适用于EEPROM的宽工作条件LDO设计

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0149

电子与封装 ›› 2023, Vol. 23 ›› Issue (11): 110302 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0149

适用于EEPROM的宽工作条件LDO设计

周旺,李一男,陈风凉,沈鑫,王留所

中国电子科技集团公司第五十八研究所，江苏无锡 214035

收稿日期:2023-06-12 出版日期:2023-11-28 发布日期:2023-11-28
作者简介:周旺（1995—），男，江苏宿迁人，本科，助理工程师，主要从事反熔丝FPGA及SRAM等存储器研发工作；

Design of an LDO for EEPROM with Wide Working Condition

ZHOU Wang,LI Yi'nan,CHEN Fengliang,SHEN Xin,WANG Liusuo

China ElectronicsTechnology Group Corporation No.58 ResearchInstitute, Wuxi 214035, China

Received:2023-06-12 Online:2023-11-28 Published:2023-11-28

摘要/Abstract

摘要： 设计了一种适用于EEPROM的LDO电路。该电路在电源电压为2.3~5.7 V、工作温度为-60~135℃时可获得稳定的1.8V输出电压，为EEPROM单元读取操作提供所需栅电压。采用国内0.18 μm商用工艺，版图尺寸为480 μm×100 μm。给出了Hspice仿真环境下的仿真结果。

关键词: EEPROM, LDO, 宽电源电压, 高启动速度, 低功耗

Abstract: An LDO circuit for EEPROM is designed. This circuit can obtain a stable output voltage of 1.8 V when the power supply voltage is 2.3-5.7 V and the operating temperature is -60-135℃, providing the required gate voltage for EEPROM cell reading operation. This design adopts domestic 0.18 μm commercial process, its layout size is 480 μm×100 μm. Simulation results under the Hspice simulation environment are provided.

Key words: EEPROM, LDO, wide power supply voltage, high startup speed, low power consumption

中图分类号:

TN402

周旺,李一男,陈风凉,沈鑫,王留所. 适用于EEPROM的宽工作条件LDO设计[J]. 电子与封装, 2023, 23(11): 110302 .

ZHOU Wang,LI Yi'nan,CHEN Fengliang,SHEN Xin,WANGLiusuo. Design of an LDO for EEPROM with Wide Working Condition[J]. Electronics & Packaging, 2023, 23(11): 110302 .

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中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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