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基于Icepak的小外形封装结构热设计和分析*
胡文华，徐 成，徐 健，孙 鹏
介绍了典型小外形封装的热传输机制及其等效热流通道的热阻理论计算方法，并且利用专业热仿真软件Icepak对不同热设计结构的同一小外形封装进行建模和计算得到相应的热阻，同时通过热阻测试进行验证。对仿真和测试结果进行对比分析表明：对于有主散热通道的封装，可以通过增加散热通道的面积、缩短散热路径、基岛裸露、拓展散热通道数量等方法对通道结构进行设计优化，使得封装的散热效果得到有效改善。
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胡文华，徐 成，徐 健，孙 鹏. 基于Icepak的小外形封装结构热设计和分析*[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 1-4.
HU Wenhua, XU Cheng, XU Jian, SUN Peng. Thermal Design and Analysis of Small Outline Package Structure Based on Icepak[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(11): 1-4.
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全彩LED封装用环氧模塑料的固化动力学研究
余灿煌，朱 琼，杜和武，罗永祥，石逸武
不同于传统的半导体封装用环氧模塑料采用的邻甲酚醛环氧树脂/酚醛树脂固化体系，全彩LED封装用环氧模塑料多采用脂环族环氧树脂/酸酐固化体系，这赋予其高透光率、良好的韧性和耐高温高湿性能等优点。随着固化体系的改变，寻找新的最佳固化工艺便具有十分重要的意义。采用非等温差示扫描量热法（DSC），研究了脂环族环氧树脂/酸酐固化体系的8183型产品的固化动力学，并与市售5183型产品做对比测试。通过实验，分别得到了两者的活化能、反应级数和固化温度段、最佳固化条件等固化的基本性能数据，为确定8183型环氧模塑料的最佳固化工艺条件提供了参考数据。
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余灿煌，朱 琼，杜和武，罗永祥，石逸武. 全彩LED封装用环氧模塑料的固化动力学研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 5-8.
YU Canhuang, ZHU Qiong, DU Hewu, LUO Yongxiang, SHI Yiwu. Study on Curing Kinetics of Epoxy Molding Compound Using for Full Color LED Package[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(11): 5-8.
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基于遗传算法的PID控制在IC芯片烘箱中的应用*
梁达平1，赵利民1，蔡志元2
针对IC（集成电路）芯片烘箱在温度控制中因腔体均匀性差导致调节效率低的问题，在烘箱温度控制程序中引入了对初始条件不敏感、能够寻求全局最优解的自适应在线遗传算法PID控制策略。通过对改进前后两种设备的算法模型进行实测数据对比分析，证明采用遗传PID控制方案的设备性能要远优于采用传统PID方案的设备，其温度调节速率明显提高，并具有良好的动态特性和鲁棒性。
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梁达平1，赵利民1，蔡志元2. 基于遗传算法的PID控制在IC芯片烘箱中的应用*[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 9-14.
LIANG Daping1,ZHAO Limin1,CAI Zhiyuan2. Design of a PID Controller of IC Oven on Genetic Algorithm[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(11): 9-14.
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高精度基准电压测试技术研究
程法勇，刘继光
基准电压芯片的输出电压精度是最关键的参数，在生产制造时测试环节非常重要，这就对芯片测试提出了更高的要求，测试系统的精度必须高于产品的要求精度。测试系统的精度不能满足要求时就需要对待测信号进行放大处理，在测试结果中按照放大的实际倍数换算回来。ADR44X的输出精度要求为1 mV，测试系统的精度为2.5 mV，将信号放大100倍后测试就可以满足要求，也基本可以满足大部分基准电压IC的精度要求。经过和高精度仪器的对比验证，该方案可以满足ADR44X的精度要求。
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程法勇，刘继光. 高精度基准电压测试技术研究[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 15-17.
CHENG Fayong,LIU Jiguang. Research on Test Technology of High-accuracy Reference Voltage[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(11): 15-17.
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一种宽输入电压范围反激电源的研究与设计
李文豪，廖建军
当前针对小功率开关电源输入宽电压范围、输出高电压的要求日趋普遍。实现高压输出的方式很多，但电源产品研发需要综合考虑性能、可靠性、可生产性及成本等多方面因素。着重介绍一种采用双绕组变压器的电源设计思路，每个绕组分别整流后再叠加升压，以此获得直流高压输出。分析了该方法在器件选择、频率设定以及电路体积重量等方面的优势。最后运用该方案研制了一款电路，通过仿真和实测结果表明设计满足要求。
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李文豪，廖建军. 一种宽输入电压范围反激电源的研究与设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 18-21.
LI Wenhao,LIAO Jianjun. Research and Design of a Flyback Power Supply with Wide Input Voltage Range[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(11): 18-21.
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一种高可靠大功率单刀三掷开关模块设计
王 璐，胡永军，马建军，汤 寅
利用三维电磁仿真工具，选取自主开发的大功率PIN二极管芯片，结合不同结构的管壳进行了仿真，同时考虑了管壳的气密性、腔体内部多余物的控制和引线的牢度等可靠性问题，设计出一种串联式高可靠大功率单刀三掷开关模块。该模块工作频率小于1 GHz，在150 W连续波输入功率下，带内插损小于0.12 dB，隔离度大于25 dB。
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王 璐，胡永军，马建军，汤 寅. 一种高可靠大功率单刀三掷开关模块设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 22-24.
WANG Lu,HU Yongjun,MA Jianjun,TANG Yin. The Design of High Reliability and High Power SP3T Switch Module[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(11): 22-24.
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一种曲率补偿的带隙基准电压源设计
蒋祥倩，杜西亮，毕克娜，邹丰谦
采用高阶补偿方法，设计了一款超低温漂的带隙电压基准，输出电压为1.2 V。该带隙基准源在传统带隙基准电压源电路的基础上，通过四输入运算放大器完成VBE和△VBE的加权相加，在运放的输出端产生和温度无关的基准电压。基于CSMC公司0.5 μm CMOS工艺，设计了电路版图，版图面积为331.795 μm×213.1 μm，在-40～100℃的温度范围内进行仿真，温度系数可达1.415×10-6/℃，输出电压导数的摆幅swing为18.04 μV/℃。
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蒋祥倩，杜西亮，毕克娜，邹丰谦. 一种曲率补偿的带隙基准电压源设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 25-29.
JIANG Xiangqian,DU Xiliang,BI Kena,ZOU Fengqian. A Bandgap Reference Circuit with Curvature Compensation[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(11): 25-29.
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CRC校验在SPI接口设计中的实现
强小燕，史兴强，刘梦影
串行外设接口（SPI，serial peripheral interface）以其高速的传输性能和灵活简单的配置，广泛应用于扩展外设及其数据交换。由于串行通信传输的不确定性以及干扰等原因，通信经常会出现异常情况。为提高SPI通信传输的可靠性，在SPI接口设计中增加循环冗余校验(CRC，cyclic Redundancy Check)功能。运用硬件描述语言Verilog HDL设计并实现了具有CRC校验功能的SPI接口。仿真结果表明，该SPI接口不仅可以高速高效地工作于多种工作模式，且CRC校验功能能够保证通信传输的可靠性。
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强小燕，史兴强，刘梦影. CRC校验在SPI接口设计中的实现[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 30-35.
QIANG Xiaoyan,SHI Xingqiang,LIU Mengying. Implementation of CRC in SPI Design[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(11): 30-35.
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基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15 μm GaAs LN pHEMT
章军云，王溯源，林 罡，黄念宁
报道了一种0.15 μm GaAs pHEMT的制作工艺，该工艺使用248 nm DUV光刻机和烘胶工艺方案。利用成熟的Ka波段宽带低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示，在26.5～40 GHz频段内，电路增益大于17.5 dB，在29.5 GHz处增益达19.9 dB；噪声系数小于2.4 dB，在33.1 GHz处，最小噪声1.96 dB；输入输出驻波比小于1.36，1 dB压缩点输出功率大于6.4 dBm，直流功耗为142.5 mW。和基于同样电路的电子束直写裸栅工艺相比，关键指标及生产效率都有明显提升。
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章军云，王溯源，林 罡，黄念宁. 基于248 nm光刻机工艺的高性能0.15 μm GaAs LN pHEMT[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 36-39.
ZHANG Junyun,WANG Suyuan,LIN Gang,HUANG Nianning. High Performance 0.15 μm GaAs LN pHEMT Based on 248 nm Lithography[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(11): 36-39.
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基于EMMI技术的GaAs多功能芯片的失效分析
周 舟，林 罡，于永洲，郭 啸，贾 洁
GaAs多功能MMIC应用于微波毫米波整机系统，替代了以往多个单功能MMIC链接而成的方式，且技术愈发成熟。通过对GaAs多功能MMIC产品的失效分析，发现芯片工艺制程中的易发问题，以不断提升产品良率。借助EMMI（红外微光显微镜）技术，对一款GaAs多功能芯片某移相态不能恢复的故障现象进行分析，定位了失效点。结合微区结构分析在失效位置找出工艺缺陷，阐述了该缺陷造成芯片失效的过程和机理，并提出工艺制程改进方案。
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周 舟，林 罡，于永洲，郭 啸，贾 洁. 基于EMMI技术的GaAs多功能芯片的失效分析[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 40-43.
ZHOU Zhou,LIN Gang,YU Yongzhou,GUO Xiao,JIA Jie. Failure Analysis of GaAs MFC Based on EMMI[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(11): 40-43.
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漏电流的伏安特征曲线在分立器件失效分析中的应用
陈 松，王友彬
针对半导体分立器件漏电流失效在后道封装工厂难以确定失效模式和失效机理的问题，引入漏电流的伏安特征曲线分析的方法，针对各种漏电流失效模式进行实验分析，利用漏电流特征曲线的方法将有可靠性风险的器件筛选出来。通过此方法在后道封装测试工厂大规模推广应用，大大提高了失效分析的效率和准确性，提升了产品质量，节约了成本，很好地达到了客户对产品质量和成本的期望。
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陈 松，王友彬. 漏电流的伏安特征曲线在分立器件失效分析中的应用[J]. 电子与封装, 2018, 18(11): 44-47.
CHEN Song,WANG Youbin. Application of the Characteristic Curve of Leakage Current in the Failure Analysis of Discrete Devices[J]. Electronics and Packaging, 2018, 18(11): 44-47.
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