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环氧塑封料用热潜伏型固化促进剂的研究与应用进展*
王璐;常白雪;岳艺宇;吴宇林;吴昊;陈淑静;刘金刚
环氧塑封料（EMC）是集成电路芯片（IC）先进封装的关键材料之一，而固化促进剂又是影响EMC在IC先进封装应用中的可靠性的重要成分之一。综述了近年来国内外EMC用热潜伏型固化促进剂（TLC）在基础与应用领域中的研究进展。从IC先进封装用EMC的发展趋势、EMC的发展对TLC的性能需求以及当前IC封装应用中的主流EMC相关TLC材料的研究现状等几个方面进行了阐述。重点阐述了有机磷系络合型本征型TLC的研究与发展状况，以及对先进EMC用TLC组分的未来发展趋势进行了展望。
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王璐;常白雪;岳艺宇;吴宇林;吴昊;陈淑静;刘金刚. 环氧塑封料用热潜伏型固化促进剂的研究与应用进展*[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90201-.
WANG Lu, CHANG Baixue, YUE Yiyu, WU Yulin, WU Hao, CHEN Shujing, LIU Jingang. Progress on the Research and Application of Thermally Latent Curing Acceleratorsin Epoxy Molding Compounds[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90201-.
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电子元器件低温焊接技术的研究进展
王佳星, 姚全斌, 林鹏荣, 黄颖卓, 樊帆, 谢晓辰
低温焊接技术是实现电子元器件多级封装和高温服役的关键技术之一。针对高可靠电子元器件封装对于低温连接、高温服役的焊接技术的需求，从材料制备工艺、焊料熔点变化和焊接工艺技术等方面对纳米金属颗粒低温烧结、瞬时液相低温烧结和颗粒增强低温焊接（烧结）工艺进行了综述。纳米金属颗粒低温烧结工艺形成的焊点稳定服役温度高于300℃，其制备复杂，烧结工艺对焊膏的依赖性较强，进一步优化焊料配方及其烧结工艺为其主流研究方向。瞬时液相低温烧结工艺，通过形成高熔点金属间化合物焊点提高其耐高温性能，其内部组分及耐高温性能对焊接工艺依赖性较强，明确焊点组分以及耐高温性能、焊接工艺为其主流研究方向。颗粒增强低温焊接（烧结）工艺，通过形成高温富集相与金属间化合物提升熔点，回流焊后熔点提升较小，明确其熔点与组分的变化规律为其研究重点。
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王佳星, 姚全斌, 林鹏荣, 黄颖卓, 樊帆, 谢晓辰. 电子元器件低温焊接技术的研究进展[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90202-.
WANG Jiaxing, YAO Quanbin, LIN Pengrong, HUANG Yingzhuo, FAN Fan, XIE Xiaochen. Research Progress of Low Temperature Welding Technology for Electronic Components[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90202-.
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共晶平台开发IC新产品的探讨
胡敏
共晶芯片焊接平台因高效、低热阻、低成本，被广泛用于表面贴装半导体分离器件的芯片焊接。随着移动消费电子产品的大量使用，越来越多的IC芯片被放置到小型表面封装中。对于芯片底部没有金属化的IC芯片，经不同工艺比较、选择，将低噪声放大器IC芯片以共晶焊接的方式组装到SC88封装中，并通过可靠性测试，成功实现量产。
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胡敏. 共晶平台开发IC新产品的探讨[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90203-.
HU Min. Discussion of Developing New IC Products on EutecticPlatform[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90203-.
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16 Gbit/s高速串并收发器的调试及交流耦合电容的选取方案
张秀均, 于治, 宋林峰, 季振凯
随着高速串并收发器（SerDes）传输速率的快速提升，如何保证数据的传输质量已成为国内外研究的热点问题。通过对已有研究的分析，基于可测性设计（DFT）的高速SerDes调试方法实现了动态配置SerDes参数。测试了不同速率下高速SerDes的传输性能，并且验证了不同速率下交流（AC）耦合电容的选取对SerDes性能的影响。针对16 Gbit/s以内高速SerDes的不同速率，提出了100 nF和470 nF的耦合电容按速率分段的选取方案。
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张秀均, 于治, 宋林峰, 季振凯. 16 Gbit/s高速串并收发器的调试及交流耦合电容的选取方案[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90204-.
ZHANG Xiujun, YU Zhi, SONG Linfeng, JI Zhenkai. Debugging of 16 Gbit/s High-Speed SerDes and the Selection Scheme of ACCoupling Capacitor[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90204-.
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硅铝丝引线键合参数化建模仿真
蒋玉齐, 刘书利, 夏晨辉, 王毅恒, 陈桥红, 周超杰
拉力测试是检验引线键合强度的常用手段。为了更好地研究硅铝丝在拉力测试过程中的受力情况，结合力学理论模型、三维有限元仿真模型和实验数据对比，分析了相关键合参数和初始塑性变形的影响。在拉钩上升过程中，拉力先变大、后变小，伴随着引线的颈缩。在水平方向上，弧线的最高点距离第一焊点越近，拉脱力越大。在弧线水平跨距不变的情况下，弧高变大时，拉脱力也变大。与实验数据相对比，仿真模型的预测准确性达到了95%，为硅铝丝引线键合工艺提供了快速和准确的评估方法。
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蒋玉齐, 刘书利, 夏晨辉, 王毅恒, 陈桥红, 周超杰. 硅铝丝引线键合参数化建模仿真[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90205-.
JIANG Yuqi, LIU Shuli, XIA Chenhui, WANG Yiheng, CHEN Qiaohong, ZHOU Chaojie. Parametric Modelling forAlSiWire Bonding[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90205-.
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不同规格色素炭黑对环氧塑封料性能的影响
曹二平, 蔡晓东, 牟海燕
以多芳型环氧树脂为基体树脂，多芳型酚醛树脂为固化剂，研究了不同规格色素炭黑对环氧塑封料性能的影响。通过凝胶化时间、螺旋流动长度、邵氏热硬度、体积电阻率、离子电导率和激光打标清晰度等对其进行表征。结果表明，适当降低炭黑吸油值，对环氧塑封料理化性能影响较小，同时有利于提高环氧塑封料的电绝缘性能和激光打标效果。当用原生粒径为21 nm、炭黑吸油值为65 ml/100 g的JY 2021炭黑时，环氧塑封料的凝胶时间为37 s，螺旋流动长度为150 mm，邵氏热硬度为72，体积电阻率为14.7× 1015 Ω·cm，此时离子电导率曲线最低，黑度及激光打标清晰度综合性能最好。
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曹二平, 蔡晓东, 牟海燕. 不同规格色素炭黑对环氧塑封料性能的影响[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90206-.
CAO Erping, CAI Xiaodong, MOU Haiyan. Influence of Different Specifications of Pigment Carbon Blackon Properties of Epoxy Molding Compound[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90206-.
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基于双极型晶体管的温度传感器
阳佳丽, 赵新, 高博, 张析, 龚敏
提出了一种基于双极型晶体管（BJT）宽温度范围的温度传感器。该温度传感器电路通过两个温度特性互补的电流产生一个高斜率的电压，采用电流增益补偿技术和斩波稳定技术来提高传感器输出电压的线性度，同时可通过合理调节电阻值和电流镜比例获得不同的输出电压。在0.18 μm HVCMOS工艺下对传感器进行仿真，结果表明，在－55~125 ℃温度范围内，温度传感器的温度系数为11.2 mV/℃，误差在-0.8~0.8 ℃。
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阳佳丽, 赵新, 高博, 张析, 龚敏. 基于双极型晶体管的温度传感器[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90301-.
YANG Jiali, ZHAO Xin, GAO Bo, ZHANG Xi, GONG Min. Temperature SensorBasedonBipolarJunction Transistor[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90301-.
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用于反熔丝配置芯片的编程和读出电路设计
曹正州, 李光明
基于0.18 μm 1P6M 金属－金属（MTM）反熔丝工艺设计了一种用于FPGA配置芯片的编程和读出电路，提供按位和按字节两种编程方法，提高了编程的灵活性。编程高压电路的从电荷泵采用分布式的布局，提高了编程电压的精度。在读出电路上，读上拉电流和读脉冲宽度可以编程，提高了读出电路的可靠性。数据输出寄存器采用三模冗余的结构，提高了配置芯片的抗辐射性能。
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曹正州, 李光明. 用于反熔丝配置芯片的编程和读出电路设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90302-.
CAO Zhengzhou, LI Guangming. Design of Programming andReadout Circuit for Configuration Chip Based on Anti-Fuse Process[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90302-.
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电流模BUCK DC-DC变换器的系统建模与仿真分析*
王聪;刘颖异;唐旭升
开关电源转换器是一个闭环网络控制系统，此系统存在高阶、离散、非线性和时变等特性。得到了一个CCM模式下脉冲宽度调制（PWM）控制的电流模BUCK变换器的小信号模型，该模型描述了系统稳态工作时的小信号特性。通过集成电路设计工具Virtuoso，利用AnalogLib库中理想器件得到关于近似函数的小信号模型。通过对小信号模型的稳定性仿真，能够预测电流模式控制的电源变换器的所有小信号特性，包括BUCK次谐波振荡的产生、斜坡补偿和补偿网络对系统稳定性的影响。
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王聪;刘颖异;唐旭升. 电流模BUCK DC-DC变换器的系统建模与仿真分析*[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90303-.
WANG Cong, LIU Yingyi, TANG Xusheng. System Modeling and Simulation Analysis of a Current-ModeBUCK DC-DC Converter[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90303-.
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用于FPGA的高效可测性设计
陈波寅, 胡晓琛, 张智, 赵赛
近几年，现场可编程门阵列（FPGA）的设计和制造技术高速发展，对于FPGA的测试也成为了一个重要的问题，高效的可测性设计方案对于降低测试成本、提高测试覆盖率和测试效率起着决定性的作用。通过将FPGA的开关矩阵结构和可测性设计（DFT）技术相结合，实现了FPGA定制电路知识产权（IP）核的高效测试方案，利用自动测试设备（ATE）证明了其有效性和可实现性。该设计实例是基于高速串行计算机扩展总线标准（PCIe）展开、在传统DFT流程上结合FPGA架构特性演化出的一种新的可编程高效可测性设计。
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陈波寅, 胡晓琛, 张智, 赵赛. 用于FPGA的高效可测性设计[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90304-.
CHEN Boyin, HU Xiaochen, ZHANG Zhi, ZHAO Sai. Efficient Testability Designfor FPGA[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90304-.
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加速Flash系列FPGA芯片功能验证方法
胡凯, 丛红艳, 闫华, 张艳飞, 李涌
提出了一种加速闪存（Flash）系列现场可编程门阵列（FPGA）芯片功能验证方法。通过解析全配置位流，得到帧数据与svf文件的映射关系，根据验证用例赋值相应的配置位流，大大减少了大规模FPGA全芯片功能验证的配置时间，加速了仿真的速度，提高了仿真验证效率。该方法已成功应用于Flash系列FPGA芯片电路功能验证工程实践中。
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胡凯, 丛红艳, 闫华, 张艳飞, 李涌. 加速Flash系列FPGA芯片功能验证方法[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90305-.
HU Kai, CONG Hongyan, YAN Hua, ZHANG Yanfei, LI Yong. Accelerated Integration Verification Method for Flash SeriesFPGA Chips[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90305-.
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一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT
吴毅, 夏云, 刘超, 陈万军
提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管（RC-IGBT），并基于Sentaurus
TCAD进行了电学特性仿真。提出的超结RC-IGBT通过超结的P柱将集电极N+区域与P+区域隔开，消除了传统超结RC-IGBT正向导通时存在的折回现象。与传统超结RC-IGBT结构相比，在导通电流密度为100
A/cm2时新结构的正向导通压降减少了20.9%，反向导通压降减少了20.7%，在相同正向导通压降（1.55 V）下新结构的关断损耗降低了19.9%。
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吴毅, 夏云, 刘超, 陈万军. 一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90401-.
WU Yi, XIA Yun, LIU Chao, CHEN Wanjun. NovelSuperjunctionReverseConducting IGBT Without Voltage Snapback Phenomenon[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90401-.
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微波组件幅相特性影响因素分析
肖晖;脱英英;吕英飞;罗建强
以移相模块为例仿真分析电路基板的材料参数和微组装工艺参数对微波组件幅相特性的影响。其中基板的介电常数变化对组件相位的影响极大，对损耗的影响可忽略；介质损耗角正切和金属表面粗糙度变化对传输损耗的影响较大，对组件相位影响可忽略。级联金丝弧高和跨距变化对信号幅度和相位的影响均较大。为保障微波组件的幅相一致性，应提高基板材料参数和微组装工艺参数的一致性。同时为提高组件性能，级联金丝的弧高应小于0.20 mm，金丝跨距应小于0.30 mm。
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肖晖;脱英英;吕英飞;罗建强. 微波组件幅相特性影响因素分析[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90402-.
XIAO Hui, TUO Yingying, LYU Yingfei, LUO Jianqiang. Analysis of InfluencingFactors of Amplitude-Phase Characteristics for Microwave Modules[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90402-.
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一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究*
周淼, 汤亮, 何逸涛, 陈辰, 周锌
基于介质场增强（ENDIF）理论，提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管（PSJ
SOI LIGBT）。分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响，并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术，使该器件实现了高垂直方向耐压和低导通电阻。测试结果表明，该器件的耐压达到816 V，比导通电阻仅为12.5 Ω?mm2。
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周淼, 汤亮, 何逸涛, 陈辰, 周锌. 一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究*[J]. 电子与封装, 2022, 22(9): 90403-.
ZHOU Miao, TANG Liang, HE Yitao, CHEN Chen, ZHOU Xin. Study on a Thin Layer SOI LIGBT Device with Partial Superjunction[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(9): 90403-.
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