电子与封装

2019年第19卷第3期 pp.01 -4

李　进，王殿年，邵志峰，邱　松. 高导热MSL-1环氧树脂模塑料的开发与应用[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 1-4.

LI Jin 1, WANG Diannian1, SHAO Zhifeng2, QIU Song2. Development and Application of High Thermal Conductivity MSL-1 Epoxy Molding Compound[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(3): 1-4.

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双面空腔LTCC基板制造工艺研究

何中伟，高亮

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0025

摘要 ( 215 )

HTML ( 11 )

PDF(1850KB) ( 211 )

通过渐次优化改进叠片台、空腔填充塞、衬垫聚酯膜、烧结垫片等工装及相应工艺方法，重点研究突破了双面空腔LTCC的叠片、生瓷坯层压和生瓷块共烧等难点工艺，有效掌握了双面空腔LTCC基板制造工艺技术，达到了腔底平整度不大于0.08 mm、空腔尺寸准确度优于±0.15 mm的关键技术指标，成功研制出满足应用要求的双面空腔LTCC基板。

参考文献 |

2019年第19卷第3期 pp.05 -10

何中伟，高亮. 双面空腔LTCC基板制造工艺研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 5-10.

HE Zhongwei, GAO Liang. Study of Double-side Cavity’s LTCC Substrate Manufacturing Process[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(3): 5-10.

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基于Chroma 8000的DC/DC电源模块测试

唐彩彬

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0026

摘要 ( 204 )

HTML ( 8 )

PDF(878KB) ( 149 )

介绍了DC/DC电源模块的通用测试方法。基于Chroma 8000测试系统，通过对DC/DC电源模块测试要求进行分析，设计了某款DC/DC电源模块测试夹具与测试外围，实现了对该DC/DC电源模块主要性能参数的测试。该方案能够作为通用测试方法供DC/DC电源模块测试设计提供参考。

参考文献 |

2019年第19卷第3期 pp.011 -13

唐彩彬. 基于Chroma 8000的DC/DC电源模块测试[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 11-13.

TANG Caibin. DC/DC Power Module Test Based on Chroma 8000[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(3): 11-13.

电路设计

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一种高精度振荡电路设计

饶喜冰，李　良，代高峰

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0027

摘要 ( 244 )

HTML ( 11 )

PDF(1641KB) ( 177 )

基于常用的RC振荡器电路结构，设计了一种可调节的高精度振荡电路，通过对基准电流的镜像倍数配置，实现对充电电流大小的调节，从而实现对频率的高精度控制。通过仿真，所设计的这种高精度振荡电路实现了输出中心频率1.7 MHz、最小可调节精度1 kHz的预期。结果证明该设计实现了对振荡电路的高精度控制。

参考文献 |

2019年第19卷第3期 pp.014 -17

饶喜冰，李　良，代高峰. 一种高精度振荡电路设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 14-17.

RAO Xibing, LI Liang, DAI Gaofeng. A High Precision Oscillation Circuit Design[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(3): 14-17.

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基于0.18μm工艺的I/O端口ESD防护设计

程　淩，白丽君，李　娟

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0028

摘要 ( 230 )

HTML ( 10 )

PDF(1246KB) ( 261 )

当两个拥有不同电势的物体接触时，电势差会导致电荷流动，从而产生放电，这种现象称为静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）。ESD所产生的瞬间高电压和大电流，会烧毁击穿半导体中的器件，最终导致整个半导体芯片永久性失效。随着硅基CMOS工艺技术的不断进步，由ESD引起的失效问题也随着特征尺寸的变小而日益严重。首先分析了几种常见的静电放电模式以及测试模型，随后基于SMIC公司0.18 μm BCD工艺，在传统GGNMOS抗辐照ESD结构基础上进行优化，设计一款GGNMOS+RC Power Clamp抗ESD结构。经流片测试后，证明该款电路抗ESD能力强，且性能稳定。

参考文献 |

2019年第19卷第3期 pp.018 -20

程　淩，白丽君，李　娟. 基于0.18μm工艺的I/O端口ESD防护设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 18-20.

CHENG Ling, BAI Lijun, LI Juan. Design of IO Port ESD Protection Based on 0.18 μm Process[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(3): 18-20.

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基于低成本MCU的无线充电发射端设计

刘明峰，程　涛，罗　明

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0029

摘要 ( 225 )

HTML ( 4 )

PDF(1624KB) ( 246 )

随着智能手机的不断更新换代，设备功耗越来越大，充电次数也逐渐增多，传统的充电器和电线使充电受到较大约束，这给无线充电技术的发展提供了契机。介绍了无线充电系统的工作原理及系统的基本结构，并结合项目需求选取了基于Qi协议的无线充电方案并进行研究。最终该系统基于低成本的MCU，实现异物检测（FOD）、Qi协议传输等功能，实现了5 W无线充电的低成本应用。

参考文献 |

2019年第19卷第3期 pp.021 -25

刘明峰，程　涛，罗　明. 基于低成本MCU的无线充电发射端设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 21-25.

LIU Mingfeng , CHENG Tao，LUO Ming. Design of Wireless Charging Transmitter Based on Lowcost MCU[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(3): 21-25.

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基于PHP的PDU配置管理系统设计

费　强，石　磊，黄凤鸣

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0030

摘要 ( 162 )

HTML ( 5 )

PDF(1448KB) ( 366 )

介绍了一种基于PHP的PDU配置管理系统的设计和实现。该系统通过采用PHP语言设计，结合IPC（进程间通信）原理和UDP通信协议，实现了设备的动态数据监测和远程控制。其主要使用共享内存机制，实现系统WEB端对设备电压、电流、功率等电能参数的采集和监测；同时调用相关API接口将界面相关数据以规定格式传送至设备端，实现配置管理系统对PDU设备的远程控制。此外，配置管理系统还具有对日志的查询、清除和导出功能，运维人员通过配置管理系统能够有效地管理设备和高效地保障设备的安全性和可靠性。

参考文献 |

2019年第19卷第3期 pp.026 -29

费　强，石　磊，黄凤鸣. 基于PHP的PDU配置管理系统设计[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 26-29.

FEI Qiang, SHI Lei, HUANG Fengming. Design of PDU Configuration Management System Based on PHP[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(3): 26-29.

微电子制造与可靠性

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GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升

彭龙新,邹　雷,王朝旭,林　罡,徐　波，吴礼群

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0031

摘要 ( 175 )

HTML ( 4 )

PDF(1806KB) ( 252 )

为提高GaAs Au/Pt/Ti栅PHEMT MMIC放大器耐氢气的能力，提出了在PHEMT栅上加厚SiN钝化层的方法，并通过高温加速氢气试验验证了该方法的有效性。耗尽型D管的钝化层由150 nm加厚到300 nm后，在150 ℃加速下，耐氢气浓度和耐受时间由原来的14000×10-6、40 h 提升到30000×10-6、110 h（电流还未出现明显下降），耐氢能力得到了明显提升。为了维护管子的微波性能，增强型E管采用多层SiN钝化，总厚度加厚到600 nm后，在150 ℃加速下，耐氢气浓度和耐受时间可达到20000×10-6、115 h（电流还未出现明显下降），满足实际应用要求。

参考文献 |

2019年第19卷第3期 pp.030 -34

彭龙新,邹　雷,王朝旭,林　罡,徐　波，吴礼群. GaAs Ti/Pt/Au栅PHEMT单片集成电路耐氢能力的提升[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 30-34.

PENG Longxin1, 2, ZOU Lei2, WANG Zhaoxu2, LIN Gang2, XU Bo2, WU Liqun3. The Hydrogen Resistance Improvement for Ti/Pt/Au Gate PHEMT MMIC[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(3): 30-34.

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1×2宽带微带贴片天线

赵双领，张　诚，毛　臻，杨　兵，丁涛杰

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0032

摘要 ( 335 )

HTML ( 7 )

PDF(1213KB) ( 191 )

在无线通信系统中，微带贴片天线得到了广泛的应用，但其面临着工作带宽窄的缺陷。基于1×2的微带贴片，通过背馈的方式同时激励可辐射的工作模式TM10模以及反向TM20模，实现拓展工作带宽的效果。所提出的天线与传统的微带贴片天线相比，具有宽频带的优势；与已报道的微带天线宽频带设计技术相比，具有低剖面的效果。为验证理论预期的可实现性，设计了中心频率在6.5 GHz的天线案例。仿真结果表明，该天线的剖面高度为0.6 λ0，10-dB匹配带宽为20%，增益为7.4 dBi，交叉极化小于－25 dB。

参考文献 |

2019年第19卷第3期 pp.035 -37

赵双领，张　诚，毛　臻，杨　兵，丁涛杰. 1×2宽带微带贴片天线[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 35-37.

ZHAO Shuangling, ZHANG Cheng, MAO Zhen, YANG Bing, DING Taojie. 1×2 Wideband Microstrip Patch Antenna[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(3): 35-37.

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深亚微米多晶硅熔丝特性研究

张猛华，王燕婷，张　继

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0033

摘要 ( 147 )

HTML ( 4 )

PDF(757KB) ( 102 )

随着集成电路产业的迅速发展，熔丝电路在IC芯片中的应用越来越广泛。为了提高集成电路制造良率，在集成电路设计中通常会大量使用基于熔丝技术的冗余电路。通过对180 nm工艺多晶硅熔丝熔断特性的探索和研究，给出多种尺寸的多晶硅熔丝电熔断特征参考值，可以满足集成电路设计对编程条件和编程后熔丝阻值的不同需求。集成电路设计者通过选择不同的多晶硅熔丝尺寸种类，实现熔丝外围电压电流发生电路的灵活设计，大幅提高180 nm工艺多晶硅熔丝设计成功率。通过优化熔丝器件结构、编程条件等参数，实现不同应用需求的熔丝量产。

参考文献 |

2019年第19卷第3期 pp.038 -40

张猛华，王燕婷，张　继. 深亚微米多晶硅熔丝特性研究[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 38-40.

ZHANG Menghua, WANG Yanting, ZHANG Ji. Study on the Properties of Deep Submicron Poly-Fuses[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(3): 38-40.

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FEP含量对PTFE基高频PCB覆铜板性能的影响

张　勇,陈　强,冯澍畅,张军然,徐永兵

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0034

摘要 ( 231 )

HTML ( 6 )

PDF(791KB) ( 197 )

主要介绍制备微波高频PCB覆铜板时，PTFE树脂中FEP乳液体积浓度对浸渍玻纤布树脂含量的影响，以及对制作的pp(Pre-pregnant)介电常数(Dk)和介电损耗(Df)的影响。试验显示，随着树脂中FEP乳液含量的增加，浸渍玻纤布树脂百分比降低，而Dk和Df值升高，用pp所制作PCB覆铜板的铜箔剥离强度随着FEP乳液含量的升高而增大。

参考文献 |

2019年第19卷第3期 pp.041 -43

张　勇,陈　强,冯澍畅,张军然,徐永兵. FEP含量对PTFE基高频PCB覆铜板性能的影响[J]. 电子与封装, 2019, 19(3): 41-43.

ZHANG Yong1, CHEN Qiang1, FENG Shuchang2, ZHANG Junran1, XU Yongbing1. The Effect to Characteristics of Copper Clad Laminates Based on Polytetrafluoroethylene with Different Content of Fluorinated Ethylene Propylene[J]. Electronics and Packaging, 2019, 19(3): 41-43.

产品、应用与市场

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微系统技术助力数字助听器发展

毛　臻，丁涛杰，杨　兵

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.0035

摘要 ( 175 )

HTML ( 344 )

PDF(1400KB) ( 158 )

随着人们对生活品质要求的提高，声障患者用耳内助听器的微型化、低功耗、无线化需求推动着微电子封装在该领域的技术进步。对现代助听器中涉及的微系统技术及这些技术给数字助听器带来的变革进行了调研。MEMS麦克风和扬声器技术，处理器、存储器芯片等IC堆叠采用的TSV技术，用于助听器连接智能手机的蓝牙天线AiP技术，这些微系统技术有的已成熟应用于微型化数字助听器，有的还在进行不断的尝试以期早日应用于现代数字助听器中。数字助听器的发展要求微系统技术不断取得突破，微系统技术上的新材料、新方法、新工艺进步在微型数字助听器上得到了完美的展现。

参考文献 |