摘要: 基于CSMC 0.5 μm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用折叠式共源共栅放大器反馈结构带隙基准源,利用晶体管的VBE与IC的温度特性产生T1nT补偿量,对传统的带隙基准进行曲率补偿。仿真结果表明,在5 V供电电压下,-40~125℃温度范围内,基准电压的波动范围为1.2715~1.2720 V,温漂为3.0×10-6/℃,低频时电路电源抑制比为-86 dB。
中图分类号:
吕江萍,胡巧云. 一种曲率补偿的高精度带隙基准源设计[J]. 电子与封装, 2016, 16(8):
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LV Jiangping,HU Qiaoyun. Design of a Bandgap Reference with Curvature Compensation[J]. Electronics & Packaging, 2016, 16(8):
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