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平行缝焊工艺过程镍金多余物控制
张加波
基于裸芯片的微波组件封装腔体内的多余物严重影响产品的可靠性,减少装配过程中的多余物,特别是导电多余物,对提高产品PIND筛选合格率和可靠性具有重要作用。基于某金属陶瓷一体化封装微波组件综合应力筛选失效分析,确定失效原因是平行缝焊封盖时形成的镍金球导致裸芯片器件烧毁。通过优化平行缝焊工艺参数、提高电极角度等措施进行改进,有效降低了平行缝焊过程中产生的镍金多余物,使该组件PIND筛选合格率提升至98%。
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张加波. 平行缝焊工艺过程镍金多余物控制[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70201-.
ZHANG Jiabo. The Control of Nickel and Gold Residue in Parallel Seam Welding Process[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70201-.
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基于平移拾取分选机双列直插封装集成电路测试可行性设计
唐震,黄大伟
Pick & Place自动测试分选机是一种以平移拾取放置为基础的宽温度范围(高温、常温和低温)真空方式吸取电路测试分选机,依靠机械丝杆和磁悬浮传动臂的水平移动吸取电路和垂直移动压测完成整个测试流程。双列直插式封装(Dual In-line Package,简称DIP)是指用双排列管脚直插形式封装的集成电路。军用集成电路测试需要高温、常温和低温3种不同的温度环境来测试,以确保电路的可靠性。为了检测单位能在平移拾取分选机上实现大批量双列直插式封装集成电路尤其是大批量军用双列直插式封装集成电路的测试,通过对Pick & Place自动测试分选机和双列直插式封装集成电路原理结构的分析,结合其在实际使用中的问题提出了一种可以在Pick & Place上实现DIP封装测试创新性的解决方案。
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唐震,黄大伟. 基于平移拾取分选机双列直插封装集成电路测试可行性设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70202-.
TANG Zhen, HUANG Dawei. The Feasibility Design of DIP IC Test Based on Pick & Place Automatic Separator[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70202-.
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一种流水线-逐次逼近型ADC的异步时序控制方法
李跃峰,唐鹤
模数转换器(Analog to Digital Converter,ADC)在现代信号处理领域发挥着关键作用。综合考虑分辨率、采样速率、功耗等性能指标,流水线-逐次逼近型(Pipelined-SAR)ADC有着明显的优势。提出了一种流水线-逐次逼近型ADC的异步时序逻辑控制方法。该控制方法在传统控制方法的基础上,将ADC工作所需控制信号的产生方式及对电路的控制方式做出了改良,精简不必要的控制信号以提高时间利用效率,并且加入级间握手信号以保证ADC的工作稳定性。该方法运用于14 bit 800 Msps Pipeline-SAR ADC中,有效位数(Enob)可以达到12 bit。
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李跃峰,唐鹤. 一种流水线-逐次逼近型ADC的异步时序控制方法[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70301-.
LI Yuefeng, TANG He. An Asynchronous Timing Diagram for Pipeline-SAR ADC[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70301-.
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一款14位流水线-逐次逼近型模数转换器设计
张浩松,唐鹤
基于22nm FDSOI的CMOS工艺设计了一款14位流水线-逐次逼近型模数转换器(Pipelined-SAR ADC),每级流水线中采用了多比较器结构和电容分裂型的数模转换器(CDAC)以实现速度与性能上的折衷,相邻两级之间采用了噪声较小的动态放大器结构,同时通过在后三级流水线各增加一位冗余位来消除比较器失调电压对ADC性能所带来的影响。前仿真结果表明:在电源电压为0.8V、采样速率为1 GSample/s、输入信号频率约为103.52MHz、满摆幅为1.6 V的情况下,ADC的有效位数(ENOB)为12.16位,信噪失真比(SNDR)为74.98dB,无杂散动态范围(SFDR)为86.58 dB,总功耗约为75mW,面积为0.1849 mm2。
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张浩松,唐鹤. 一款14位流水线-逐次逼近型模数转换器设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70302-.
ZHANG Haosong,TANG He. A 14-bit Pipelined-SAR Analog-to-Digital Converter[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70302-.
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基于锁存器实现串并转换电路的方法
项欣,彭析竹
介绍了一种基于锁存器的串行数据转并行数据的接口转换电路的设计方法。串并转换电路由采样信号发生器和并行锁存器两部分组成。采样信号发生器用于将时钟转换为一个个和时钟信号边沿对齐的小脉冲,脉冲宽度为时钟周期的一半;并行锁存器是由若干个锁存器并行而成,锁存器数据输入端连接在一起,由采样脉冲控制锁存器对串行输入数据依次进行采样。数据存储在锁存器中不会丢失,直到下一次采样新的数据写入,因此有足够的时序冗余来保证数据的正确输出。最后对电路的功能进行了仿真验真。
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项欣,彭析竹. 基于锁存器实现串并转换电路的方法[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70303-.
XIANG Xin, PENG Xizhu. A Method of a Serial-to-Parallel Interface Conversion Circuit Based on Latches[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70303-.
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一种基于比较器亚稳态进行电容失配校准的全差分12位SAR ADC
曹文臻,唐鹤
介绍了一种具有新型电容失配校准算法的12位全差分逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)。该校准算法基于比较器的亚稳态实现,同时利用了统计的方法来计算电容的失配量。此外,为了提高亚稳态检测精度并避免“假亚稳态”的问题,在该ADC中使用了一种新的亚稳态检测电路,进一步提高了校准精度并优化了时序控制序列。该SAR ADC采用40 nm CMOS工艺实现验证。后仿真结果显示,与不带校准的相比,该算法可以使ADC的有效位数提高1.52 bits,在130 MSample/s的采样率下达到了11.71 bit。该 ADC的总功率为9.27 mW,面积为0.131 mm2,品质因数(FoM)为17.4 fJ /step。
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曹文臻,唐鹤. 一种基于比较器亚稳态进行电容失配校准的全差分12位SAR ADC[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70304-.
CAO Wenzhen, TANG He. A 12-bit Fully Differential SAR ADC with Capacitor Mismatch Calibration Based on Comparator Metastability[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70304-.
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一种基于CS-MCT串联的脉冲放电电路设计与实现
张兴强,陈楠,陈万军
一种阴极短接的MOS栅控晶闸管(CS-MCT)以其极低的导通压降,简单的栅极驱动电路被广泛应用于脉冲功率领域。但由于系统对高耐压开关器件的需求不断提高,单个器件的耐压已经无法满足,所以器件串联来提升耐压是一种快速且经济的解决方案。通过对栅极等效电路进行分析,得出了在不影响器件正常导通的情况下适量的增大栅极电阻可以提高电路的可靠性。驱动端使用变压器隔离原理,可以有效的进行高压隔离并且提高栅极信号同步性。通过对串联电路动态均压进行仿真,得出在每个器件并联RCD吸收电路可以消除由于器件寄生参数不一致而导致的延迟开启的器件两端的尖峰电压。最后对串联电路进行了测试分析,得出了一种电路简单、可靠性高、均压性好、高峰值电流的串联电路。
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张兴强,陈楠,陈万军. 一种基于CS-MCT串联的脉冲放电电路设计与实现[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70305-.
ZHANG Xinqiang, CHEN Nan, CHEN Wanjun. Design and Implementation of a Pulse Discharge Circuit Based on CS-MCT Series[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70305-.
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用于1 GSample/s 14位ADC的运算跨导放大器
李泽宇,郭轩,武锦,唐鹤
运算跨导放大器是流水线型ADC中乘法数模转换器(MDAC)模块的重要组成部分。设计了一种用于1 GSample/s 14位流水线型ADC的运算跨导放大器(OTA)。由于无线通信领域的应用需要,设计要求在1.8 V的电源电压下,实现1.6 V的差分输出并且能够满足ADC速度和精度要求的运算跨导放大器。采用增益自举电路的套筒式结构可使OTA同时具有高益带宽积(GBW)和高直流增益,并设计共源极放大器作为OTA的第二级实现较大输出摆幅。调零电阻和密勒补偿使OTA在较小功耗下获得合适的相位裕度,配合零极点分析可进一步优化OTA整体功耗。该运算放大器基于40 nm CMOS工艺实现。仿真表明,该运算跨导放大器的直流增益大于90 dB,GBW大于17 GHz,相位裕度大于80°,完全满足1 GSample/s 14位流水线型ADC的性能要求。
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李泽宇,郭轩,武锦,唐鹤. 用于1 GSample/s 14位ADC的运算跨导放大器[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70306-.
LI Zeyu, GUO Xuan, WU Jin, TANG He. Operational Transconductance Amplifier Applied in 1 GSample/s 14 bit A/D Converter[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70306-.
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一种基于电流导通比率的SPICE模型
李青岭,陈万军
通过引入电流导通比率因子α(I_A)模拟器件导通过程中电导调制效应的强度变化,并结合MOS控制晶闸管(MCT)的工作机理建立一种SPICE电路仿真模型。利用电流导通比率因子α(I_A)不仅有效简化闩锁效应分析过程,而且直接量化导通压降和电流的关系,便于结合器件工作机理建立SPICE模型。最后,对该模型进行静态I-V特性和RLC单脉冲放电仿真测试,与Sentaurus软件仿真所得精确数据点比较具有较好的重合性 ,说明该模型结构对MCT器件应用于SPICE电路仿真试验具有一定的指导意义。
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李青岭,陈万军. 一种基于电流导通比率的SPICE模型[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70401-.
LI Qingling, CHEN Wanjun. A SPICE Model Based on the Current Conduction Ratio[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70401-.
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宇航静电防护管理体系标准解读
莫国成,印琴,徐睿,帅喆
通过对航天Q/QJA 118-120静电防护管理体系系列标准的研究,采用体系管理的思想,通过PDCA循环的方式,梳理静电防护管理体系建设与实践思路。旨在通过静电防护管理体系的建设和运行,并进行持续改进,不断提升电子产品的静电防护管理水平。
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莫国成,印琴,徐睿,帅喆. 宇航静电防护管理体系标准解读[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70402-.
MO Guocheng, YIN Qin, XU Rui, SHUAI Zhe. Standard Interpretation of Aerospace Electrostatic Protection Management System[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70402-.
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一种新型的剖面化学染色技术研究
曹婷,姚雪霞
化学染色法是一种常见的PN结形貌分析方法。目前常规的化学染色技术有磨角法、滚槽法、电解水氧化法和剖面染色法。提出了一种新型的剖面化学染色技术,在传统的剖面染色法基础上新增了表面剥层、染色及观察步骤,可突破常规化学染色技术的局限,实现对PN结分布的观测及PN结缺陷的定位分析。进一步研究发现在新型剖面染色法的染色步骤使用超结染色液,可显著提升化学染色的效果和成功率。应用该化学染色技术,大大降低了半导体产品反向工程及失效分析的时间和成本,为PN结分析提供了方向。
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曹婷,姚雪霞. 一种新型的剖面化学染色技术研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70403-.
CAO Ting, YAO Xuexia. Research on a New Cross-section Chemical Staining Technology[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70403-.
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GaN HEMT双指热耦合关系的研究
肖立杨
为研究GaN HEMT多指结构器件中发热指之间的热耦合问题,该文通过分析基于有限元的双指结构器件的仿真数据,得到两发热指之间热耦合的强度与两者所处版图不同位置无关这一结果。通过建立热路模型分析论证这种热耦合关系产生的原因,最后通过模型进一步解释了器件整体热阻与发热指功率的关系。
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肖立杨. GaN HEMT双指热耦合关系的研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70404-.
XIAO Liyang. Research on GaN HEMT Double Finger Thermal Coupling Relationship[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70404-.
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基于鳍线过渡的W波段微带/波导转换
洪火锋
分析研究了一种基于对极鳍线结构设计的W波段微带-波导转换结构,该转换结构具有结构简单、尺寸小、安装方便、过渡方向与基于微波单片集成电路(MMIC)设计的微带电路同方向、良好宽带特性的特点,在W波段全频段内,单个转换结构的带内插损小于0.6 dB,可广泛应用于W波段功能模块与系统中。
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洪火锋. 基于鳍线过渡的W波段微带/波导转换[J]. 电子与封装, 2020, 20(7): 70405-.
HONG Huofeng. W-Band Microstrip-Waveguide Transition Based on Fin Line[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(7): 70405-.
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