微波固态器件与单片微波集成电路技术的新发展*

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0208

电子与封装 ›› 2021, Vol. 21 ›› Issue (2): 020105 . doi: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0208

所属专题： GaN 电子器件与先进集成

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微波固态器件与单片微波集成电路技术的新发展^*

周德金^1,2,黄伟^1,3,宁仁霞4

1.复旦大学，上海 200443；2.清华大学无锡应用技术研究院，江苏无锡 214072；3. 桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室，广西桂林，541004；4.黄山学院信息工程学院智能微系统安徽省工程技术研究中心，安徽黄山 245021

收稿日期:2020-08-06 出版日期:2021-02-24 发布日期:2020-09-22
作者简介:周德金（1980—），男，江苏徐州人，博士研究生，从事功率与射频半导体技术研究。

Development of Microwave Solid State Devices andMicrowave Monolithic Integrated Circuit Technology

ZHOU Dejin^1,2, HUANG Wei^{1, 3}, NING Renxia4

1.Fudan University,Shanghai200443,China; 2.Wuxi Research Institute of Applied Technologies,Tsinghua University,Wuxi214072,China; 3.Huangshan University, Engineering Technology Research Center of Intelligent Microsystems AnHui Province, Huangshan245021,China; 4.Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application, Guilin University of Electronic Technology, Guilin541004,China

Received:2020-08-06 Online:2021-02-24 Published:2020-09-22

摘要/Abstract

摘要： 对不同时代的单片微波集成电路（MMIC）的器件工艺发展和应用发展状况进行概况总结，并结合当前的研究与应用热点，重点分析以砷化镓(GaAs)、氮化镓（GaN）为代表的微波化合物固态器件和基于MMIC的异构异质集成新技术路径，并就今后发展的趋势做出展望。

关键词: ?微波单片集成电路, 氮化镓, 砷化镓, 磷化铟, 异质集成

Abstract: This paper introduces the development of microwave monolithic integrated circuit (MMIC). According to the current research hotspots, the research status of new structures of GaAs, GaN devices based on compound semiconductor and the research progress of heterogeneous integration technology about RF micro-system are put forward. Also the development trend in the future of MMIC is prospected.

Key words: monolithicmicrowaveintegratedcircuit, galliumnitride, galliumarsenide, indiumphosphide, heterogeneousintegration

中图分类号:

TN385

周德金, 黄伟, 宁仁霞. 微波固态器件与单片微波集成电路技术的新发展^*[J]. 电子与封装, 2021, 21(2): 020105 .

ZHOU Dejin, HUANG Wei, NING Renxia. Development of Microwave Solid State Devices andMicrowave Monolithic Integrated Circuit Technology[J]. Electronics & Packaging, 2021, 21(2): 020105 .

[1]	杨昆,朱家昌,吉勇,李轶楠,李杨. 有机封装基板的芯片埋置技术研究进展[J]. 电子与封装, 2024, 24(2): 20102-.
[2]	钟毅, 江小帆, 喻甜, 李威, 于大全. 芯片三维互连技术及异质集成研究进展^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(3): 30102-.
[3]	黄森, 张寒, 郭富强, 王鑫华, 蒋其梦, 魏珂, 刘新宇. 面向下一代GaN功率技术的超薄势垒AlGaN/GaN异质结功率器件^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(1): 10102-.
[4]	徐嘉悦;王茂俊;魏进;解冰;郝一龙;沈波. GaN垂直结构器件结终端设计^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(1): 10105-.
[5]	李秋璇, 李杨, 王霄, 陈治伟, 敖金平. 微波氮化镓肖特基二极管及其应用^*[J]. 电子与封装, 2023, 23(1): 10106-.
[6]	张飞;曹智慧;叶坤;于天新;汤正波. S波段6位高性能数字移相器[J]. 电子与封装, 2022, 22(12): 120305-.
[7]	彭龙新;戴家赟;王钊;贾晨阳. 电流垂直流动集成大功率PIN限幅MMIC技术[J]. 电子与封装, 2021, 21(6): 60405-.
[8]	汤茗凯;唐世军;顾黎明;周书同. C波段连续波200 W GaN内匹配功率管的设计与实现[J]. 电子与封装, 2021, 21(5): 50302-.
[9]	赖静雪, 陈万军, 孙瑞泽, 刘超, 张波. GaN单片功率集成电路研究进展^*[J]. 电子与封装, 2021, 21(2): 20103-.
[10]	黄光伟,马跃辉,陈智广,李立中,林伟铭. 基于GaAs背孔工艺监控研究[J]. 电子与封装, 2021, 21(2): 20401-.
[11]	李建平，吴少兵. 100 nm GaN基6~18 GHz低噪声放大器的研制[J]. 电子与封装, 2019, 19(9): 28-31.
[12]	徐永刚，顾黎明，汤茗凯，唐世军，陈晓青，刘　柱，陈　韬. C波段400W GaN内匹配功率管研制[J]. 电子与封装, 2018, 18(6): 42-44.
[13]	陆雨茜，陈华康，高　博，龚　敏. K波段高功率放大器MMIC设计[J]. 电子与封装, 2018, 18(10): 26-28.
[14]	罗宁，张有涛，李晓鹏，张敏. 基于InP HBT的5 GS/s采样保持电路设计[J]. 电子与封装, 2017, 17(5): 20-23.
[15]	王乐乐，钟世昌，谢凌霄，鞠久贵. S波段GaN内匹配功放管[J]. 电子与封装, 2017, 17(5): 33-36.

中国半导体行业协会封装分会会刊

中国电子学会电子制造与封装技术分会会刊

微波固态器件与单片微波集成电路技术的新发展^*

Development of Microwave Solid State Devices andMicrowave Monolithic Integrated Circuit Technology

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