中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

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电子与封装 ›› 2016, Vol. 16 ›› Issue (7): 14 -17. doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2016.0079

• 封装、组装与测试 • 上一篇    下一篇

光电器件用金属外壳高频性能的改进

袁中朝,许 健,崔大健,姚科明   

  1. 中国电子科技集团公司第44研究所,重庆 400060
  • 收稿日期:2016-03-03 出版日期:2016-07-20 发布日期:2016-07-20
  • 作者简介:袁中朝(1982—),男,重庆人,毕业于长春理工大学,现就职于中国电子科技集团公司第44研究所,工程师,主要从事光电金属外壳技术研究。

Microwave Performance Improvement of Metal Packages for Optoelectronic Devices

YUAN Zhongchao,XU Jian,CUI Dajian,YAO Keming   

  1. China Electronics Technology Group Corporation No.44 Research Institute,Chongqing 400060,China
  • Received:2016-03-03 Online:2016-07-20 Published:2016-07-20

摘要: 金属外壳对光电器件的微波高频特性有重要的影响。从金属外壳的内腔结构和传输线过渡结构两个方面,对光电器件的高频特性进行改进。通过对金属外壳内腔的几何结构、传输线过渡结构进行改进,成功地将器件的衰减尖峰从14.5 GHz移至3 dB带宽之外的19.1 GHz,使器件的3 dB带宽提高了1 GHz。

关键词: 外壳, 高频特性, 谐振频率, 阻抗匹配

Abstract: Metal packages significantly affect the high-frequency characteristics of optoelectronic devices.In the paper,both the inner cavity and transition structure of transmission lines of packages for high-frequency optoelectronic devices have been optimized.The improved structures successfully shift the resonant peak attenuation from 14.5 GHz to 19.1 GHz with 3 dB bandwidth increased by 1 GHz.

Key words: package, high-frequency characteristic, resonance frequency, impedance matching

中图分类号: