain, High Bandwidth, Fully Differential Operational Amplifier[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70302-.
|
|
|
一种X波段低相位噪声国产化频率源设计
王玲玲;蒋乐;方志明
介绍了一种工作在X波段的低相位噪声、100%国产化频率源的工程设计方法。该方法采用锁相环（PLL）+压控振荡器（VCO）经典电路产生频率信号。分析了PLL相位噪声理论模型，对比了同封装的国产PLL芯片和进口PLL芯片两种方案，并对实物进行了测试。试验结果表明，该频率源可稳定输出频率为8.8 GHz、功率约为－5 dBm[史敏1]?的微波信号。采用国产PLL芯片制作的频率源相位噪声优于采用进口PLL芯片制作的频率源1~2dB，可做到优于[史敏2]?－101 dBc/Hz@1 kHz，－110 dBc/Hz@100 kHz。
X
王玲玲;蒋乐;方志明. 一种X波段低相位噪声国产化频率源设计[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70303-.
WANG Lingling,JIANG Le,FANG Zhiming. Design of Localized Frequency Source with Low Phase Noise in X-Band[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70303-.
|
|
|
基于微纳科研平台工艺验证的微米级标准CMOS关键工艺仿真
王峥杰;徐丽萍;凌天宇;瞿敏妮;权雪玲;乌李瑛;程秀兰
基于微纳科研平台工艺验证的微米级CMOS标准工艺，采用TCAD仿真了场注入、沟道调节注入、衬底偏置电压以及接触金属类型对MOSFET器件性能的影响，进而对CMOS工艺中的器件关键工艺进行优化设计，为科研平台微纳工艺流片提供指导。仿真结果表明，N+场注入能量大于60 keV时对PMOS的阈值电压影响显著，P+场注入能量在30~50 keV时对NMOS阈值电压影响显著；PMOS沟道调节的剂量影响器件的电流开关比和亚阈值摆幅，其剂量不应超过2.1×1012 cm-2；场注入剂量在1013 cm-2时，硅局部氧化（LOCOS）隔离特性达到最优，此时LOCOS的击穿电压为32.5 V；当钛夹层的厚度为120 nm时，可将铝与衬底接触电阻的数量级从102降低至101。
X
王峥杰;徐丽萍;凌天宇;瞿敏妮;权雪玲;乌李瑛;程秀兰. 基于微纳科研平台工艺验证的微米级标准CMOS关键工艺仿真[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70401-.
WANG Zhengjie, XU Liping,LING Tianyu, QU Minni, QUAN Xueling, WU Liying, CHENG Xiulan. Micron-Level Standard CMOS Key Process Simulation Based on Process Verification of Micro-Nano Scientific Research Platform[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70401-.
|
|
|
基于HTCC的200 Gbit/s光调制器外壳的研制
胡进;颜汇锃;陈寰贝
研制了一款基于高温共烧陶瓷（HTCC）工艺的光调制器外壳，通过高速端口实现信号的传输。端口的设计采用共面波导结构的水平传输和类同轴结构的垂直传输，并分析高速信号传输通道的等效电路和在频域上的仿真，实现端口的阻抗匹配，在保证信号完整性的前提下端口可以实现单通道28Gbit/s的高速信号传输。将相同条件下的差分过孔结构与类同轴结构在频域和时域下展开分析，验证了类同轴结构可以更有效地保证信号完整性。将探针测试与背靠背结构相结合的方式对样品进行测试，验证了高速端口可以在保证信号完整性的前提下实现单通道28Gbit/s的高速信号传输速率。将该结构应用在8通道的光调制器外壳上，可以支持200Gbit/s以上的高速信号传输。
X
胡进;颜汇锃;陈寰贝. 基于HTCC的200 Gbit/s光调制器外壳的研制[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70402-.
HU Jin, YAN Huizeng, CHEN Huanbei. Development of 200 Gbit/s Optical Modulator Package Based on HTCC Technology[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70402-.
|
|
|
65 nm工艺SRAM中能质子单粒子效应研究
陈锡鑫;殷亚楠;高熠;郭刚;陈启明
基于一款带错误检测与纠正（EDAC）功能的65nm体硅CMOS SRAM，开展了中能质子对纳米级集成电路单粒子效应影响的研究。在SRAM本征工作模式和EDAC模式下，得到了2组试验结果。分析试验数据发现：在重离子与中能质子试验中，采用商用6T设计规则的电路均未发生单粒子闩锁现象，但都发生了单粒子多位翻转现象；质子单粒子效应引起的错误数已饱和，而重离子单粒子效应引起的错误数则随能量不断增加，该现象与2种粒子引起单粒子效应的机理有关。质子与重离子饱和截面的差异是由质子核反应的概率导致的，但空间错误率相近。此次试验很好地探索了中能质子对SRAM电路的影响，明确了质子与重离子导致单粒子错误的异同，为SRAM在航天上的应用奠定了基础。
X
陈锡鑫;殷亚楠;高熠;郭刚;陈启明. 65 nm工艺SRAM中能质子单粒子效应研究[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70403-.
CHEN Xixin, YING Yanan, GAO Yi, GUO Gang, CHEN Qiming. Research of Intermediate Energy Proton InduceSingle EventEffect for 65 nm SRAM[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70403-.
|
|
|
一种基于LabVIEW开发环境的直流稳定电源自动化校准系统
凌勇;袁鹤龄;陆敏玉
为了利用自动化设备替代人工进行电源校准工作，基于LabVIEW开发环境设计了直流稳定电源自动化校准系统，从而实现校准过程整体效能的提升。该自动化校准系统的设计可分为校准启动、校准作业以及校准收尾3大过程，对每个过程的典型技术难点和实现方案分别进行了阐述。通过单台不同类别电源校准耗时和单日不同类别电源校准件数2项指标，将自动化校准与传统人工校准进行数据对比，凸显出应用直流稳定电源自动化校准系统进行校准的巨大优势。
X
凌勇;袁鹤龄;陆敏玉. 一种基于LabVIEW开发环境的直流稳定电源自动化校准系统[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70501-.
LINGYong, YUAN Heling, LUMinyu. Automatic Calibration System of DC Stabilized Power Supply Based on LabVIEW Development Environment[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(7): 70501-.
|
|
|
基于MST-GAN的多尺度IC金属封装表面缺陷检测
蔡念, 陈凯琼, 黄林昕, 夏皓, 周帅
X
蔡念, 陈凯琼, 黄林昕, 夏皓, 周帅. 基于MST-GAN的多尺度IC金属封装表面缺陷检测[J]. 电子与封装, 2023, 23(7): 70601-.
|
|
