电子与封装 ›› 2018, Vol. 18 ›› Issue (9): 15 -19. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2018.0096
王堋钰,高 博,钱 正,龚 敏,谭 萍
WANG Pengyu, GAO Bo, QIAN Zheng, GONG Min, TAN Ping
摘要: 基于CSMC 180 nm CMOS工艺,设计了一款8位逐次逼近(SAR)A/D转换器芯片。采用了改进型的DAC结构,不仅解决了最高位电容对SAR ADC速度的影响,而且提高了高速动态锁存比较器电路的效率。仿真结果表明,在输入信号为25 MHz、采样频率51 MS/s的条件下进行仿真,该A/D转换器的功耗为0.61 mW,FOM值为89 fJ/conv,信号噪声失真比(SNDR)为44.34 dB,无散杂动态范围(SFDR)为51.6 dB,有效位数(ENOB)为7.07 dB。在固定单位电容的结构中,只在差分结构两端最高位各增加一个寄存器资源的条件下,以增加0.05 mW的功耗代价,使速度相对于传统结构提高了一倍。
中图分类号: