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扇出型封装发展、挑战和机遇
吉勇，王成迁，李杨
扇出型封装在集成电路封装中受到越来越多的关注，近年来取得了长足进步，也被认为是延续和超越摩尔定律的关键技术方案。根据扇出型封装的发展趋势，从当前扇出型封装几种重要的技术路线、技术应用、未来挑战和机遇方面进行了系统梳理。详细对比分析了圆片级树脂型扇出封装、硅基晶圆级扇出型封装和面板级扇出型封装技术方法和特点，阐述了半导体设备和材料对扇出型封装的影响和相互协同发展。最后，从技术、应用和市场战略方面分析了扇出型封装存在的挑战和机遇。
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吉勇，王成迁，李杨. 扇出型封装发展、挑战和机遇[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80101-.
JI Yong, WANG Chengqian, LI Yang. Development, Challenges and Opportunities of Fan-out Packaging[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80101-.
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SOP封装集成电路去金效率提升方案
向洲林
从提高效率，保证质量出发，提出了提高SOP封装的集成电路去金效率的解决方案。介绍了方案的具体实施方法，给出了结构件尺寸设计的思路。在生产实践中对这种方案进行了验证，和其他的几种方法加以比较，证明其可靠性及实用性。
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向洲林. SOP封装集成电路去金效率提升方案[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80201-.
XIANG Zhoulin. SOP Package IC De-Golding Efficiency Improvement Scheme[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80201-.
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磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究
敖国军，廖小平，杨兵
研究磁耦数字隔离器的陶瓷封装技术，分析了金丝球焊、硅铝丝楔焊经高温贮存后键合强度和键合失效模式的变化对可靠性的影响以及微变压器线圈压焊点的距离、腔体的压力、腔体里的气体种类对隔离电压的影响。研究结果表明，硅铝丝楔焊的可靠性更高；微变压器线圈压焊点的距离越大，腔体的压力越大，隔离电压越大；腔体内为电负性气体的隔离电压大于惰性气体。
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敖国军，廖小平，杨兵. 磁耦数字隔离器陶瓷封装技术研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80202-.
AO Guojun, LIAO Xiaoping, YANG Bing. Study on Ceramic Package for Magnetic Coupling Digital Isolator[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80202-.
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一种用于PCB组装的元器件定位系统
石宝松，张伟，王羚薇
PCB组装过程中，通过人工快速查找元器件位置的难度较大，是影响手工焊接效率的重要因素。基于坐标变换算法和图像处理技术开发的元器件定位系统，可以实现PCB上元器件位号的快速查询与定位，是一种实用性很好的PCB组装辅助系统。
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石宝松，张伟，王羚薇. 一种用于PCB组装的元器件定位系统[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80203-.
SHI Baosong, ZHANG Wei, WANG Lingwei. A Component Positioning System for PCB Assembly[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80203-.
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微波器件中引线键合强度测试方法研究
黄东巍，王海丽，吕贤亮，李旭
微波器件中，为了获得更低的寄生效应，会采用引线平直键合和带状引线键合，这些形式的键合引线采用GJB128A-97和GJB548B-2005的键合强度测试方法及其测试值来判断是否合格，易造成误判。对于微波器件的键合强度测试方法进行了分析和试验验证，并给出了合理的试验条件选择以及判据的修正方法，可应用于鉴定检验考核。
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黄东巍，王海丽，吕贤亮，李旭. 微波器件中引线键合强度测试方法研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80204-.
HUANG Dongwei, WANG Haili, LYU Xianliang, LI Xu. Research on Wire Bonding Strength Test Method of Microwave Devices[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80204-.
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基于FPGA的安全启动与配置文件安全存储方案
范晋文，周云松，黄维雄
研究了Xilinx FPGA的多重引导功能，bootloader的加载校验机制以及三备份纠错机制，设计实现了一种FPGA的安全启动与配置文件纠错的方法，降低了FPGA由于配置文件数据错误所导致的启动失败率。验证使用该方法FPGA不但可以从NOR FLASH中的不同备份程序中启动，而且可以及时诊断出NOR FLASH中发生数据错误的具体位置,并能够对发生错误的数据进行修复。
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范晋文，周云松，黄维雄. 基于FPGA的安全启动与配置文件安全存储方案[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80301-.
FAN Jinwen, ZHOU Yunsong, HUANG Weixiong. Secure Startup and Configuration File Storage Scheme Based on FPGA[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80301-.
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基于功分的大功率微波限幅放大模块设计
柳超，周晨，郁健
限幅放大模块是微波系统中的常用模块。随着微波技术的发展和微波系统发射功率的提高，系统对限幅放大模块的可承受功率提出了越来越高的要求。在单个限幅器可承受的最大功率达不到系统指标要求时，采取功分的方式，将输入的大功率信号功分到多个限幅器上，从而达到系统指标的要求。采用该方式研制出多款限幅放大模块，其中包括C波段500 W限幅放大模块、Ku波段100 W限幅放大模块和Ka波段16 W限幅放大模块等，分别应用在多个微波收发系统中。
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柳超，周晨，郁健. 基于功分的大功率微波限幅放大模块设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80302-.
LIU Chao, ZHOU Chen, YU Jian. Design of High Power Microwave Limiting Amplifier Module Based on Power Division[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80302-.
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斜率可调的ARINC429总线驱动器设计
常伟，张梅，李珂
基于高压LDMOS工艺，设计了一款ARINC429总线驱动器。电路在±12~±15 V双电源电压下工作，能够接收CMOS/TTL逻辑输入信号，产生一对差分输出驱动电平。同时，输出上升和下降时间斜率可调，能同时适应高速或低速ARINC429总线。电路采用0.18 m HV LDMOS工艺流片，测试结果表明，数据传输稳定可靠且各项电参数均满足总线规范。
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常伟，张梅，李珂. 斜率可调的ARINC429总线驱动器设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80303-.
CHANG Wei, ZHANG Mei, LI Ke. Design of ARINC429 Line Driver with Adjustable Slope[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80303-.
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I2C总线板卡热插拔电路设计
蒋婷，蔡洁明，印琴
提出了一种适用于I2C总线板卡的热插拔电路，解决了一直以来I2C板卡无法热插拔的问题。在介绍热插拔对系统影响的基础上，给出了热插拔电路的详细设计方案。设计的电路具有总线状态检测功能，通过总线预充电和电容隔离的方法使板卡在热插拔过程中对总线的干扰降低到最小，有效保证了系统工作的稳定性。
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蒋婷，蔡洁明，印琴. I2C总线板卡热插拔电路设计[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80304-.
JIANG Ting, CAI Jieming,YIN Qin. Design of Hot Swap Circuit for I2C Bus Card[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80304-.
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700 V超低比导通电阻的LDMOS器件
李怡，乔明
LDMOS器件广泛应用于高压集成电路芯片中，由于常作为功率开关来使用，其主要的性能指标为击穿电压（VB）与比导通电阻（RON,sp）。然而，VB与RON,sp均强烈受制于漂移区长度及掺杂浓度，因此存在固有的矛盾关系。Triple RESURF技术被广泛使用于优化器件VB与RON,sp之间的矛盾关系。基于传统Triple RESURF技术，提出了一种新型Triple RESURF LDMOS结构，即在P-buried层的上方和下方引入了高浓度的 N 型掺杂层。相较于传统结构，该结构器件既可以避免表面杂质浓度较高带来的器件提前击穿，又可以降低同等电压下的比导通电阻。测试结果表明该结构可以达到VB=795 V, RON,sp=78.3 mΩ?cm2，相比于传统结构的RON,sp降低了26.8%。
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李怡，乔明. 700 V超低比导通电阻的LDMOS器件[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80401-.
LI Yi, QIAO Ming. 700 V Ultra-Low Specific on-Resistance LDMOS[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80401-.
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亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响
周琪钧，田冕，刘超，陈万军
针对MOS栅控晶闸管（MCT）在电容储能型脉冲功率系统中，面临高电压变化率（dV/dt）而导致的误开启现象，首次通过实验和仿真研究了亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响，分析了亚阈电流对器件dV/dt抗性的影响机制。研究结果表明，亚阈电流的参与是引起器件dV/dt抗性降低的重要原因，这为提高器件dV/dt抗性设计提供了理论指导。
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周琪钧，田冕，刘超，陈万军. 亚阈电流对MOS栅控晶闸管dV/dt抗性的影响[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80402-.
ZHOU Qijun, TIAN Mian, LIU Chao, CHEN Wanjun. Effect of Sub-threshold Current on dV/dt Immunity of MOS-Controlled Thyristor[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80402-.
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热波探针在离子注入表征上的应用
张蕊
离子注入工艺稳定性的多个表征方法中，热波探针法快速、灵敏且无损，可用于离子注入工艺角度、注入剂量及均一性的表征。介绍了热波探针应用的理论依据和数据实例，并结合数据实例研究了热波探针法的应用特点和规律。当热波探针应用于离子注入角度表征时，需要保证前期机械校准的有效性及隧穿效应敏感区角度的选用。当应用于剂量准确性和均一性表征时，则需要将注入剂量控制在中、低等剂量范围内，避开隧穿效应敏感区，还需有效规避热晶圆效应。
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张蕊. 热波探针在离子注入表征上的应用[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80403-.
ZHANG Rui. Application of Thermal Wave Probe on the Monitor of Implantation[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80403-.
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LTCC滤波器侧面印刷工艺技术研究
杨靖鑫，吴申立，丁小聪，董兆文，麻茂生
主要针对LTCC（Low Temperature Co-fired Ceramic）滤波器电气连通率较低的问题进行了相关研究。通过比较，发现自制的LTCC滤波器端口导带露出端偏薄，从而导致在端口印上导带之后与中间层导带在端口处的电气连接性能不佳。通过进一步的分析，发现导致滤波器端口导带过薄的原因有两个，一是生瓷切片时刀口的带瓷，二是烧结过程中导体浆料与瓷体材料的收缩率不一致导致导体内缩。最后针对性地提出了相应的改进措施，获得了最优化的工艺技术方案。
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杨靖鑫，吴申立，丁小聪，董兆文，麻茂生. LTCC滤波器侧面印刷工艺技术研究[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80404-.
YANG Jingxin, WU Shenli, DING Xiaocong, DONG Zhaowen, MA Maosheng. Study on the Side Printing Technology of the LTCC Filter[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80404-.
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掩模涨缩技术在衍射光学元件制作中的应用
张鹏，李嘉，丁鼎
衍射光学元件是指功能结构尺寸在微米、纳米量级的光学元器件，如何大规模批量制作光学元件是目前研究的重要问题。首先介绍了半导体器件的制作工艺及其应用在衍射光学元件制作上的可行性，分析了感应耦合等离子体 (ICP) 刻蚀技术用于衍射光学器件制作的反应机理。研究了掩模数据处理中的涨缩技术，将该技术引入衍射光学元件制作中并制作了掩模版。最后，使用经过数据涨缩处理后的掩模版制作微光器件，与未经过数据涨缩处理的掩模版制作的衍射光学元件进行对比。结果表明，使用相同工艺制作，衍射光学元件数据处理过程中引入涨缩技术不仅可以有效提高刻蚀深度的精度，还可以明显降低衍射零级能量。
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张鹏，李嘉，丁鼎. 掩模涨缩技术在衍射光学元件制作中的应用[J]. 电子与封装, 2020, 20(8): 80405-.
ZHANG Peng, LI Jia, DING Ding. Application of Mask Sizing Issues in the Fabrication of Diffractive Optical Elements[J]. Electronics and Packaging, 2020, 20(8): 80405-.
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