用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路*

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0205

电子与封装 ›› 2022, Vol. 22 ›› Issue (2): 020303 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0205

用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路^*

陈恒江¹;周德金^2,3;何宁业⁴;汪礼⁴;陈珍海^3,4

1. 无锡中微爱芯电子有限公司，江苏无锡 ?214035；2. 复旦大学微电子学院，上海 ?200443；3. 清华大学无锡应用技术研究院，江苏无锡 ?214072；4. 黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心，安徽黄山 ?245041

收稿日期:2021-08-27 出版日期:2022-02-23 发布日期:2022-01-23
作者简介: 陈恒江(1978—)，男，江苏徐州人，本科毕业于西安电子科技大学电子工程专业，主要从事集成电路设计工作。

Fast-Transient LDO Circuitfor GaN HEMT Gate Driving Circuit

CHEN Henjiang¹, ZHOU Dejin^2,3, HE Ningye⁴, WANG Li⁴, CHEN Zhenhai^3,4

1. Wuxi I-CoreElectronics Co., Ltd., Wuxi 214035, China; 2. School of Microelectronics,Fudan University, Shanghai 200443, China; 3. Wuxi Research Institute of Applied Technologies Tsinghua University, Wuxi 214072, China; 4. Engineering Technology Research Center of Intelligent Microsystems ofAnHui Province, Huangshan University, Huangshan 245041, China

Received:2021-08-27 Online:2022-02-23 Published:2022-01-23

摘要/Abstract

摘要： 设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管（High-Electron-Mobility Transistor，HEMT）器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器（Low Dropout Regulator，LDO）电路，可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压。该电路采用动态偏置结构，通过在大负载发生时给误差放大器增加一个额外的动态偏置结构，来加快输出端的瞬态响应速度。基于0.18 μm BCD工艺，完成了电路设计验证。仿真结果显示LDO瞬态响应时间小于0.5 μs，可满足频率达1 MHz的GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求。

关键词: 高电子迁移率晶体管, 栅驱动, 低压差线性稳压器, 快速响应

Abstract: A fast response low dropout regulator (LDO) circuit for GaN high-electron-mobility transistor (HEMT) device gate driver chip is designed, which can provide fast response power supply voltage for high-speed digital circuits. The circuit adopts dynamic bias technique, which can increase the transient response of the output terminal by adding an additional dynamic offset structure to the error amplifier when heavy load occurs. The circuit is designed and verified on the 0.18 μm BCD process. The simulation results show that the transient response time of LDO is less than 0.5 μs, which can meet the requirements of GaN HEMT device gate driver with the switching frequency over 1 MHz.

Key words: HEMT, gatedrivingcircuit, LDO, fast-transient

中图分类号:

TN402

陈恒江;周德金;何宁业;汪礼;陈珍海. 用于GaN HEMT栅驱动芯片的快速响应LDO电路^*[J]. 电子与封装, 2022, 22(2): 020303 .

CHEN Henjiang, ZHOU Dejin, HE Ningye, WANG Li, CHEN Zhenhai. Fast-Transient LDO Circuitfor GaN HEMT Gate Driving Circuit[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(2): 020303 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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Fast-Transient LDO Circuitfor GaN HEMT Gate Driving Circuit

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