电子与封装

2017年第17卷第10期 pp.1 -5

董一鸣，申忠科，梁正苗. 密封可伐外壳的气氛氢逸散行为研究[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 1-5.

DONG Yiming,SHEN Zhongke,LIANG Zhengmiao. Study of Hydrogen Release Behavior in Hermetic Kovar Shells[J]. Electronics and Packaging, 2017, 17(10): 1-5.

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BGA器件筛选过程中的焊球问题及防护措施

王瑜

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0116

摘要 ( 180 )

HTML ( 10 )

PDF(1106KB) ( 189 )

伴随着高密度电子组装技术的发展，BGA（BallGrid Array）成为高密度、高性能、多功能及高I/O数封装的最佳选择。对BGA器件筛选过程中出现的不良案例发生的原因进行了分析。根据异常情况提出了BGA器件筛选过程中的控制措施，包括来料把关、过程控制和质量控制（规范化）等，以保证BGA器件在后期筛选过程中的可靠性。重点对BGA器件在筛选过程中的现场控制、焊球防护及管理方面进行了阐述。

参考文献 |

2017年第17卷第10期 pp.6 -8

王瑜. BGA器件筛选过程中的焊球问题及防护措施[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 6-8.

WANG Yu. Study of Solder Ball Problems and Countermeasures During BGA Screening Process[J]. Electronics and Packaging, 2017, 17(10): 6-8.

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一种FPGA芯片中DSP模块的内建自测试方法

孙洁朋，魏建民，闫华，丛红艳

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0117

摘要 ( 145 )

HTML ( 3 )

PDF(1762KB) ( 172 )

提出了一种针对Xilinx Virtex-4/5系列FPGA芯片中嵌入式数字信号处理器（DSP）的内置自检测试（BIST）和故障诊断方法。该方法可以对DSP电路中乘法器和加法器进行有效的测试，缩短测试时间，减少工作量。同时通过更改DSP的配置信息来实现全芯片DSP的功能测试，提高了DSP模块的测试故障覆盖率。

参考文献 |

2017年第17卷第10期 pp.9 -12

孙洁朋，魏建民，闫华，丛红艳. 一种FPGA芯片中DSP模块的内建自测试方法[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 9-12.

SUN Jiepeng,WEIJianmin,YAN Hua,CONG Hongyan. A New Method of Built-In Self-Test of DSP in FPGAs[J]. Electronics and Packaging, 2017, 17(10): 9-12.

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高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定

涂启志¹，凌浪波²

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0118

摘要 ( 260 )

HTML ( 4 )

PDF(1038KB) ( 233 )

IGBT（Insulate Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管）已得到广泛应用。为提高封装阶段的成品率，需对芯片的高温漏电特性进行测试。通过对芯片测试参数的分析，提出了可通过对Vgth（阈值电压）的测试、比对，实现对芯片在高温测试条件下实际测试温度的校正。

参考文献 |

2017年第17卷第10期 pp.13 -16

涂启志¹，凌浪波². 高压IGBT芯片高温测试温度的阈值电压标定[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 13-16.

TU Qizhi¹,LING Langbo². VgthMethod During High Temperature Test of High-Voltage IGBT Chip[J]. Electronics and Packaging, 2017, 17(10): 13-16.

电路设计

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一种适用于超低功耗MCU的振荡器设计

赵海，谢兴华，孙洋

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0119

摘要 ( 158 )

HTML ( 5 )

PDF(3166KB) ( 157 )

提出并设计了一种新型低速振荡器，利用MCU电路内部的主时钟对低速时钟进行测试并且自校准，在几乎不增加功耗的前提下可以大大提高低速振荡器的精度和稳定性。与常规的低速振荡器相比，该结构具有功耗低、精度高、稳定性好的优点。仿真结果表明，此电路结构符合设计预期。

参考文献 |

2017年第17卷第10期 pp.17 -20

赵海，谢兴华，孙洋. 一种适用于超低功耗MCU的振荡器设计[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 17-20.

ZHAO Hai,XIE Xinghua,SUN Yang. Design of an Oscillator for Ultra-Low Power MCU[J]. Electronics and Packaging, 2017, 17(10): 17-20.

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一种低电源电压的多通道UART设计

王雪萍¹，张国华¹,²，顾展宏²，卓琳²

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0120

摘要 ( 113 )

HTML ( 3 )

PDF(1668KB) ( 109 )

为了满足复杂控制场合中多点通讯、低功耗、高速率以及低错误率等的要求，提出了一个低电源电压的多通道通用异步收发器（URAT，Universal Asynchronous Receiver and Transmitter）设计方案。每个通道独立控制，发送端和接收端配置的FIFO（First In First Out）在高速数据传输期间可临时存储数据以免数据丢失。采用自上而下的设计方法，使用Cadence工具进行合成与仿真。测试结果表明，该电路满足设计要求，仿真波形验证了数据收发的完整性。

参考文献 |

2017年第17卷第10期 pp.21 -25

王雪萍¹，张国华¹,²，顾展宏²，卓琳². 一种低电源电压的多通道UART设计[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 21-25.

WANG Xueping¹,ZHANG Guohua¹,²,GU Zhanhong²,ZHUO Lin². Design of a Low Supply Voltage Multi-Channel UART[J]. Electronics and Packaging, 2017, 17(10): 21-25.

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一种用于ESD保护的SCR触发电路

邵红¹，张森¹，齐钊²，乔明²

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0121

摘要 ( 169 )

HTML ( 8 )

PDF(1070KB) ( 281 )

介绍一种检测ESD电压并输出触发或关断信号的电路结构。通过对ESD脉冲的上升沿进行分辨，然后输出触发信号从而触发SCR钳位器件对内部电路进行保护，并在ESD脉冲结束时对脉冲下降沿进行检测，从而输出关断信号关断SCR钳位器件，防止闩锁效应的发生。仿真结果显示，该电路能较好地检测ESD脉冲的上升沿或下降沿而输出不同的信号，从而能降低SCR钳位器件的触发电压，并防止闩锁效应。

参考文献 |

2017年第17卷第10期 pp.26 -30

邵红¹，张森¹，齐钊²，乔明². 一种用于ESD保护的SCR触发电路[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 26-30.

SHAO Hong¹,ZHANG Sen¹,QIZhao²,QIAO Ming². A SCR Trigger Circuit for ESD Protection[J]. Electronics and Packaging, 2017, 17(10): 26-30.

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基于自偏置结构的参考电流源电路

李健¹，李现坤²，孙峰²，肖培磊²，宣志斌²

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0122

摘要 ( 290 )

HTML ( 11 )

PDF(1124KB) ( 177 )

在传统参考电流源的基础上，设计了一种结构更为简单，与电源电压、温度无关的参考电流源，并在此基础上进一步优化了自偏置电路镜像电流的精度，更好地提高整个电路的性能。该电路基于SMIC 0.18μm BCD CMOS工艺，使用Cadence仿真软件进行电路仿真。结果表明，在-55～125℃的温度范围内，该电路的输出电流变化不超过3%，并且优化后的电流源镜像精度也得到了大幅度的提高。

参考文献 |

2017年第17卷第10期 pp.31 -35

李健¹，李现坤²，孙峰²，肖培磊²，宣志斌². 基于自偏置结构的参考电流源电路[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 31-35.

LI Jian¹,LI Xiankun²,SUN Feng²,XIAO Peilei²,XUAN Zhibin². Reference Current Source Circuit Based on Self-Bias Structure[J]. Electronics and Packaging, 2017, 17(10): 31-35.

微电子制造与可靠性

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埋氧离子注入对P型部分耗尽SOI电学与低频噪声的影响

陈海波¹，刘远²,³，吴建伟¹，恩云飞²

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0123

摘要 ( 128 )

HTML ( 3 )

PDF(1780KB) ( 147 )

针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究，分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响，并预测其稳定性的变化。首先，对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明：埋氧化层离子注入后，器件背栅阈值电压由-43.39 V变为-39.2 V，空穴有效迁移率由127.37 cm2/Vs降低为80.45 cm2/Vs，亚阈摆幅由1.35 V/dec增长为1.69 V/dec；结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化，提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后，分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化，提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度，由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制，提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后，基于迁移率随机涨落机制，提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2，这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

参考文献 |

2017年第17卷第10期 pp.36 -41

陈海波¹，刘远²,³，吴建伟¹，恩云飞². 埋氧离子注入对P型部分耗尽SOI电学与低频噪声的影响[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 36-41.

CHEN Haibo¹,LIU Yuan²,³,WU Jianwei¹,EN Yunfei². Dependence of Ion Implantation on the Electrical Characteristics and Low Frequency Noise in the P-Type PD-SOI Devices[J]. Electronics and Packaging, 2017, 17(10): 36-41.

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晶体管厄利电压对功放电路静态电流影响实例分析

邱静君

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0124

摘要 ( 256 )

HTML ( 4 )

PDF(698KB) ( 106 )

通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例，分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比，分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性，并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件（即增加基区结深），使晶体管厄利电压增大，可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

参考文献 |

2017年第17卷第10期 pp.42 -44

邱静君. 晶体管厄利电压对功放电路静态电流影响实例分析[J]. 电子与封装, 2017, 17(10): 42-44.

QIU Jingjun. Study of Early Voltage Transistor Effect on Quiescent Current in Power-Amplifier Integrated Circuits[J]. Electronics and Packaging, 2017, 17(10): 42-44.

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基于异常电磁信号的无源定位精度分析

邵炜剑，陈伟

doi:10.16257/j.cnki.1681-1070.2017.0125

摘要 ( 109 )

HTML ( 6 )

PDF(981KB) ( 71 )

电磁环境状况直接影响社会生活的质量及人体健康。为了能够准确获取异常电磁信号的位置，经过分析我国电磁环境监测的发展现状，提出一种利用三基线干涉仪相位差变化率来实现对异常电磁信号定位的新方法，并对该方法进行精度分析。结果表明，在允许误差范围下，该方法具有良好的定位精度。

参考文献 |