应用于高压接口电路的SCR ESD保护研究

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0133

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (11): 30 -32. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0133

应用于高压接口电路的SCR ESD保护研究

曹燕杰，王燕婷

中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214072

收稿日期:2017-08-15 出版日期:2017-11-20 发布日期:2017-11-20
作者简介:曹燕杰（1983—），女，江苏宜兴人，本科，现在中国电子科技集团公司第五十八研究所从事集成电路版图设计工作。

SCR Structure for High-Voltage Interface′s ESD Protection in BCD Process

CAO Yanjie,WANG Yanting

China Electronics Technology Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China

Received:2017-08-15 Online:2017-11-20 Published:2017-11-20

摘要/Abstract

摘要： SCR是ESD保护器件中最具有面积优势的一种。提出一种应用于高压接口电路的SCR ESD保护结构，同时避免了发生闩锁的风险。采用0.5 μm BCD工艺设计，可达8000 V人体模型ESD能力，其维持电压可以达到28 V以上。

关键词: SCR, BCD, 闩锁, ESD

Abstract: The SCR is the most efficient of all protection devices in terms of ESD performance per unit area.A high holding-voltage SCR (HHVSCR)ESD protection structure is proposed for traditional I/O port without latch-up risk.The HHVSCR device has been practically used to protect RS-232 tranceiver with a 8 kV HBM ESD robustnessina standard0.5 μm BCD technology without extra process modification.

Key words: SCR, BCD, latchup, ESD

中图分类号:

TN303

曹燕杰，王燕婷. 应用于高压接口电路的SCR ESD保护研究[J]. 电子与封装, 2017, 17(11): 30 -32.

CAO Yanjie,WANG Yanting. SCR Structure for High-Voltage Interface′s ESD Protection in BCD Process[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(11): 30 -32.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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SCR Structure for High-Voltage Interface′s ESD Protection in BCD Process

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