摘要: 为了满足高性能现场可编程门阵列(FPGA)和动态随机存取存储器(DRAM)之间的高速、可靠的数据传输,设计了一种多通道HBM2-PHY电路。该电路采用12 nm工艺进行设计,最多支持8个独立通道和最高1.6 Gbps的数据传输速率。通过在HBM2-PHY电路的地址和数据路径中设计先进先出(FIFO)缓存来提高数据的读写效率;通过设计可调节的延迟链电路,对高速接收和发送电路中的数据采样时钟进行调节,提高了数据传输的可靠性。仿真结果表明,采样时钟信号的延迟可进行512步调节,每步调节的延迟时间约为0.003 ns,其积分非线性度(INL)约为0.3 LSB;眼图显示该电路在1.6 Gbps的数据速率下,高速接收和发送电路性能良好。