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SiC混合功率模块封装工艺
徐文辉，陈云，王立
SiC（碳化硅）材料作为第三代半导体材料，具有高结温、高临界击穿电压、高热导率等特点，因此，SiC材料有利于实现功率模块的小型化并提高功率模块的高温性能。基于此，同时为了实现模块的自主可控化，将Si模块中的Si二极管用自主SiC二极管进行替代，制作SiC混合功率模块。主要介绍混合功率模块封装工艺的关键工序：回流、铝线键合、点胶、灌胶。
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徐文辉，陈云，王立. SiC混合功率模块封装工艺[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 1-3.
XU Wenhui, CHEN Yun, WANG Li. Packaging Process of SiC Hybrid Power Module[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 1-3.
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多次回流对不同成分Sn-Pb凸点IMC生长的影响
文惠东，林鹏荣，练滨浩，王勇，姚全斌
以不同成分Sn-Pb凸点为研究对象，分析回流次数对凸点IMC生长的影响。试验结果表明，多次回流中，5Sn95Pb凸点的剪切强度变化幅度最大，其余凸点抗剪切强度波动范围较小。凸点界面处IMC层厚度值均逐渐增大，其中3Sn97Pb和5Sn95Pb凸点界面处的IMC厚度增加速度较慢。界面IMC层晶粒尺寸逐渐增大，10次回流后，3Sn97Pb和63Sn37Pb凸点界面处观测到长轴状凸起，5Sn90Pb和10Sn90Pb凸点界面处IMC层呈现出较为平坦的形态。
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文惠东，林鹏荣，练滨浩，王勇，姚全斌. 多次回流对不同成分Sn-Pb凸点IMC生长的影响[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 4-8.
WEN Huidong, LIN Pengrong, LIAN Binhao, WANG Yong, YAO Quanbin. Study on IMC Formation of Different Sn-Pb Bumps with Multiple Reflow Times[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 4-8.
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可伐与铝碳化硅复合材料气密低温钎焊工艺研究
金家富，杨程，霍绍新
气密封装对采用裸芯片组装而成的多芯片组件至关重要，它可以让组件内部长期保持惰性气氛，降低元器件因湿气造成的环境失效。可伐材料是一种常用的封装材料，在微组装领域应用广泛。为弥补这种材料材料密度大、导热性能差的缺点，结构上选择铝碳化硅材料增强散热效果，同时达到减重的目的。采用低温钎焊工艺进行材料间连接，针对前期研制过程中出现的半密封检漏不合格问题进行分析，开展焊料选择、焊接参数优化工作，使半密封检漏漏率小于5×10-2Pa·cm3/s。
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金家富，杨程，霍绍新. 可伐与铝碳化硅复合材料气密低温钎焊工艺研究[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 9-11.
JIN Jiafu, YANG Cheng, HUO Shaoxin. Hermetic Soldering Technics on Kovar and Al/SiCp Composite Material[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 9-11.
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MCM封装技术新进展
胡燕妮
MCM封装是多芯片组件，它可以将裸芯片在Z方向叠层，更加适合电子产品轻、薄、短、小的特点。介绍了MCM封装技术的3种分类——MCM-L、MCM-C及MCM-D。其中MCM-L成本低且制作技术成熟，但热传导率及热稳定性低。MCM-C热稳定性好且单层基板价位低，但难以制成多层结构。MCM-D为薄膜封装技术的应用，它也是目前电子封装行业极力研究、开发的技术之一。最后讨论了MCM封装技术在多芯片组件等方面的最新进展。
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胡燕妮. MCM封装技术新进展[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 12-14.
HU Yanni. The Research of MCM Packaging Technology[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 12-14.
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NOR型FLASH存储器测试技术
王征宇，赵桦
NOR型FLASH存储器因其能够长久地保持数据的非易失性（Non-Volatile）特点，被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质，但由于此类器件的编程及擦写均需写入特定指令，以启动内置编程/擦除算法，从而使得采用自动测试系统对其进行测试也具有较高难度。因此，研究NOR型FLASH存储器的测试技术，并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义。首先以AMD公司的AM29LV160DT为例，介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理，接着详细阐述了一种采用J750EX系统的DSIO模块动态生成测试矢量的方法，从而能够更为简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价。
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王征宇，赵桦. NOR型FLASH存储器测试技术[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 15-19.
WANG Zhengyu, ZHAO Hua. The Research of Testing Technology for Flash Memory of NOR Type[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 15-19.
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FPGA配置SRAM设计技术
张艳飞，耿杨
首先分析了配置SRAM在SRAM型FPGA中的作用，介绍了配置SRAM的单元结构及在设计中的要点。设计实现了一种基于65 nm工艺的SRAM结构，并针对读写能力、功耗、噪声给出相应的仿真结果。此电路结构具有低功耗、抗噪声能力强的优点，已被应用于FPGA设计中并流片成功。
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张艳飞，耿杨. FPGA配置SRAM设计技术[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 20-22.
ZHANG Yanfei, GEN Yang. FPGA Configuration SRAM Design Technology[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 20-22.
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基于CMOS工艺的ARINC 429总线接收器设计
李珂，顾飞
基于普通CMOS工艺，设计了一款ARINC 429总线接收器。电路可在3.3 V、5 V两种电源电压下工作，能够直接接收单路ARINC 429总线差分信号输入，转化为数字高低电平输出，同时输出受使能信号控制。采用SMIC 0.18 μm HV LDMOS工艺流片，电路经测试验证，电参数达到设计要求，性能稳定可靠，实用性强，已应用于某航空通信显控系统中。
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李珂，顾飞. 基于CMOS工艺的ARINC 429总线接收器设计[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 23-25.
LI Ke, GU Fei. Design of an ARINC 429 Line Receiver Based on General CMOS Technology[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 23-25.
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基于DICE结构的SRAM抗辐照加固设计
沈婧，薛海卫
存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转，但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构，使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力。同时，对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法，解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固，具有很强的抗单粒子翻转能力。
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沈婧，薛海卫. 基于DICE结构的SRAM抗辐照加固设计[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 26-30.
SHEN Jing, XUE Haiwei. Design of Radiation Hardened SRAM Based on DICE[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 26-30.
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一种多通道缓冲串口的设计与实现
杨晓刚，强小燕，刘太广
设计了一种多通道缓冲串口。在标准串口的功能基础上，增加了多通道控制逻辑来实现串口分时复用。并且加入数据压缩扩展逻辑，能够按照a律或者u律格式对数据进行压缩和扩展。逻辑综合结果表明，该通信串口具有良好的性能，可广泛应用于数字信号处理系统中。
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杨晓刚，强小燕，刘太广. 一种多通道缓冲串口的设计与实现[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 31-36.
YANG Xiaogang, QIANG Xiaoyan, LIU Taiguang. The Design and Implementation of a Multichannel Buffered Serial Port[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 31-36.
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应用于开关电源芯片的频率抖动技术
孙大成
为了减小开关电源中的电磁干扰（EMI），研究了单片开关电源中的频率抖动技术，并简要介绍了频率抖动技术及其原理。设计一个具有频率抖动功能的弛张振荡器，分析了以弛张振荡器原理为基础具有频率抖动功能的振荡器结构设计和原理。通过HSPICE仿真分析电路频谱，结果表明频率抖动技术能有效削减方波的各次谐波幅值，从而达到抑制电磁干扰的效果。重点从抖动范围、抖动周期两方面讨论频率抖动模型，频谱对比分析结果表明抖动范围±7％、抖动周期为128T的抖动模型，其谐波至少下降6 dB以上，高次谐波的峰值下降更为明显，满足6 dB工程裕量的要求，能有效抑制电磁干扰。
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孙大成. 应用于开关电源芯片的频率抖动技术[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 37-40.
SUN Dacheng. The Research of Frequency Jitter Using in Monolithic Switching Power IC[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 37-40.
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HTCC一体化管壳失效问题分析
邱颖霞，胡骏，刘建军
针对HTCC一体化管壳在后道封装中出现的瓷体裂纹、渗胶变色、多余物等失效问题，通过过程应力仿真、材料物理性能测试、失效点检测、工艺对比实验等方法分析原因。并进一步开展了改进验证。对HTCC一体化管壳工程化应用具有借鉴意义。
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邱颖霞，胡骏，刘建军. HTCC一体化管壳失效问题分析[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 41-44.
QIU Yingxia, HU Jun, LIU Jianjun. Failure Analysis of HTCC Integral Substrate/Package[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 41-44.
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一种新型热导式氧气浓度测量方法
钱江蓉，陈丛，许磊，胡国俊
探讨了多种氧气浓度的测量方法，基于微米尺寸悬膜电阻和热传导原理设计了一种新型的热导式氧气浓度测量方法。使用精细微机械加工的悬膜电阻，使得关键元件功耗和成本大为降低。经过仿真模拟和初步实验验证，热导式微型氧气传感器可精确检测较高的氧气浓度。
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钱江蓉，陈丛，许磊，胡国俊. 一种新型热导式氧气浓度测量方法[J]. 电子与封装, 2016, 16(3): 45-47.
QIAN Jiangrong, CHEN Cong, XU Lei, HU Guojun. A New Type Thermal Method for Oxygen Concentration Measurement[J]. Electronics and Packaging, 2016, 16(3): 45-47.
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