FPGA上电复位过程的存储单元读写检测方法

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0134

电子与封装 ›› 2017, Vol. 17 ›› Issue (11): 33 -35. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0134

FPGA上电复位过程的存储单元读写检测方法

耿杨¹，谢杰²，徐玉婷¹，张胜广²

1．无锡中微亿芯有限公司，江苏无锡 214072；2．中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214072

收稿日期:2017-04-26 出版日期:2017-11-20 发布日期:2017-11-20
作者简介:耿杨（1987—），女，河北辛集人，硕士，工程师，研究方向为千万门级FPGA设计。

A Method of Reading and Writing of Memory Cells in the Process of Power Reset on FPGA

GENG Yang¹,XIE Jie²,XU Yuting¹,ZHANG Shengguang²

1.East Technologies,inc.Wuxi 214072,China；2.China Electronics Technology Corporation No.58 Research Institute,Wuxi 214072,China

Received:2017-04-26 Online:2017-11-20 Published:2017-11-20

摘要/Abstract

摘要： 基于FPGA技术，提出了一种关于FPGA上电复位过程的存储单元读写检测方法。该方法能够在FPGA上电复位的过程中较早地检测出芯片中心的控制电路和若干级buffer的驱动能力是否足以控制所有存储单元的读写。

关键词: FPGA, SRAM, 寄存器上电复位

Abstract: Based on FPGA,the paper presents a method of reading and writing of memory cells in the process of power reset on FPGA.In the process of power reset on FPGA,the method can early detect the center of the chip control circuit and a number of buffer driver ability which is enough to control all of the memory cells reading and writing.

Key words: FPGA, SRAM, register power on reset

中图分类号:

TN402

耿杨¹，谢杰²，徐玉婷¹，张胜广². FPGA上电复位过程的存储单元读写检测方法[J]. 电子与封装, 2017, 17(11): 33 -35.

GENG Yang¹,XIE Jie²,XU Yuting¹,ZHANG Shengguang². A Method of Reading and Writing of Memory Cells in the Process of Power Reset on FPGA[J]. Electronics & Packaging, 2017, 17(11): 33 -35.

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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A Method of Reading and Writing of Memory Cells in the Process of Power Reset on FPGA

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